Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
- Автор:
Горшков, Алексей Павлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией», автор — Горшков, Алексей Павлович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Нижний Новгород в 2006 году. Объем работы: 134 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003304320. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности электронно-энергетического строения и оптических свойств нанокомпозитов с железом и кобальтом в пористом кремнии | Леньшин, Александр Сергеевич | 2009 |
| Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе | Матвеев, Борис Анатольевич | 2010 |
| Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах | Лукашов, Николай Васильевич | 1999 |