Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
- Автор:
Горшков, Алексей Павлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронный транспорт в HgTe квантовых ямах с линейным и параболическим законом дисперсии | Добрецова, Алёна Александровна | 2019 |
| Электронный транспорт в Si структурах с малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении | Рыльков, Владимир Васильевич | 2015 |
| Определение энергетических и динамических характеристик гетероструктур с квантовыми точками методами емкостной спектроскопии | Шулгунова, Ирина Сергеевна | 2007 |