Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
- Автор:
Горшков, Алексей Павлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией», автор — Горшков, Алексей Павлович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Нижний Новгород в 2006 году. Объем работы: 134 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003304320. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Явления переноса в полупроводниковых пленках | Кулиев, Бахшали Имамкули оглы | 1985 |
| Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей | Нгуен Хуи Фук | 2014 |
| Фотонамагничивание магнитных полупроводников и диэлектриков | Токман, Иосиф Давидович | 1984 |