Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
- Автор:
Горшков, Алексей Павлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах | Львов, Павел Евгеньевич | 2001 |
| Мощные ультрафиолетовые светоизлучающие диоды : характеристики и использование для контроля загрязнения воды | Шамирзаев, Владимир Тимурович | 2016 |
| Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества | Барановский, Максим Владимирович | 2013 |