Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
- Автор:
Горшков, Алексей Павлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
134 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием | Грозная, Елена Владимировна | 2008 |
| Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом | Камаев, Геннадий Николаевич | 1998 |
| Резонансное туннелирование в гетероструктурах с латеральными неоднородностями | Цибизов, Александр Геннадьевич | 2004 |