Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда
- Автор:
Сошников, Александр Игоревич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
115 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Математические модели процессов, протекающих на границе "полупроводник - газ" и межфазных границах структуры "металлическая плёнка - полупроводник", помещённой в активный газ | Харламов, Фёдор Владимирович | 2009 |
| Температурная зависимость теплоемкости твердых растворов системы арсенид галлия - фосфид индия - арсенид индия в области 5 - 300 К. | Новиков, Владимир Васильевич | 1984 |
| Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А | Воробьёв, Александр Борисович | 2001 |