Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
- Автор:
Тягинов, Станислав Эдуардович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
146 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si», автор — Тягинов, Станислав Эдуардович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2006 году. Объем работы: 146 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002937483. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Физические основы оптимизации нитридных полупроводниковых гетероструктур для их применения в высокоэффективных светодиодных устройствах | Бугров, Владислав Евгеньевич | 2013 |
| Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs | Крыжановская, Наталья Владимировна | 2005 |
| Оптические, электрические и фотоэлектрические свойства нанокристаллического оксида индия | Форш, Екатерина Александровна | 2013 |