Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
- Автор:
Тягинов, Станислав Эдуардович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
146 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Управление свойствами полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок | Богданова, Дарья Александровна | 2013 |
| Поведение сегнетоэлектриков в наноразмерных силикатных матрицах | Стукова, Елена Владимировна | 2006 |
| Локальная диагностика электрофизических свойств полупроводниковых микро- и наноструктур | Литвинов, Владимир Георгиевич | 2019 |