Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
- Автор:
Тягинов, Станислав Эдуардович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
146 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек | Зиновьева, Айгуль Фанизовна | 2008 |
| Нанесение коммутационных и антидиффузионных слоев на силициды переходных металлов и кремний | Соломкин, Федор Юрьевич | 1997 |
| Комплексное исследование полупроводниковых соединений Cu2-xS с использованием метода ЯКР 63,65Cu | Сафонов, Александр Николаевич | 2007 |