Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
- Автор:
Тягинов, Станислав Эдуардович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
146 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия | Мустафа Назар Селман | 1999 |
| Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках | Мицук, Сергей Васильевич | 2008 |
| Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур | Шабунина, Евгения Игоревна | 2011 |