Дефекты с глубокими уровнями в структурах А3В5 и их взаимодействие с квантовыми точками

• Автор: Соболев, Михаил Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 293 с. : ил.

ГЛАВА

1.2.1.1.
1.2.1.2.

1.2.2.1.
1.2.2.2.

Дефекты с глубокими уровнями в нелегированных
слоях СаАэ и ваР, полученных методом жидкофазной эпитаксии, и оптимизация технологии получения структур на их основе
Исследования электрофизических параметров и дефектов с
глубокими уровнями в эпитаксиальных р-п структурах на основе нелегированного ваАв электронно-зондовыми методами
Определение параметров закона рекомбинации в области
объемного заряда р-п и р-1-п полупроводниковых структур с помощью электронного зонда
Особенности поведения ТИЭЗ и КЛ в структурах на основе
нелегированного ваАв
Теоретические модели расчета кривых ТИЭЗ при локальной
перезарядке глубоких уровней
Модуляционная спектроскопия глубоких уровней с
помощью электронного зонда
Физические основы метода модуляционной спектроскопии
глубоких уровней с помощью электронного зонда Результаты исследования глубоких уровней в р-п
структурах на основе эпитаксиального ваА$ методами модуляционной спектроскопии
Определение параметров закона рекомбинации в
квазинейтральных областях полупроводниковых структур с помощью электронного зонда
Исследования механизма усиления фототока в СаАх/АЮаАя

структурах с помощью модуляционной методики
1,3. Влияние температуры начала кристаллизации на механизм
компенсации и процесс образования дефектов в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga-As
1.3.1. Введение
1.3.2. Исследования р-n структур методом Ван-дер-Пау
1.3.3. Токовая DLTS спектроскопия дефектов и примесей с
глубокими уровнями в р-n структурах
1.3.4. Оптическая модуляционная спектроскопии глубоких
уровней с помощью электронного зонда
1.4. Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из
раствора-расплава Ga-As-Bi
1.5. Особенности получения GaP полупроводниковых структур
методом жидкофазной эпитаксии
1.6. Выводы к главе 1
ГЛАВА 2 Бистабильные дефекты и примеси с глубокими
уровнями в эпитаксиальных слоях AlGaAs
2.1. Введение
2.2. Метастабильное состояние DX-центра в легированных Si
эпитаксиальных слоях AlxGai.,As
2.3. Бистабильные свойства собственного Е1 дефекта в
легированных Si эпитаксиальных слоях AIxGai_xAs
2.4. Выводы к главе 2
ГЛАВА 3 Радиационные дефекты с глубокими уровнями в
эпитаксиальных слоях GaAs и AlGaAs
3.1. Введение
3.2. Генерация EL2 дефекта в п-GaAs при радиационном
облучении протонами и электронами высокой энергии
3.3. Бистабильные свойства радиационного Е1 дефекта в
легированных Si эпитаксиальных слоях AlxGai.xAs.
3.4. Радиационные дефекты с глубокими уровнями в солнечных

элементах на основе гетероструктур AIGaAs/GaAs
3.5. Выводы к главе
ГЛАВА 4. Рекомбинационно-стимулированные отжиги в GaAs и AlGaAs слоях и гетеролазерных структурах на их основе
4.1. Введение
4.2. Исследования механизма деградации лазера на основе AIGaAs/GaAs-гетероструктур с квантовыми ямами
4.3. Рекомбинационно-стимулированный отжиг в слоях GaAs и AlGaAs
4.4. Выводы к главе
ГЛАВА 5. Взаимодействие квантовых точек и дефектов в (InAs,Ga)/GaAs полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми точками
5.1. Введение
5.2. Эффект кулоновского взаимодействия квантовых точек и дефектов в гетероструктурах InAs/GaAs с вертикально сопряженными квантовыми точками, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
5.3. Метастабильная заселенность саморганизованных
квантовых точек в InAs/GaAs гетероструктурах,
выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
5.4. Эффект Штарка вертикально сопряженных квантовых точек в гетероструктурах InAs/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
5.5. Термоотжиг дефектов InGaAs/GaAs гетероструктурах с трехмерными островками, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
5.6. Влияние кулоновских эффектов на электронную эмиссию и захват саморганизованными квантовыми точками InGaAs/GaAs
5.7 Выводы к главе

Рис. 1.12. Спектральная зависимость модуляционного сигнала ДІ легированной Сг р+ - п° -п+ ваАв структуры в областях: (а) - гашения, (б) - усиления.
Рис. 1.13. (а) Зависимости модуляционного сигнала Д1 при Ьу=0.70 эВ в области гашения (1) и усиления (2) и при Иу=Е8 (3) от уровня возбуждения (1„ ос О) для СаАь р+ - п° -п структуры, (б) Зависимости индуцированного тока 1и (1) и модуляционного сигнала Д1 при Ьу=0.70 эВ в области гашения (2) и усиления (3) и при 11У=Ег (4) от уровня возбуждения для ваАв р+ - р° - п° -п+ структуры.