Взаимодействие дефектов в кристаллической решетке теллурида кадмия

• Автор: Илащук, Мария Ивановна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Черновцы
• Количество страниц: 164 c. : ил

АННОТАЦИЯ
Исследованы временные изменения электрофизических свойств кристаллов нелегированного р-Сс/Те (/> = I + Ом см) с различным уровнем неконтролируемых примесей ( Т = 295 - 420 К). Установлено, что характер и направление происходящих релаксационных процессов в значительной мере зависят от концентрации остаточных примесей донорного типа (преимущественно Си с ) и степени их ассоциации с собственными дефектами ( 1^/ )•
Экспериментально показано, что при специальной термообработке образцов Сс/Те: Се может происходить перераспределение атомов амфотерной примеси по подрешеткам Со! ж Те
В кристаллах Сс!Те • &е г Те » приготовленных в заданных технологических условиях, возможно образование областей микронеоднородностей, приводящих к возникновению флуктуирующего потенциального рельефа. Особенности электрических и фотоэлектрических свойств такого материала находит объяснение в рамках модели неоднородных полупроводников.
Проведено исследование электрофизических свойств полуизоли-рующих образцов Сс/Те-Ба» Установлено, что их проводимость в интервале 295 - 450 К определяется одновременной ионизацией нескольких глубоких центров, расположенных в области середины запрещенной зоны.

Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

§ 1.1. Область гомогенности теллурида кадмия

§ 1.2. Собственные дефекты в С с/Те

§ 1.3, Взаимодействие собственных и примесных

дефектов в решетке теллурида кадмия

§ 1.4. Взаимодействие точечных дефектов с
дислокациями
Глава II. ПОЛУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ Сс/Те и МЕТОДИКИ ИХ
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ
§ 2.1. Синтез и выращивание кристаллов Сс!Те
§ 2.2. Приготовление образцов и нанесение контактов.,
§ 2.3. Контроль однородности образцов
§ 2.4. Методика электрических измерений
§ 2.5. Методика фотоэлектрических измерений
Глава III. НЕСТАБИЛЬНОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ
НЕЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ р - Со/Те
§ 3.1. Временные изменения в р-Со1Те . Анализ различных моделей
§ 3.2. Характер временных изменений в низкоомном р-Со/Те с низким уровнем неконтролируемых примесей
§ 3.3. Нестабильности электрических свойств теллурида кадмия с высоким уровнем неконтролируемых примесей
§ 3.4. Кинетика процессов »происходящих в р-Сс!Те
при низкотемпературном отжиге

§ 3.5. Временные изменения электрических свойств образцов, полученных низкотемпературными методами
§ 3.6. Электрические свойства теллурида кадмия,
содержащего значительные концентрации собственных дефектов
Глава IV. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА Со/Те ,ЛЕГИРОВАННОГО
АМФОТЕРНЫМИ ПРИМЕСЯМИ ( &е , Sn )
§ 4.1. Электрические свойства теллурида кадмия,
легированного Sn
§ 4.2. Собственная проводимость кристаллов
Сс/Те : Qe , Сс/Те: Sn
§ 4.3. Влияние термообработки на электрические свойства Со/Те , легированного амфотерной примесью
Глава V. ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ Сс/Те-'&е, Те »СОДЕРЖАЩИХ ОБЛАСТИ ГЖКРОНЕОДНОРОДНОСТЕЙ
§ 5.1. Анизотропия подвижности носителей заряда в
кристаллах Сс/Те -Ge
§ 5.2. Влияние неоднородностей на электрические
свойства Сс/Тг , легированного германием
§ 5.3. Фотоэлектрические свойства неоднородных
кристаллов Сс/Те-Ое
§ 5.4. Электрические и фотоэлектрические свойства
кристаллов Сс/Те. Fe с магнитным упорядочением
ВЫВОДЫ
ЛИТЕ РАТУРА
ПРИМЕЧАНИЕ
П РИЛ О Ж Е Н ИЕ

Глава III. НЕСТАБИЛЬНОСТИ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ НЕЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ р-Сс/Те
§ 3.1. Временные изменения в р-Сс/Те.
Анализ различных моделей
Исследования температурных зависимостей электропроводности и коэффициента Холла образцов нелегированного Сс/Те р-типа, полученных различными способами, показали, что уже при температурах, несколько превышающих комнатную, наблюдаются временные изменения их электрофизических свойств.
Общую характеристику происходящих в таких кристаллах процессов дадим на основании результатов одной из первых работ, посвященных изучению этого вопроса [2.58], Для образцов с кон

центрацией дырок р> 10 см" (300 К) и рабочим уровнем су +
+ 0,06 + 0,01 эВ в процессе нагрева к температурам выше 50°С наблюдали заметное уменьшение концентрации носителей. Последующие измерения при низких температурах свидетельствовали о проявлении более глубокого акцепторного уровня Еу+ (0,12 -0,17) эВ. Образцы р- Сс/Те с концентрацией носителей р < Ю16см~3 (300 К) и энергией ионизации акцепторов 0,12 - 0,3 эВ в области температур 50-80° С характеризовались изменением параметров, сопровождающимся увеличением концентрации дырок и изменением наклона зависимостей #/=/Мт) в сторону уменьшения энергии активации уровня.
Характерно, что указанные изменения, происходящие в с концентрациями р > ТО16 см-® и р < Ю16 см-®, обладают противоположным направлением. Выдержка обоих типов образцов при комнатной температуре приводит к возвращению в первоначальное состо-