Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
- Автор:
Кеслер, Валерий Геннадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
218 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi | Шаронова, Лариса Васильевна | 1984 |
| Исследование эффектов пространственной неоднородности накачки и оптического поля в полосковых инжекционных лазерах и полупроводниковых оптических усилителях | Шаталов, Максим Сергеевич | 1999 |
| Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9 | Хан Мен Ук, 0 | 1984 |