Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
- Автор:
Кеслер, Валерий Геннадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
218 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии | Ильин, Павел Александрович | 2002 |
| Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах | Андрианов, Александр Васильевич | 2007 |
| Оптические свойства тонких пленок Ge2Sb2Te5 и влияние на них легирующих примесей | Нгуен Хуи Фук | 2014 |