Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
- Автор:
Кеслер, Валерий Геннадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
218 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ», автор — Кеслер, Валерий Геннадьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2005 году. Объем работы: 218 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002850885. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN | Жмерик, Валентин Николаевич | 2001 |
| Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией | Горшков, Алексей Павлович | 2006 |
| Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP | Ахмедов, Давронали | 1982 |