Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
- Автор:
Кеслер, Валерий Геннадьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
218 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрофизические методы исследования планарно-неоднородных и ионно-легированных МДП-структур | Борисов, Сергей Николаевич | 2002 |
| Поляризационные исследования рекомбинационного излучения монокристаллов тройных полупроводников с анизотропной структурой | Паримбеков, Заитхан Анарбекович | 1984 |
| Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N | Жмерик, Валентин Николаевич | 2012 |