Явления переноса в твердых растворах Pb1-xSnxTe(In) в переменных электрических полях

• Автор: Кожанов, Александр Евгеньевич
• Шифр специальности: 01.04.09
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 136 с. : ил.

Список сокращений

Список основных обозначений

Глава I. Энергетический спектр и примесные состояния в

РЬі.х8пхТе (обзор литературы)

1.1 Нелегированные полупроводники класса А4В6

1.2 Характерные проявления примеси 1л в сплавах РЬі.х8пхТе

1.2.1 Стабилизация уровня Ферми в РЬТе(1п)

1.2.2 Примесь индия в РЬі.х8пхТе

1.2.3 Долговременные релаксационные процессы в РЬі.х8пхТе(Іп)

1.2.4 Вольт-амперные характеристики

1.2.5 Теоретические модели

1.2.6 Спектральные характеристики фотопроводимости РЬолзЗпо.иТеДп)
1.3 Твердые растворы РЬо.753по.25Те(1п) в переменных электрических полях
1.3.1 СВЧ-гашение фотопроводимости
1.3.2 СВЧ-стимуляция квантовой эффективности
1.3.3 Емкость структур на основе эпитаксиальных
пленок Pbo.75Sno.25T е(1п)
Глава II Методика эксперимента
2.1 Исследованные образцы
2.2 Измерительные установки
2.2.1 Измерительные камеры
2.2.2 Экспериментальные установки
2.3 Ошибки измерений
2.3.1 Измерение импеданса
2.3.2 Точность измерений

Глава III Чувствительность РЬо.758п0.25Те(Іп) к излучению
субмиллиметрового диапазона
3.1 Экспериментальные результаты
3.2 Обсуждение полученных результатов
Глава IV Резонанс проводимости в переменных электрических
полях
4.1 Характеристики исследованных образцов в статических электрических полях
4.2 СВЧ-резонанс проводимости
4.2.1 Частотные зависимости проводимости при СВЧ-накачке
4.2.2 Статические вольт-амперные характеристики при СВЧ-накачке
4.2.3 Импульсные вольт-амперные характеристики при СВЧ-накачке
4.2.4. Неустойчивости проводимости в режиме СВЧ-резонанса
4.3 Обсуждение результатов
Глава V Импеданс твердых растворов РЬо.758по.25Те(1п)
5.1 Тестовые измерения в статическом режиме
5.2 Импеданс твердых растворов РЬо.75$по.25Те(1п)
5.2.1 Частотные зависимости импеданса
5.2.2 Частотные зависимости импеданса в магнитном поле
5.2.3 Температурные зависимости импеданса
5.2.4 Влияние геометрии измеряемого образца
5.3 Обсуждение полученных результатов
Глава VI Обсуждение полученных результатов
Основные результаты и выводы
Литература

Список сокращений
АЧТ - абсолютно черное тело
ВАХ - вольт амперная характеристика
ДРП - долговременные релаксационные процессы
ИК - инфракрасный, инфракрасная
СВЧ - сверх высокочастотный
СМ - субмиллиметровый
УФ - уровень Ферми
ФП - фотопроводимость
ШдГ - Шубникова-де-Гааза эффект, осцилляции ЯТЦ - Ян-Теллеровский центр
Список основных обозначений
а0 - постоянная решетки
С0 = S/d - геометрическая емкость
С* = С/С0 - приведенная емкость
Сp,R - сопротивление и емкость в параллельной RC-цепочке
d - толщина пленки, расстояние между контактами А - конфигурационная координата е = 1.6-1 (Г19 Кл - заряд электрона
Е, Ек - напряженность статического электрического поля, критическая напряженность Еа - энергия термической активации

от RS232 ПК

источник питания Agilent 3S32A
свип-генератор

к RS232 ПК
Абсолютно Черное Тело
ТП

Мультиметр Keithley 2000
напряжение
развертки

измерительная
камера
Мультиметр
НР-3478А

X канала 1
канал 2 Осциллограф
Tectronix 2012
Y канала 1
к RS232 ПК.

Мультиметр
НР-3478А

R1
Рис.2.3 Блок-схема установки по исследованию частотных характеристик СВЧ-гашения,