+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Электронные свойства короткопериодных сверхрешеток и слоев квантовых точек InAs/GaAs

  • Автор:

    Рогозин, Василий Александрович

  • Шифр специальности:

    01.04.09

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2005

  • Место защиты:

    Москва

  • Количество страниц:

    155 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

Глава 1. Сверхрешетки и квантовые точки
1.1 Сверхрешетки: энергетический спектр, транспортные свойства
1.1.1 Размерное квантование, квантовые ямы
1.1.2 Типы сверхрешеток, энергетический спектр сверхрешеток
1.1.3 Латеральный транспорт электронов в сверхрешетках
1.1.4 Короткопериодные сверхрешетки
1.2 Квантовые точки, слои квантовых точек
1.2.1 Механизмы формирования квантовых точек, самоорганизованный рост квантовых точек
1.2.2 Особенности фотолюминесценции структур с
квантовыми точками
1.2.3 Локализация носителей тока в низкоразмерных системах
1.2.4 Переход "квантовый эффект Холла - холловский изолятор"
в двумерных системах, индуцированный магнитным полем ■■
Глава 2. Методика измерений и образцы
2.1 Методика измерений температурных зависимостей сопротивления, магнетосопротивления, эффекта Холла
и эффекта Шубникова - де Гааза
2.2 Методика измерения замороженной фотопроводимости ■
2.3 Методика измерения спектров фотолюминесценции
2.4 Образцы с короткопериодными ГпАз/СаАэ сверхрешеткиами
2.5 Образцы с квантовыми точками ^АБ/ПаАя
Глава 3. Электронный транспорт в слоях ^Ая/СаАя на
пороге образования квантовых точек
3.1 Температурные зависимости сопротивления, локализация носителей тока
3.2 Магнетосопротивление, эффект Шубникова - де Гааза
3.3 Фотолюминесценция
3.4 Энергетический спектр короткопериодных сверхрешеток
3.5 Критическая концентрация 1пАб и образование квантовых точек
Глава 4. Электронный транспорт и локализация
носителей тока в структурах ХпАв/СаАБ р- и п-типа проводимости со слоями квантовых точек
4.1 Проводимость слоя квантовых точек
4.1.1 Образцы «-типа проводимости с квантовыми точками
4.1.2 Образцы р-типа проводимости с квантовыми точками
4.2 Магнетосопротивление, квантовый эффект Холла и эффект Шубникова - де Гааза
4.2.1 Образцы р-типа проводимости с квантовыми точками
4.2.2 Образцы п-типа проводимости с квантовыми точками
4.2.3 Двумерные носители тока
4.3 Переход: квантовый эффект Холла - холловский
изолятор
Глава 5. Замороженная фотопроводимость и
фотолюминесценция в структурах п- и р-типа проводимости со слоями квантовых точек ГпАв/СаАБ
5.1 Замороженная фотопроводимость
5.1.1 Изменение проводимости под действием освещения и после
его выключения
5.1.2 Механизм замороженной фотопроводимости
5.2 Фотолюминесценция, влияние мощности накачки
Основные результаты и выводы
Заключение
Список литературы
погружалась в жидкий гелий. При небольшом давлении гелия во вставке для теплообмена с ванной жидкого гелия можно было с помощью нагревателя регулировать температуру образца. Для нагревания образца использовался константановый нагреватель, находящийся в тепловом контакте с держателем образца. Путем регулировки напряжения на нагревателе, устанавливалась температура образца, при которой система приходила в равновесие.
Подсветка образца производилась белым светом лампы накаливания, пропущенным через светофильтр, состоящий из кремниевой пластины, и пропускающий свет с длинами волн Х>1120нм. Выбор фильтра производился с таким расчетом, чтобы не допустить образования экситонов в GaAs. Засветка проводилась до насыщения сопротивления. Перед каждым измерением образец отогревался в темноте до комнатной температуры, чтобы полностью исключить поправку на остаточную замороженную фотопроводимость.
При измерениях релаксации проводимости возникала проблема долговременной и высокоточной стабилизации температуры. Поэтому часть экспериментов была выполнена на факультете инженерного материаловедения университета Бен-Гурион (Израиль). Была использована криогенная система замкнутого цикла модели RDK 101D с оптическим криостатом SHI-4-1 производства Janie Research Co. INC. Управление температурной стабилизацией осуществлялось системой СгуСоп, модель 32В. Для создания постоянного магнитного поля использовался постоянный CoSm магнит с напряженностью магнитного поля В=0.78 Тл, установленный внутри криостата, который мог поворачиваться на 180 градусов для измерений эффекта Холла. В этом случае для освещения образцов использовались либо лампа накаливания с кремниевым светофильтром, либо светодиод с длиной волны Х=950 нм. Освещение производилось через оптическое окно криостата. Измерения сопротивлений и их

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Название работыАвторДата защиты
Морфология квантовых кристаллов Кешишев, Константин Одиссеевич 1983
Экспериментальное исследование токовых состояний низкоразмерных сверхпроводников Арутюнов, Константин Юрьевич 2012
Особенности электронного спектра магнитных примесей при низкой температуре Кривенко, Игорь Станиславович 2012
Время генерации: 0.135, запросов: 966