Управление профилем тока в токамаке Т-10

• Автор: Кирнева, Наталья Александровна
• Шифр специальности: 01.04.08
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 212 с.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Роль профиля тока в формировании режимов с ВТБ. Особенности генерации тока при помощи электронно-циклотронных волн (Обзор результатов, полученных на различных установках).
1.1. Экспериментальное исследование ВТБ
1.2. Механизм формирования транспортного барьера
1.2.1. Стабилизирующая роль шира скорости вращения Юехв
1.2.2. Роль профиля тока в формировании ВТБ
1.3. Особенности управления профилем тока плазмы при помощи
электронно-циклотронной генерации тока
1,3,1 Механизм поглощения СВЧ волн в плазме. Генерация электронно-циклотронного тока
1.3.2. Эффективность генерации тока
1.3.2.1. Методы определения величины генерируемого тока
1.3.2.2. Сравнение достигнутых значений эффективности генерации тока с предсказаниями теории
1.3.2.3. Роль запертых частиц в снижении эффективности генерации тока
1.3.3. Достоинства и недостатки генерации тока с помощью электронно-циклотронных волн
ГЛАВА 2. Исследование особенностей поведения плазмы в экспериментах с обратным широм на Т-
2.]. Выбор параметров эксперимента (предварительные расчеты)
2.2. Результаты экспериментов в режимах с обратным широм и 4шн>
2.3. Связь между изменениями температуры плазмы и динамикой профиля 1|(г!
2.4 Эксперименты на Т-10 в режимах с обратным широм при !<(|гаія<1.
2.5. Сопоставление данных Т-10 с результатами, полученными на токамакеКТР
2.6. Анализ причин отсутствия ВТБ в режимах с обратным широм наТ-Ю
2.7. Выводы Главы
ГЛАВА 3. Проверка достоверности расчетных профилей тока. Новый метод определения величины генерируемого тока
3.1. Модель для обработки экспериментальных данных
3.1.1. Описание модели
3.1.2. Результаты тестирования модели на импульсах базы данных Т-
3.2. Определение їси по эффекту подавления пилообразных колебаний
3.2.1. Исходные данные
3.2.2. Алгоритм определения величины 1Со
3.2.3. Результаты определения 1со

3.2.4. Влияние поляризации СВЧ волны на величину Цц
3.2.5. Оценка влияния различных источников погрешности на определяем) величину
3.2.3.1. Роль профиля температуры
3.2.5.2. Чувствительность к заданию профиля генерируемого тока
3.2.5.3 Чувствительность метода к выбранному типу проводимости
плазмы
3.2.5.4. Дополнительные проверки достоверности расчетных профилей тока в режимах с обратным широм
3.2.5.5. Некоторые замечания о роли второго (достаточного) условия появления пилообразных колебаний
3.3. Роль нелинейных эффектов в создании ЭЦ тока в Т-
3.4. Выводы Главы
ГЛАВА 4. Исследование режимов с формированием внешнего
транспортного барьера при ЭЦ нагреве плазмы на Т-10
4.1. Основные особенности режимов с 11-м одой. наблюдаемые на различных установках
4.2. Общая характеристика Н-моды на Т-
4.3. Область существования Н-моды на Т-
4.3.1. Пороговая мощность для Ь-Н перехода
4.3.2. Зависимость от плотности плазмы
4.3.3. Зависимость от магнитного поля Вт
4.3.4. Зависимость от рг
плазмы, радиальные потери надтепловых электронов), также могут быть включены в уравнение (1.6).
В общем случае уравнение (1.6) нелинейное. Однако, если плотность поглощенной СВЧ мощности невелика
электронов незначительны [42], и уравнение (1.6) может быть решено в линейном приближении. В этом случае функция распределения электронов Се может быть представлена в виде Се = Ге0 + , где 4о - максвелловская функция рас-
пределения и Ге «^о . Таким образом, уравнение (1.6) может быть линеаризовано и сведено к уравнению для 40.
В линейном приближении [43] доля поглощенной мощности определяется из соотношения
РаЬ/ Рщ = 1 - е ■' , где
Раь - поглощенная мощность, Рщ - введенная СВЧ мощность, т - оптическая толщина слоя поглощения, зависящая от температуры и плотности плазмы.
Отношение величины генерируемого тока к поглощенной мощности задается соотношением
(1.7)
(п;18 - плотность плазмы в 1019 м'3), то искажения функции распределения