Процессы генерации и диагностика радиационных дефектов в металлах

• Автор: Купчишин, Анатолий Иванович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Алма-Ата
• Количество страниц: 289 c. : ил

ГЛАВА I. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ, МЕТОДИКА ЭКСПЕРИ -МЕНТА, МЕТОДЫ ОБРАБОТКИ ДАННЫХ
1.1. Экспериментальные установки угловой коррелядии аннигилшшонных фотонов
1.2. Автоматизированная установка с длиннощелевой геометрией и программным управлением
1.3. Оптимизация экспериментов по измерению угловых распределений аннигиляпионных гамма-квантов
1.4. Методы глубинного зондирования и сканирования радиационных дефектов позитронами высоких энергий
1.5. Автоматизированная установка внутреннего трения
1.6. Методика облучения, материалы
1.7. Выводы
ГЛАВА 2. КАСКАДНО-ВЕРОЯТНОСТНЫЙ (КВ) МЕТОД И ЕГО ПРИЛОЖЕНИЕ К ЗАДАЧАМ ПОЗИТРОННОЙ ДИАГНОСТИКИ И ПРОЦЕССАМ ГЕНЕРАЦИИ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В МЕТАЛЛАХ
2.1. Краткая история каскадно-вероятностного метода
2.2. Простейшая каскадно-вероятностная функция (КВФ)
и ее математический анализ
2.3. Обобщенная КВФ для стабильных частиц,в том числе выбитых атомов
2.4. КВ-функции для позитронов
2.5. Обобщенные рекуррентные соотношения

2.6. Связь КВФ с интегро-дифференциальными уравнениями каскадного процесса и основное уравнение для потока вторичных частиц
2.7. Расчеты спектров первично-выбитых атомов (ИВА) и концентрации радиационных дефектов в металлах
при их облучении электронами в рамках КВ-метода
2.8. Энергетическая зависимость концентрации дефектов в металлах и обсуждение результатов
2.9. Время термализашш позитронов в металлах
2.10.Вывод ы
ГЛАВА 3. ДВУХФОТОННАЯ АННИГИЛЯЦИЯ ПОЗИТРОНОВ В ДЕФЕКТНЫХ МЕТАЛЛАХ И СПЛАВАХ
3.1. Применение каскадно-вероятностного метода к процессам 2 ^ -угловой корреляции аннигиляционных фотонов (УКАФ) в дефектных материалах
3.2. Исследование энергетической зависимости радиационной повреждаемости молибдена, облученного протонами, в рамках методов ЭПА и переменных толщин поглотителя
3.3. Определение глубинных распределений радиационных дефектов в металлах методом позитронного зондирования
3.4„ Позитронная аннигиляция в деформированных сплавах на основе титана
3.5„ Влияние протонного, нейтронного и альфа-облучений на позитронную аннигиляцию в металлах

3.6. Последовательное воздействие деформации и облучений на титан и его сплавы
3.7. Дозовая зависимость радиационной повреж-

даемости сплавов и отжиг дефектов
3.8. Выводы
ГЛАВА 4. АМПЛИТУДНО”ЧАСТОТНАЯ ДИАГНОСТИКА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В МЕТАЛЛАХ
4.1. Исследование радиационных дефектов методом внутреннего трения
4.2. Определение распределений радиационных дефектов по глубине
4.3. Исследование распределения точек закрепления дислокаций по амплитудной зависимости внутреннего трения
4.4. Измерение амплитудозависимого внутреннего трения
4.5. Распределение радиационных дефектов по глубине в металлах при электронном облучении
4.6. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

возможны также выборочные измерения температуры с помощью переносного потенциометра ПП - 63. Измерение угла рассеяния электронов осуществляется датчиком тока (ДТз), установленном на передвижном устройстве (БДУ). Эта система может быть использована также для последовательного облучения образцов, установленных на этом устройстве
Измеритель энергии состоит из блока перемещающихся поглотителей (БШ), датчика тока (ДТ3), установленного за поглотителями, блока управления перемещением поглотителей (БУП) и интегратора тока (ИТ). Определение энергии осуществляется методом экстраполированного пробега по кривой поглощения пучка ускоренных электронов в алюминии.
При помощи этих систем были дистанционно измерены и обработаны кривые поглощения электронов в Л7/ при различных значениях токов пучка и магнетрона (рис.1.23), радиальные распределения электронов на различных расстояниях от выходного окна (рис.1.24) и зависимость импульсного напряжения индукционного датчика от тока пучка (рис.1.25).
Из рис.1.23 видно, что кривые поглощения электронов , их средняя энергия существенно зависят от начальных параметров ускорителя. Распределение по X при этом имеет вид га-уссианы, причем с увеличением расстояния от выходного окна ускорителя гауссиана становится шире. При облучении материалов электронами средняя энергия электронов была равна 1,8 МэВ ( с полушириной » 10 %) и контролировалась магнитным анализатором и по кривой поглощения. Неравномерность облучения не превышала 5%, что достигалось расфокусировкой пучка элек-