Сверхвысоковакуумная сканирующая туннельная микроскопия многослойных поверхностных структур

• Автор: Барановский, Роман Евгеньевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 157 с. : ил

Содержание
Введение
Защищаемые положения
Апробация работы и публикации
Глава 1. Методика эксперимента
1.1. Экспериментальная установка
1.2. Сканирующая туннельная микроскопия
1.2.1. Физические основы сканирующей туннельной микроскопии
1.2.2. Вакуумный модуль сканирующего туннельного микроскопа
1.2.3. Подготовка зондов
1.3. Электронная Оже-спектроскопия
1.3.1. Физические основы ЭОС
1.3.2. Анализатор электронов типа «цилиндрическое зеркало»
1.4. Термодесорбционная масс-спектрометрия
1.4.1. Физические основы метода
1.4.2. Реализация метода термодесорбционной масс-спектрометрии
1.5. Дифракция медленных электронов
1.5.1. Физические основы ДМЭ
1.5.2. Трехсеточный анализатор электронов
1.6. Выводы к Главе
Глава 2. Обработка изображений, получаемых методом сканирующей
туннельной микроскопии
2.1. Введение
2.2. Калибровка прибора и устранение искажений в изображениях
2.2.1. Общая характеристика искажений
2.2.2. Устранение искажений, вызванных дрейфом и установочным
наклоном образца
2.2.3. Калибровка прибора
2.3. Обработка изображений

2.3.1. Основные методы обработки
2.3.2. Преобразование Фурье
2.4. Интерпретация изображения неоднородной поверхности
2.4.1. Поверхность с сильно развитым рельефом
2.4.2. Поверхность с неоднородной электронной структурой
2.5. Выводы к Главе
Глава 3. Углеродные материалы на основе нанотрубок
3.1. Общие сведения
3.1.1. Строение углеродных нанотрубок
3.1.2. Методы получения углеродных нанотрубок
3.1.3. СТМ исследования одностенных углеродных нанотрубок
3.1.4. Материал «Bucky-рарег»
3.1.5. Постановка задачи
3.2. Структура материала «Виску paper»
3.2.1. Методика измерений
3.2.2. Подготовка образца
3.2.3. Анализ СТМ данных
3.2.4. Сравнение СТМ результатов с данными КРС и ПЭМ
3.5. Выводы к Главе
Глава 4. Структура поверхности графита при воздействии низкоэнергетических ионов
4.1. Общие сведения
4.1.1. Введение
4.1.2. Особенности взаимодействия низкоэнергетических ионов с поверхностью
4.1.3. Радиационные дефекты на поверхности графита
4.1.4. Постановка задачи
4.2. Результаты эксперимента и их обсуждение
4.2.1 Методика эксперимента

4.2.2. Результаты СТМ измерений
4.2.3. Идентификация дефектов
4.3. Выводы к Главе
Глава 5. Многослойные структуры в системе Cu(l 11 )/
5.1. Кристаллография поверхности при адсорбции
5.1.1. Классификация поверхностных структур
5.1.2. Рисунок Муара (Moiré pattern)
5.1.3.Поверхностное напряжение и способы его релаксации
5.1.4. Выбор модельной системы
5.2. Адсорбция йода на Cu(l 11)
5.2.1. Анализ работ по адсорбции йода на Cu(l 11)
5.2.2. Постановка задачи
5.2.3. Приготовление объекта исследования и методика измерений
5.3. Субмонослойное покрытие йода
5.3.1. Треугольные нанообъекты
5.3.2. Структурная модель и механизм формирования треугольных нанообъектов
5.4. Эпитаксиальный рост йодида меди
5.4.1. Зарождение островков
5.4.2. Тонкая пленка
5.4.3. Толстая пленка
5.4.4. Структура интерфейса Cul( 111 )/Cu(111)
5.5. Выводы к главе
Заключение
Список литературы

решетки. Получающаяся таким образом картина дифракции и является изображение поверхностной обратной решетки.
Само существование точечной дифракционной картины указывает на
(04) (0.4(02) (01) (00) (01) (02) (03) (04)
Сфера Эвальда
Стержни
обратной
решетки
-4Rs-38. 2я,-8, 0 g« 2g, 3g, 4}j,
Рис.1.10. Построение Эвальда для электронов падающих нормально на поверхность.
наличие упорядоченной поверхности и дает прямую информацию о симметрии подложки [21]. Отметим также, что симметрия расположения поверхностных атомов не может быть выше симметрии установленной с помощью ДМЭ. Истинная поверхностная структура может обладать более низкой симметрией, например, при наличии на поверхности различно ориентированных доменов.
1.5.2. Трехсеточный анализатор электронов
В нашем случае дифрактометр медленных электронов представлял собой коммерческий прибор производства Vacuum Generators с трехсеточным анализатором электронов. Принцип работы анализатора представлен на Рис. 1.11. Электронная пушка создает на мишени пучок электронов с силой тока около 1 мкА в диапазоне энергий 20-300 эВ. Электроны, рассеянные или излученные образцом, движутся прямолинейно в области, где нет поля, к