Исследование радиационно-оптических свойств нестехиометрических фаз M/1-x R/x F/2+x со структурой флюорита

• Автор: Рустамов, Якуб
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Ташкент
• Количество страниц: 120 c. : ил

В В Е Д ГЛАВА I

Глава II

Е Н И Е
. ОСНОВНЫЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ И РАДИАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СТРУКТУР ТИПА ФЛЮОРИТА (ОБЗОР).... 9 .1. Основные физико-химические свойства фторидов кальция, стронция и бария и некоторые сведения о смешанных фторидных кристаллах на
их основе
.2. Собственные и примесные локальные центры и их оптические характеристики в структурах типа флюорита

.2.1. Собственные структурные дефекты и центры окраски в решетке типа флюорита

.2.2. Примеоные локальные центры

.2.3. Оптические характеристики кристаллов

и мм.*
.3. Радиационно-стимулированные явления в щелочноземельных фторидах
.3.1. Радиационное дефектообразование в щ.з.ф
.3.2. Окислительно-восстановительные процессы в щ.з.ф.
в поле ионизирующего излучения
.3.3. Радиационное окрашивание кристаллов щ.з.ф
.4. Цель и задачи исследования
:. КРИСТАЛЛЫ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ и МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Л. Получение кристаллов M/-x^x^fx
.2. Нахождение условий перевода самария и иттербия в трехвалентное состояние при их высоких концентрациях в кристаллах М j_x R# ^ 2+х

Глава III
ГЛАВА
З А К Л ЛИТ
2.3. Методика облучения
2.4. Экспериментальные установки
. РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННАЯ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОВ
3.1. Спектральные характеристики гамма-люминесцен-ции кристаллов А1,-хЯкЬ+х
3.2. Температурные зависимости гамма-люминесценции кристаллов ^/~Х^Х + Х
3.3. Дозные и концентрационные характеристики гамма-люминесценции кристаллов ^х ^Х+х •
У. РАДИАЦИОННОЕ ОКРАШИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ МРх+х ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЯДЕРНЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ
4.1. Радиационное окрашивание кристаллов М(.ХРЛ Рі+х при ^ - облучении
4.2. Радиационное окрашивание криоталлов М/-х^х^/х под действием излучения дефектообразующей радиации
4.2.1. Эффекты электронного и протонного облучения кристаллов МҐКИХР2+Х
4.2.2. Эффекты нейтронного облучения кристаллов
М,-Х /?х Р
4.3. Основные закономерности радиационно-стимулированных процессов в кристаллах М,-Х«Х Р2+х
ЮЧЕН И Е
Р А Т У Р А

Актуальность проблемы. Среди новых перспективных для науки и техники кристаллических материалов последнего десятилетия в настоящее время широко изучаются и находят все большее применение монокристаллы нестехиометрических фаз со структурой флюорита с общей формулой М |-х Rx ?2+х ( M~LaJSryBa ; R~ У и
редкоземельные элементы; X -мольная доля R F3 ) / I /.
Благодаря широкой области пропускания света от вакуумного ультрафиолета (УФ) до инфракрасной (ИК) части спектра кристаллы М |_х Rx F2+x находят наибольшее применение в качестве материала для оптических элементов как в обычных приборах, так и в приборах, работающих непосредственно в поле ядерного излучения. Эти материалы также перспективны как активные элементы оптических квантовых генераторов (0КГ> / 2-3 /, преобразователей ИК излучения в видимый свет / 4 /, как твердые электролиты с высокой фтор-иояяой проводимостью / 5 /, как конструкционные материалы в ИК технике /I, 6 /. Кристаллы на основе СоР2 и BaFz могут быть применены как диэлектрики, работающие в вакуумных системах в радиационных полях для улучшения вакуума / 6 /, а также как фотохромные материалы / 7-8 /.
Перспективы широкого использования этих материалов в радиационных полях требуют сведений об их поведении под воздействием ядерных излучений, знания характера протекающих в материале радиационно-стимулированных процессов, постэффектов воздействия радиации, идентификации факторов, определяющих радиационные свойства.
На основе получения таких данных возможно рассмотрение вопроса о способах устранения радиационно-наведенных изменений физических характеристик и целенаправленного изменения, напри-

Рис. 3.1. Спектры ГЛ кристаллов Рис.3.2. Спектры ФЛ кристаллов Са,-Х Сех р2 + х (а), Ра 1-х Вр* Рх+х
5г,-хСе*^ + л (б), при ЛЛу^лЗЮ нм (а)
&а,-х Се* Р2 + х (в) и при 71йо3^325 нм (б),
$Г1-кСехВх+х при Д803,5.^ 320 нм (в) и Ва 1—х Се* Рг + х
при иозбГ 330 нм (г)