Исследование синтеза монокристаллических пленок системы кремний-фосфид галлия в вакууме

• Автор: Бзинковская, Ирина Сигизмундовна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 157 c. : ил

СОДЕРЖАНИЕ '

ГЛАВА I. СВОЙСТВА, ПРИМЕНЕНИЕ И ОСОБЕННОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ФОСФИДА ГАЛЛИЯ

§ I. Свойства и использование тонких пленок

баР (обзор литературы). . . ,

§ 2. Основные результаты исследований по синтезу пленок фосфида галлия на кремнии, фосфиде галлия и сапфире

2.1. Методы получения тонких пленок фосфида

галлия

2.2. Условия формирования пленок с заданными свойствами

2.2.1. Требования к поверхности роста

2.2.2. Роль остаточной среды

2.3. Очистка поверхностей подложни и источника

перед конденсацией пленок
§ 3. Обоснование выбора метода синтеза тонких
эпитаксиальных пленок и постановка задачи
Глава II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
§ I. Особенности технологии метода вакуумной
конденсации
1.1. Техника вакуумной конденсации
1.2. Условия синтеза пленок фосфида галлия
1.3. Устройства для конденсации эпитаксиальных структур на основе ваР} 5/ 1 сапфира
§ 2. Предэпитаксиальная подготовка подложек. . 4
2.1. Выбор материала

2.2. Подготовка источников и подложек
2.3. Контроль температуры
§ 3. Создание рабочих структур
§ 4. Электронографичесние, оптические и электрофизические методы измерений параметров исследуемых с трун тур
Основные результаты и выводы к главе П
Глава III. СВОЙСТВА ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЯ ПОСЛЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОБРАБОТКИ В ВЫСОКОМ ВАКУУМЕ
§ I. Предэпитаксиальная подготовка поверхности и исследование электрических свойств приповерхностной области of подложек
1.1. Кинетика образования р-слоя
1.2. Профиль концентрации элентричесни активной примеси в кремнии
1.3. Подвижность носителей заряда
1.4. Струнтура и примесный состав приповерхностной области
§ 2. Механизм образования р-слоя
§ 3. Теоретический анализ профиля распределения
примеси
§ 4. Применение высокотемпературной обработки
для создания приборных структур
Основные результаты и выводы к главе Ш

Глава IV. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТОВ ПО СИНТЕЗУ ПЛЕНОК
ФОСФИДА ГАЛЛИЯ И КРЕМНИЯ
§ I. Свойства барьерных структур на фосфиде
галлия
§ 2. Эпитаксиальные пленки, структура и свойства
2.1. Исследование переходной области
2.2. Гомоэпитаксиальные пленни фосфида галлия
2.3. Гетероструктуры 6гаР/иР’ и 5//(9аР
Основные результаты и выводы к главе 1У
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБЩИЕ ВЫВОДЫ
Заключение
Л'итература

нН@—<<*
„ ЯГ,П І ЦЄПЬ
К01 смещения ій

С-У
Термостат
1-У
'^Лва-диод
: і?
С-У
Рис.2.9. Электрическая схема для снятия (1-І/ ) и
( С - V ) характеристик.