Фотостимулированные процессы испарения и десорбции с поверхности сульфида и селенида кадмия

• Автор: Туриев, Анатолий Майранович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 176 c. : ил

Глава I. МЕХАНИЗМЫ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ, ПРИВОДЯЩИЕ К ДЕСОРБЦИИ И ИСПАРЕНИЮ
1.1. Тепловое действие света
1.1.1. Характеристики светового воздействия
1.1.2. Профили температуры при нагреве лазерным импульсом
1.1.3. Десорбция, стимулированная тепловым действием света
1.1.4. Энергетические распределения десорбируемых частиц
Х.2. Фотоактивное действие света
1.2.1. Адсорбционное равновесие на поверхности полупроводника
1.2.2. Экспериментальные результаты исследования фотодесорбционного процесса
1.2.3. Основные положения модели хемосорбции и фотодесорбции для системы СсСЬ - 0^
1.2.4. Энергетические распределения фотодесорбируемых частиц
1.2.5. Основные механизмы фотодесорбционных процессов с поверхности полупроводников при лазерном возбуждении
1.3. Заключение и постановка задачи
г з
Глава 2. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ И ОПИСАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ
УСТАНОВКИ
2.1. Описание экспериментальной установки
2.1.1. Вакуумная часть
2.1.2. Схема и принцип действия экспериментальной установки
2.2. Общая характеристика масс-спектров нейтральных и заряженных частиц, слетающих с поверхности
при воздействии лазерного излучения
2.3. Анализ времяпролетных распределений нейтральных
частиц
2.4. Выводы
Глава 3. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ИСПАРЕНИЯ СУЛЬФИДА И СЕЛЕНИДА
КАДМИЯ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ЛАЗЕРНОГО ИМПУЛЬСА
3.1. Зависимость формы распределения от интенсивности
светового импульса
3.2. Угловая зависимость энергетических распределений
частиц, испаряемых с поверхности сульфида кадмия
3.3. Некоторые выводы о механизме испарения соединений СоіВ и Соі 5е при возбуждении лазерным излучением
3.4. Выводы
Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕСОРБЦИИ ГАЗОВЫХ МОЛЕКУЛ С
ПОВЕРХНОСТИ Соі В И С&Ве
4.1. Закономерности десорбции молекул С02, 1^0,
и атомов О, С
4.2. Закономерности десорбции молекул кислорода
4.2.1. Общая характеристика времяпролетных распределений молекул

4.2.2. Изменение формы распределений в зависимости
от энергии возбуждающего кванта
4.2.3. Угловые зависимости распределений
4.3. Закономерности десорбции молекул окиси
углерода
4.3.1. Общая характеристика времяпролетных распределений молекул СО
4.3.2. Зависимость формы распределения от энергии кванта и угла десорбции
4.4. Некоторые выводы о механизме фотодесорбции кислорода с поверхности сульфида и селенида кадмия
4.5. Выводы
Заключение
Литература

го импульса, совсем немногочисленны. Это, вероятно, определяется большими техническими трудностями, связанными с регистрацией во времяпролетной методике слабых сигналов, обусловленных небольшим количеством десорбируемых газовых молекул (по сравнению с количеством частиц собственного материала образца). Можно упомянуть работы /10, II/, в которых измерены энергетические распределения молекул //0 с поверхности АЕг 03 и молекул С02, Н20, СО, 02 с поверхности нержавеющей стали (рис. 1.6). Существенными выводами этих работ является доказательство нетермической природы десорбции: энергетические распределения отличаются от
максвелловских, десорбируемые частицы имеют средние энергии не соответствующие температуре поверхности образца.
1.2.5. Основные механизмы фотодесорбшонных процессов с поверхности полупроводников при лазерном возбуждении.Проведен-ный анализ литературы показывает, что исследования энергетических распределений частиц, десорбируемых под действием лазерного импульса, только начинаются. Однако появились работы, ^ которых обсуждаются возможные механизмы фотодесорбции с полупроводников под действием лазерного освещения. Исходным пунктом этих моделей является утверждение о возбуждении в полупроводнике электроннодырочной плазмы высокой плотности. Затем электронно-дырочная плазма взаимодействует с поверхностной частицей, в результате этого взаимодействия ей передается энергия и происходит десорбция с поверхности, причем средняя энергия десорбируемых частиц определяется условиями энергопередачи на поверхности. Различные модели отличаются конкретными механизмами взаимодействия частиц с электронно-дырочной плазмой полупроводника.
В работе /15/ для описания процесса десорбции с поверхности