Термоэлектрические свойства и электронное строение тугоплавких соединений переходных элементов

• Автор: Горячев, Юрий Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Киев
• Количество страниц: 424 c. : ил

ГЛАВА I. Анализ современного состояния проблемы и

постановка задачи

ГЛАВА 2. Методика исследования термоэлектрических свойств и электронной структуры соединений переходных элементов

2.1. Общая характеристика анализа процессов переноса

2.2. Методика анализа электро- и теплопереноса в полупроводниках со сложным электронным строением

2.3. Расчет электронного энергетического спектра

2.4. Общая характеристика исследуемых объектов

ГЛАВА 3. Методы направленного изменения термоэлектрических

свойств исследованных соединений

3.1. Регулирование свойств в области гомогенности при

отклонении систем от стехиометрического состава

3.2. Легирование
3.3. Формирование оптимальных микроструктур образцов и использование явления анизотропии термоэлектрических свойств
ГЛАВА 4. Халькогениды
4.1. Халькогениды стехиометрического состава
4.2. Халькогениды в области гомогенности при отклонении составов от стехиометрических
4.3. Легированные халькогениды
ГЛАВА 5. Пниктиды
5.1. Пниктиды стехиометрического состава
5.2. Легированные пниктиды
ГЛАВА 6. Силициды

6.1. Силициды стехиометрического состава
6.2. Нестехиометрические и легированные силицида
ГЛАВА 7. Борида
7.1. Гексаборида стехиометрического состава
7.2. Легированные гексаборида
ГЛАВА 8. Обсуждение результатов
8.1. Основные закономерности изменения свойств в систематизированных группах полупроводниковых соединений
8.2. Влияние дефектов на термоэлектрические свойства
8.3. Общее рассмотрение результатов работы
ГЛАВА 9. Рекомендации по использованию результатов работы
9.1. Рекомендации научного характера
9.2. Рекомендации новых технических материалов и критерии
их эффективности
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ
П.1. Решение уравнений для определения влияния дефектов
на концентрацию носителей тока
П.2. Вычисление коэффициента теплопроводности при сложном
процессе теплопереноса
П.З. Вариант расчета электронного спектра и параметров
электронной структуры с применением самоеогласующего
подбора потенциала (ГО-ЛКАО ССП)
П.4. Расчет параметров электропереноса в различных моделях сложной зоны
П.5. Расчет параметров упруго-динамического состояния
П.6. Вывод основных соотношений в комплексном представлении термоэлектрических свойств
П.7. Некоторые предварительные данные по тензорности и

комплексности термоэлектрических свойств соединений переходных элементов
П.8. Решение сложных систем уравнений для определения
параметров электропереноса по двухзонной модели
П.9. Вывод основных соотношений по критериям эффективности терморезисторных материалов
П.10. Методика расчета деталей влияния зернистости на
электропроводность поликристаллических образцов
П.П. Представление сложной электронной зоны в виде
суперпозиции стандартных зон
П.12. Вычисление коэффициентов парной корреляции и аппроксимирующего многочлена (многофакторный анализ)
П.13. О сходимости рядов параметров электронной структуры в многокластерном варианте ГО-ЛКАО
П.14. Отзывы заинтересованных организаций

альных объектов с присущими им дефектами и другими отклонениями от идеальных кристаллических структур. Это обусловлено тем обстоятельством, что этот метод в принципе не нуждается в привлечении в исходный базис блоховских функций, корректно реализуемых только в идеальных кристаллических системах. Этим методом удобно рассчитывать неупорядоченные сплавы, поверхностные состояния, дефекты упаковки, точечные дефекты и т.п.
Метод ГО-ЖАО нами практически реализован и доведен до численных результатов при расчете электронных структур металлов /131-134/, карбидов /135-137/, боридов /138-142/, пниктидов /141,143/, силицидов /144,145/, халькогенидов /75,146/. Полученные результаты сопоставлены как с непосредственными экспериментальными спектральными исследованиями, так и с данными по параметрам электропереноса в исследованных системах. Б большинстве случаев были получены вполне корректные соответствия.
Практически метод ГО-ЖАО в наших исследованиях осуществлялся, как правило, на уровне полуэмпирического метода в рамках одноэлектронного приближения с учетом экранизирующего влияния всей совокупности остальной части электронов. Матричные элементы в общем случае рассчитывались через диагональные матричные элементы о учетом интегралов перекрывания:
Н1Ь = К<'МН1'С:>, ) ;
. 1 ✓ ч А СЧ>- 1Ч>1,> (2.28)
н1к- <чнтч>-з(нц*н№) •
Размытие дискретного спектра Е^ в непрерывный производилось с учетом соотношения неопределенности
А |Э Д X > К- ,
где величина ЛЖ приравнивалась к средним линейным размерам фрагмента, а из неопределенности импульса д|р определялась не-