Состояния позитронов в дефектных щелочногалоидных кристаллах

• Автор: Нурмагамбетов, Сергей Байдушевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 171 c. : ил

ГЛАВА I. ПОЗИТРОН В ИДЕАЛЬНОМ ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНОМ КРИСТАЛЛЕ. 12 § І.І Модель связанного состояния позитрона с отрицательными ионами галоидов [бі]

§ 1.2 Зонный спектр состояний позитрона в ЩГК

§ 1.3 Диффузия позитрона в идеальной решетке ЩГК

ГЛАВА 2. СВЯЗАННЫЕ СОСТОЯНИЯ ПОЗИТРОНА С ПРОСТЕЙШИМИ

ДЕФЕКТАМИ В ЩГК '*

§ 2.1 Атом позитрония вблизи дефектов сферической

формы

§ 2.2 Учет дипольного взаимодействия вакансии с

атомом позитрония

§ 2.3 Связанное состояние позитрона Я-центром

§ 2.4 "Позитрон-экситонный" комплекс вблизи

катионной вакансии
§ 2.5 Магнитное тушение позитрониевых состояний [105}
ГЛАВА 3. ОСОБЕННОСТИ КИНЕТИКИ ПРОЦЕССА АННИГИЛЯЦИИ
ПОЗИТРОНОВ В НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЯХ и
§3.1 Теория А. Лее^е ц’а кинетики процесса аннигиляции позитрона в металлах и ее применение к анализу экспериментальных
данных
§ 3.2 Обобщение теории 0. $еед.ея »а на случай
неметаллов
§3.3 Вопросы разделения аннигиляционных спектров

ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ I. ВЛИЯНИЕ РЕЗКОГО ПАДЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА НА
ДВИЖЕНИЕ ЧАСТИЦЫ
ЛИТЕРАТУРА

В настоящее время проблема радиационной стойкости является одной из особенно актуальных проблем физики твердого тела. Это связано с потребностью современного производства, в частности, ядерной энергетики и вычислительной техники в материалах определенным образом реагирующих на облучение. Создание материалов с заданными свойствами относительно действия радиации приводит к необходимости более досконального изучения процесса дефектооб-разования в твердых телах, и, вместе с этим, к развитию новых методов исследования радиационных дефектов кристаллов, которые могут дать дополнительную, а порой и уникальную информацию о внутреннем строении исследуемых веществ.
Одним из таких методов является метод электрон-позитронной аннигиляции (ЭПА), высокая чувствительность которого к изменению как концентрации дефектов, так и их типа убедительно подтверждается результатами многочисленных экспериментальных исследований [1] . Это позволяет считать имплантированный позитрон своеобразным зондом, позволяющим провести детальным образом исследование несовершенств кристаллического строения изучаемого образца. Однако, в связи с тем, что информация, получаемая посредством этого метода, как и другими современными экспериментальными методами, требует дополнительной математической обработки и расшифровки, то для успешного применения ЭПА к исследованию дефектности твердых тел требуются достоверные теоретические модели, описывающие движение позитрона в дефектном кристалле.
За время развития метода ЭПА, а этот период охватывает почти три десятилетия, было достаточно подробно теоретически исследовано поведение позитронов в кристаллической решетке металлических соединений. Это обусловлено их большим значением в технике,

этому экспериментальные значения коэффициента диффузии позитрона позволили бы определить достоверность тех или иных приближений.