Сегнетоэластический фазовый переход в калий-кадмиевом лангбейните

• Автор: Поздеев, Владимир Григорьевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Днепропетровск
• Количество страниц: 167 c. : ил

ГЛАВА I. СЕГНЕТОЭЛАСТИКИ И СТРУКТУРНЫЕ ФАЗОВЫЕ
ПЕРЕХОДЫ В ЛАНГБЕЙНИТАХ
1.1. Кристаллофизическое определение
сегнетоэластиков
1.2. Общая характеристика кристаллов-лангбейнитов
1.3. Структура и физические свойства
кристаллов Ш и КМ8
ГЛАВА 2. ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КС Б
2.1. Фазовая диаграмма квазибинарной системы
К2Ц - 0^80/,
2.2. Выращивание монокристаллов ш
2.3. Идентификация выращенных монокристаллов
2.4. Приготовление образцов
ГЛАВА 3. ТЕОРЕТИКО-ГРУППОВОЙ АНАЛИЗ ФАЗОВЫХ
ПЕРЕХОДОВ В ЛАНГБЕЙНИТАХ ,
3.1. Неприводимые нагруженные представления пространственной группы Т4
3.2. Фазовые переходы в семействе лангбейнита
3.3. Феноменологическая теория фазового
перехода Т* -
3.4. Вычисление температурных зависимостей физических констант в районе фазового перехода
ГЛАВА 4. ОПТИЧЕСКИЕ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КС5
4.1. Характеристика оптических свойств
4.2. Естественное двупреломление ш

4.3. Связь спонтанной деформации с оптическими свойствами
4.4. Ориентационные состояния в К.Св
4.5. Диэлектрические свойства ксв
ГЛАВА 5. УПРУГИЕ СВОЙСТВА КС8
5.1. Упругие податливости кристаллов ш
5.2. Электромеханические свойства ш
5.3. Модули упругости кристаллов ш
5.4. Измерение температурных зависимостей
модулей упругости КС&
5.5. Аномалии упругих модулей в районе
фазового перехода
ГЛАВА 6. КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА В
КРИСТАЛЛАХ ш
6.1. Методика измерений
6.2. Анализ фундаментальных колебаний
6.3. Колебательные спектры КС8 в
ромбической фазе
6.4. Изменение спектров КР с температурой
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Актуальность темы. Исследование фазовых переходов в кристаллах представляет собой одну из фундаментальных задач физики твердого тела. С одной стороны такие исследования позволяют получить дополнительную информацию о природе конденсированного состояния, с другой стороны особенности поведения твердых тел вблизи точки фазового перехода открывают возможности их широкого практического применения.
До недавнего времени наиболее интенсивно исследовались сегнетоэлектрические и ферромагнитные переходы. Однако теоретические и экспериментальные исследования последних лет позволяют говорить о существовании другого важного класса фазовых переходов, а именно, сегнетоэластических или ферроупру-гих переходов.
Сегнетоэластические свойства кристаллов изучались и ранее, но как сопутствующие сегнетоэлектрическим или ферромагнитным. Первый случаи реализуется, например, в кристаллах сегнетовой соли [1,2] , дигидрофосфате калия [3,4] , титана-те бария [5-7J ; второй в ^-Ре203 [8] , Ре30^ [9] . Существуют кристаллические структуры, в которых одновременно наблюдаются сегнетоэлектрические, ферромагнитные и сегнетоупру-гие свойства. Примером такого класса кристаллов является борацит У1Д3 В70о 0 [10] .
С введением концепции сегнетоэластиков [II] и выделения их в самостоятельный класс кристаллических твердых тел возникает необходимость систематического исследования кристаллов,

Сигнал разбаланса между э.д.с. термопары и заданным эталонным напряжением с выхода ПМПТ-1 поступает на вход самодельного усилителя постоянного тока ( УПТ ), собранного по дифференциальной схеме на базе микросхемы К1УТ401Б. Напряжение с выхода УПТ поступает на вход тиристорного регулятора напряжения РНТО-73. Величиной напряжения на входе РНТО-73 определяется угол отсечки, а следовательно, и действующее значение тока в нагрузке, которой является электропечь. Такое устройство позволяет поддерживать необходимую температуру с точностью 0,1 К в течение нескольких суток.
Синтез шихты проводился по технологии аналогичной приготовлению образцов для ДТА.
Выращивание кристаллов из избытка какой-либо компоненты во многом аналогично выращиванию из раствора в расплаве. Этому методу присущи малые скорости вытягивания и большие скорости вращения затравки, так как в любой многокомпонентной системе, а тем более в расплавах, затруднена диффузия выращиваемой компоненты к месту контакта затравки с расплавом [87] . Скорость вытягивания в этом случае обусловлена скоростью диффузии, а большие скорости вращения затравки необходимы для эффективного перемешивания расплава.
При больших скоростях вытягивания наблюдается поликрис-таллический рост с включениями инородной фазы. Малые скорости вытягивания приводят к значительному механическому двои-никованию растущего кристалла, а также существенно увеличивают время выращивания.
Скорость вращения затравки выбиралась из условия оптимального перемешивания расплава. Однако она не должна быть слишком велика, так как при больших скоростях вращения часто