Роль рекомбинационных процессов в возникновении экзоэлектронной эмиссии ионных кристаллов

• Автор: Соркин, Борис Шмерель-Александрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Тарту
• Количество страниц: 205 c. : ил

СОКРАЩЕНИЯ И ОБОЗНАЧЕНИЯ
1. ВВЕДЕНИЕ
2. ЭК30ЭЛЕКТР0ННАЯ ЭМИССИЯ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ (ОБЗОР)
2.1. Экэоэлектронная эмиссия - общие понятия и определения
2.2. Экэоэлектронная эмиссия радиационно-возбужденных ионных кристаллов
2.2.1. Воздействие ионизирующей радиации на ионные кристаллы
2.2.2. Термостимулированная электронная эмиссия
2.2.3. Фотостимулированная электронная эмиссия
2.2.4. Возможная роль рекомбинационных процессов в экзоэмиссии
3. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
3.1. Вводные замечания
3.2. Установка для исследования фотостимулированной электронной эмиссии при ультрамягком рентгеновском возбуждении
3.3. Установка для исследования экзоэлектронной эмиссии
при жестком рентгеновском возбуждении
3.4. Получение ювенильных поверхностей в вакууме ..•••••
3.5. Масс-анализатор (электронный фильтр) эмиттируемых частиц
3.6. Плоский сеточный энергоанализатор эмиттируемых частиц

3,7. Изучаемые объекты
4. ПРОЦЕССЫ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ФОТОСТИМУЛИРОВАННОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ УЛЬТРАМЯГКИМ РЕНТГЕНОВСКИМ ИЗЛУЧЕНИЕМ
4Л. Вводные замечания
4.2. Экспериментальные результаты
4.2.1. Характер фотостимулированной электронной эмиссии СФСЭЭ) и природа центров ФСЭЭ
4.2.2. Спектры возбуждения фотостимулированной электронной эмиссии
4.3. Анализ спектров возбуждения фотостимулированной электронной эмиссии на основе феноменологической
модели
4.3.1. Феноменологическое описание спектров возбуждения фотостимулированной электронной эмиссии SCkv)
4.3.2. Сопоставление с экспериментом
4.4. Поверхностные потери энергии
4.5. Сопоставление феноменологического описания с диффузионной моделью фотостимулированной электронной эмиссии
5. ЭК30ЭЛЕКТР0ННАЯ ЭМИССИЯ, СОПРОВОЖДАЮЩАЯ РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ
5.1. Вводные замечания
5.2. -пики термостимулированной электронной эмиссии
5.3. Природа эмиттируемых частиц
5.4. Возможные механизмы появления рекомбинационной термостимулированной эмиссии
5.4.1. Хемоэмиссионный механизм
5.4.2. Реабсорбционный механизм
5.4.3. ^-индуцированная Оже-эмиссия

5.5. Рекомбинационная фотостимулированная электронная эмиссия
5.6. Возможности практического применения результатов работы
6. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Уплотнение привода затвора (4) заменено на фторопластовое, а масляная смазка привода - на порошок реакторного графита.
3.3.3. Образцы возбуждаются рентгеновской радиацией через Ве окно (2, рис. 10а) от установки УРС-55а с вольфрамовым
анодом (17) с максимальным режимом 55 кВ и 20 мА (расстояние от анода до кристаллодержателя 90 мм; мощность дозы, определенная с помощью ионизационной камеры /171/ ^ 80 Р/с) или светом 1,0-^ Лу ^ 6,0 эВ от ксеноновой лампы ДКсШ-1000 (16)
через монохроматор ЗМР-З (14) и окно (10) или от искрового генератора ИГ-3 с -электродами через окно (10) или ртутной лампой СВД-І20А от источника света 0И-І7 через окно (4).
Термостимуляция проводится путем квазиравномерного нагрева кристалла подбором вручную от автотрансформатора режима питания печки электронагревателя (15, рис. 9а). Средняя скорость нагрева около 0,3 К/с. Метки температуры наносились подачей импульсов напряжения на вход самописцев (5, 9, рис. 10а,б).
Фотостимуляция проводилась аналогично возбуждению от лампы ДКсШ-1000 (16) через монохроматор ЗМР-З (14) (рис. Юа).
Интенсивность света в числе квантов в секунду на выходе монохроматора ЗМР-З измерялась с помощью фотоэлемента Ф-5 (13), калиброванного по термостолбику фирмы Кипп (Голландия), чувствительностью I,15‘1СГ^ В/Вт»м^.
3.3.4. Система измерения электронной эмиссии (рис. 10) состоит из детектора ВЭУ-0Т-8М в режиме счета электронов и стандартной схемы счета и дискриминации импульсов ВЭУ /172/ (2-5, рис. 106). Для улучшения фокусировки электронов первый динод ВЭУ был повернут на^20° против часовой стрелки (см. рис, 9а).
Эффективность счета электронов по /173/ близка к единице.