Радиационная и термическая стойкость структуры некоторых кислородосодержащих кристаллов

• Автор: Погосова, Ирина Сергеевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 117 c. : ил

Глава I. Обзор литературы

§ 1.1 Рассеяние рентгеновских лучей на преимущественных дефектах в облученных кристаллах
§ 2.1 0 критерии радиационной неустойчивости структуры в кристаллах с ионно-ковалентными связями
§ 3.1 Влияние примесей на термодинамические характеристики неметаллических кристаллов и на кинетику образования и отжига

радиационных дефектов

§ 4.1 Устойчивость кристаллической структуры

кварца при нагреве и облучении. Влияние примесей на термодинамические характеристики кварца

Глава II.Методика эксперимента.

§ 1.П Аппаратура и методы исследования

§ 2.П Выбор условий облучения

§ З.П Получение монокристаллов и приготовление

образцов для исследования
Глава III. Влияние примесей на устойчивость кристаллической структуры ИёО, и с/ - ВЮ.
1 %
к воздействию радиации.
§ 1.Ш Рентгендифракционные эффекты в нагретых и в облученных кристаллах с различным содержанием примесей

§ 2.Ш Влияние примесей на радиационно-индуцированное изменение кристаллической
структуры кварца
Глава IV. Влияние облучения и нагрева на структуру №Н03 и НаН02
§ 1.1У Рентгендифракционные эффекты в нагретых ив/-облученных кристаллах ДёМ03
§ 2.1У Влияние / -облучения и нагрева на кристаллы НаИО^
Заключение и выводы
Литература

В период интенсивного развития ядерной энергетики и космонавтики проблема воздействия излучения на структуру кристаллов является одной из актуальных проблем радиационной физики и физики твердого тела.
Различные виды радиации при взаимодействии с веществом вносят прежде всего дефекты в строение кристалла. Основными радиационными дефектами являются точечные дефекты типа френкелевских пар, хотя имеются данные об образовании дислокаций и более сложных дефектов. При определенной концентрации и расположении точечных дефектов происходит смещение атомов как в локальных областях, так и во всем объеме кристалла, что может привести к изменению его структуры. В целом ряде веществ при облучении действительно была обнаружена полная перестройка кристаллической структуры, не связанная с аморфизацией и распадом исходного соединения.
Во всех неметаллических кристаллах, в которых наблюдалось полное изменение структуры под действием облучения перестройка идет по высокотемпературному типу: состояния, возникающие в кристаллах на определенном этапе облучения, по симметрии и параметрам элементарной ячейки близки к высокотемпературной модификации необлученного кристалла.
Радиационно-индуцированные структурные состояния устойчивы не только при комнатной, но и при более высоких температурах. Это позволяет надеяться на возможность направленного изменения физических свойств кристаллов и получения новых свойств при образовании принципиально новых структурных состояний. Поэтому систематическое изучение изменений кристаллической структуры под действием радиации и факторов, способствующих или по-

{3 (3’ | *.
О • 4 . *
0), ¥ *
• •.* •
• • # # •

20°С

460°С
Рис. 2 Изменение соотношения интенсивностей лауэвских максимумов при нагреве монокристаллов БЬЕЬО