Оптические свойства электрон-фононных систем

• Автор: Субавиев, Арсен Ваганович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 296 c. : ил

ВВЕДЕНИЕ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ДИССЕРТАЦИИ
ГЛАВА I. ЕЯИЯНИЕ ЭЛЕКТРОН-ФОНОШОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЕА СПЕКТР ДЛИННОВОЛНОВЫХ ОПТИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ РЕШЕТКИ В МЕТАЛЛАХ И
СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
1.1. Проблема электрон-фононного взаимодействия
в теории полупроводников и металлов
1.2. Гамильтониан взаимодействия электронов с оптическими колебаниями решетки в
гомеополярных полупроводниках и металлах
1.3. Случай слабого электрон-фононного взаимодействия
1.4. Случай сильного электрон-фононного взаимодействия
1.5. Влияние релаксации электронов на спектр длинноволновых оптических фононов
1.6. Обсуждение экспериментальных результатов
1.7. Взаимодействие оптических фононов с электронами гомеополярного полупроводника
в квантующем магнитном поле
1.8. Выводы
Глава II. ЭФФЕКТЫ ЭЛЕКТРОН-ФОНОШОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ
В ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ КАПЛЯХ
2.1. Введение
2.2. Влияние кристаллической решетки на равновесную форму электронно-дырочных капель

2.3. Притяжение электронно-дырочных капель
к поверхности кристалла
2.4. Деформационная масса электронно-дырочной
капли
2.5. Сила трения, обусловленная черенковским излучением звуковых волн движущейся электронно-дырочной каплей
2.6. Температура движущейся электронно-дырочной
капли
2.7. Сила трения, обусловленная некогерентным ~v' й взаимодействием электронов и дырок капли
с фоконами
2.8. В ы в о д ы
Глава III. РАССЕЯНИЕ СВЕТА ЭЛЕКТРОНАМИ МЕТАЛЛОВ И
СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
3.1. Комбинационное рассеяние света в непрозрачных кристаллах
3.2. Рассеяние света электронами металлов и
полуметаллов со сложной поверхностью Ферми
3.3. Влияние релаксации электронов на спектр электронного комбинационного рассеяния
3.4. Сравнение с экспериментом
3.5. Рассеяние света нуль-звуковыми колебаниями
в полупроводниках
3.6. Выводы
Глава IV. КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА ФОНОНАМЙ В
МЕТАЛЛАХ И СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
4.1. Особенности фононного рассеяния сьета в
металлах и полупроводниках

4.2. Рассеяние света в металлах и сильно легированных
полупроводниках с простой зонной структурой .
4.3. Влияние свободных носителей на комбинационное
рассеяние света в полупроводниках со сложной
зонной структурой
4.4. Сравнение с экспериментом
4.5. Выводи
Глава V. ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ОТРАЖАЮЩЕМ
ПРИПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ
5.1. Оптические свойства неоднородного
переходного слоя
5.2. Комбинационное рассеяние света в
неоднородном отражающем слое
5.3. Генерация второй гармоники в отражении
от неоднородного слоя конечной толщины
5.4. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЯ
I. К ВЫЧИСЛЕНИЮ ПОЛЯРИЗАЦИОННОГО ОПЕРАТОРА ФОНОНОВ
В СЛУЧАЕ МНОГОДОЛИННОГО ПОЛУПРОВОДНИКА
П. СЕЧЕНИЕ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА
В НЕПРОЗРАЧНЫХ КРИСТАЛЛАХ
Ш. ВЫЧИСЛЕНИЕ КОРРЕЛЯТОРА ФЛУКТУАЦИЙ ЭФФЕКТИВНОЙ МАССЫ
В СЛУЧАЕ СЛАБОГО ЭЛЕКТРОННОГО РАССЕЯНИЯ
1У. О РЕШЕНИИ ИНТЕГРАЛЬНОГО УРАВНЕНИЯ ТИПА УРАВНЕНИЯ
СТИЛЬТЬЕСА
У. О ВЫЧИСЛЕНИИ КОНСТАНТ ДЕФОРМАЦИОННОГО ПОТЕНЦИАЛА ДЛЯ КРИСТАЛЛОВ СО СТРУКТУРОЙ АЛМАЗА МЕТОДОМ ПСЕВДОПОТЕНЦИАЛА
СПИСОК ТРУДОВ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ
ЛИТЕРАТУРА

менателя ~ 1ьд 0^ 0^ связано с существованием у опера-

тора Г нулевого собственного числа.
В другом предельном случае | » т*.е* ПРИ
С^« X кулоновское межэлектронное взаимодействие полностью экранирует колебания электронной плотности так, что диффузионный знаме-натель в (1.72) исчезает и 71^ (^) У определяется только релаксационным механизмом. В пределе , ооТ:|и произвольных
^ ‘С величина %№) равна
' -I сО

= I _^ + 1гп|Уг"Л <1-78)
Как уже отмечалось, с ростом ю. функции Чуп(*) становятся всё более осциллирующими, и соответствующие величины Х/гх.Х, вообще говоря, убывают. Кроме того, убывают и вторые сомножители в каждом члене в (1.75) , (1.76) и (1.78), содержащие 1рп в знаменателе. Поэтому в (1.75), (1.76) (1.78) наибольший вклад дают несколько первых слагаемых с малыми У и такими Р , для кото-рых Угхх^ 0 . Таким образом, условие применимости формул (1.75), (1.76), (1.78) выражается неравенством
где ^ ТГп - соответствует существенным VI . В частности, если У)Д>ю) определяется б основном одним слагаемым в (1.78), то электронный вклад в затухание фонона, равный
~ о I ^ * ТУ 1 т2-" ’
У •+ 1 рп
немонотонно зависит от частоты столкновений Тгп , достигая максимума при 1рп ~ . Качественно эта немонотонность сохраняется и в общем случае.