Низкотемпературное создание и преобразование радиационных парамагнитных дефектов в кристаллах КСl и RbCl

• Автор: Колк, Ю.В.
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Тарту
• Количество страниц: 247 c. : ил

РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ МЕВДОУЗЕЛЬНЫХ АТОМОВ

ГАЛОИДА В ЩГК (обзор литературы)

2.1. Френкелевские дефекты и акситоны

в облученных ЩГК

2.2. Распад электронных возбуждений с рождением френкелевских дефектов в ЩГК

2.3. Парамагнитные Н-центры в КС1

2.3.1. ЭПР-епектр и оптические переходы

С1~ в KOI

2.3.2. ЭПР-спектр и структура Н-центров в KOI

2.3.3. Захваченные примесями парамагнитные Н-центры в КС1

2.4. Некоторые нерешенные проблемы и задачи настоящего исследования

МЕТОДИКА И ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
3.1. Методика низкотемпературного исследования парамагнитных радиационных дефектов
3.1.1. О применении метода ЭПР для регистрации
Н- и VE- центров в ЩГК
3.1.2. О низкотемпературном Х-облучении кристаллов при ЭПР-измерениях
3.1.3. Установка для ЭПР исследований
3.2. Методика исследования оптических характеристик облученных кристаллов
3.3. Объекты исследования

4. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ И ПРЕОБРАЗОВАНИЕ
РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КС1
4.1* Создание и отжиг Н- и Ук-центров в КС1
4.1.1. ЭПР-епектры кристалла KOI после
Х-облучения при 20 К
4.1.2. Накопление Н- и У^-центров в ходе
облучения при 20 К
4.1.3. Отжиг Н-Дк- и ос -центров в KOI
4.1.4. Влияние F-подсветки на число и отжиг
Н- и Vg-центров
4.1.5. Влияние подсветки фотонами 3*4 эВ
на Н- и Vg-центры и их отжиг
4.2. Влияние вторичных процессов на низкотемпературное радиационное дефектообразование в КС1 ,
4.2.1. Взаимодействие электронов и дырок с
дефектами во время Х-облучения
4.2.2. FjljVg- тройки в КС1
4.2.3. Индуцированные Х-облучением вторичные
процессы в КС1
4.3. Миграция интерстициалов в KOI при Т < 60 К
4.3.1, Отжиг 1-центров в КС1
4.3.2. Миграция Н-центров в KCl
5. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ, ПРЕОБРАЗОВАНИЕ И
ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КС1-НЪ
5.1. ЭПР-спектр кристалла KCl-Kb после
Х-облучения при 20 К
5.2. Отжиг Н- и Vj^-центров в КС1-ЕЪ
5.3. НД(ИЪ+)- центры в KCl-Eb

5.4. О влиянии ионов НЪ+ на процессы создания, преобразования и отжига френкелевских дефектов в К01 , 1д(йЪ+)- центры
5.5. О ловушках Н-центров в ЕС1
6. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ И ПРЕОБРАЗОВАНИЕ
ДЕФЕКТОВ В ЕЪ01
6.1. Спектры ЭПР Е:ЪС1
6.2. ЭПР-сигнал и структура Н- центров в КЬС1
6.3. Создание и отжиг интерстициалов в R5C1
7. СОЗДАНИЕ F,H- ПАР В KCl-Ag И КС1-Ш1 ПРИ РЕКОМБИНАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ С АВТ0Л0КАЛИ30ВАННЫМИ
ДЫРКАМИ
7.1. Электронно-дырочный рекомбинационный
механизм создания дефектов Френкеля
7.2. Рождение стабильных F,H- пар при рекомбинации электронов с VK-центрами в KCl-Ag
7.3. Рождение F,H-nap при рекомбинации электронов
с YK-центрами в КС1-0}1
7.4. Электронно-дырочный и экситонный механизмы созданияF,H- пар в КС1 , КС1-Ш1 и KCl-Ag, , , ,193
8. РАСПАД ОКОЛОПРИМЕСНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗЕЩЦЕНИЙ
С РОЖДЕНИЕМ ДЕФЕКТОВ В КС1-Ш1
8.1. Экспериментальное изучение рождения
Р,Н-пар и оС, 1-пар вКС1-Т1
8.2. О роли локальных колебаний при распаде электронных возбуждений с рождением дефектов
9. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

ные парой М2+ v” ; М2+ v” атомы, хлора. Молекулярные связи междо-узельного хлора с соседними <31- фиксируют возникающую 012“ молекулу в плоскости {IIO} (рис, 13) [15б]
В кристаллах KCl-Sr2+, КС1~Ва2+ и KCl-Cd2+ с увеличенной концентрацией примеси после Х-облучения при 77 К и нагрева до 240 К рождаются Hzz СІ2 -ионами в двух катионных вакансиях рядом с М2+,М2+ (рис,13).
Пока не решен вопрос о существовании Н^-типа центров (v“i°)— захваченных одиночной катионной вакансией Н-центров, Следует добавить, что парамагнитные Нд-центры обнаружены в KBivLi [157] $ LiF-Na [і5,І63] , NaP-Ьі [l64] . Ндд-центры найдены в KBr-Na {і5в] , В NaF-Li обнаружено ди-интерстициальный центр F^~ около иона Ьі+ [165] , В NaCl-Ca2+ найдены H z -центры [ібі]
В кристаллах КС1 с примесями анионов-гомологов ( KC1-F , КС1—F|Br , КС1-Вг,1 и др.) методом ЭПР изучены разные междо-узельные дефекты [і55,І66-І70І .Однако, Н^-центры найдены только в KC1-F [l67,I70] . Эти % (О-центры ориентированы точно по <ІІІ> (рис.14). Аналогичных Н^(ОН”)-центров пока найти не удалось [і5б] , но найдены 0Н1”-центры в КС1-І, ОН [ібб]
В кристаллах KC1-F,! найдены ( F“,I-)-центры, ориентир*.
рованные по <П0> направлениям и имеющие структуру (FCll )iai [l55] , Возможность захвата Н-центров одиночными ионами Вг” или I” в KOI пока доказать методом ЭПР не удалось, хотя оптические измерения для этого предприняты [l7l]
Добавим, что в KC1-F,I и KCl~F,Br найдены ориентированные по (fx~) ?.. -центры ( X = 1“ или Br~) по структуре похо-
•*•91
жие на Hh(f~)-центры [і70] (рис. 14). Аналогичные дефекты, а также Нд-центры, найдены в ЕЪС1. , NaCl и KBr [l7û] . В NaCl-Br, ОН обнаружены ( ОНВг”) ?а -центры [ібб]