Люминесценция ионно-имплантированных широкозонных полупроводниковых соединений GaN и ZnSe
- Автор:
Хасанов, Ильдар Шамильевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Черноголовка
- Количество страниц:
164 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние радиационного облучения и магнитного поля на критические параметры композитных сверхпроводящих лент на основе ВТСП | Демихов Тимофей Евгеньевич | 2016 |
| Влияние внешнего электрического поля на распространение упругих волн в пьезоэлектрических пластинах и слоистых структурах | Золотова, Ольга Павловна | 2012 |
| Физические механизмы и условия развития дислокационной неупругости и сегрегационного упрочнения микродеформированных твердых растворов | Левин, Даниил Михайлович | 1991 |