Люминесценция ионно-имплантированных широкозонных полупроводниковых соединений GaN и ZnSe
- Автор:
Хасанов, Ильдар Шамильевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Черноголовка
- Количество страниц:
164 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структура и электрофизические свойства сверхпроводящих твердых растворов BaPb/1-x/ BixO3 | Гаевскис, Антон Петрович | 1984 |
| Физико-технические основы создания композиционных материалов на базе промышленных порошков вольфрама | Пью Мьинт Вей | 2015 |
| Структурные и химические особенности и электронные свойства ультратонких слоев BaTiO3, полученных методом импульсного лазерного осаждения | Миннекаев, Марат Нургаязович | 2014 |