Исследование низкотемпературной деформационной поляризации монокристаллов

• Автор: Мелентьев, Альберт Григорьевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 107 c. : ил

ГЛАВА I. ВЛИЯНИЕ ДЕФОРМАЦИИ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЩПС
(лмтобзор)
ГЛАВА П. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
§ I. Метод термостшлужрованной деполяризации (ТСД)
§ 2. Метод контролируемой пластической деформации (МКПД)
§ 3. Метод дислокационных токов (МИТ)
§ 4. Экспериментальная установка
§ 4.1. Базовая установка ТСД
§ 4.2. Универсальная установка ТСД
§ 5. Образцы и их приготовление
ГЛАВА Ш. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
§ 3.1. Дипольные пики ТСД
§ 3.2. Деформация образцов, не поляризованных
полем £п
§ 3.3. Деформация образцов, предварительно поляризованных полем Еп
§ 3.4. Поляризация полем Еп образцов, деформированных при 77К
§ 3.5. Поляризация образцов при больших степенях
деформации
§ 3.6. Дислокационные токи let
ГЛАВА ІУ. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
§ 4.1. Явления, возникающие в образцах при

§ 4.2. Явления, возникающие в образцах при
£п,л>П*
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ
ТСД полиэфирурстановых эластомеров (ПЗУ)
ЛИТЕРАТУРА

Пластическая деформация щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК) сопровождается рядом электрических эффектов, наиболее известными из которых являются эффект Дыолаи-Хартли - увеличение проводимости ЩЕК вследствие их деформации и появление разности потенциалов между гранями деформируемого образца - эффект Степанова.
Природа этих эффектов исследовалась во многих работах, как теоретических, так и экспериментальных (см. , например, обзоры Урусовской (I] и Витворса [21 ). В результате таких исследований был накоплен богатый фактический материал и было предложено несколь ко моделей, объясняющих физические причины возникновения вышеназванных эффектов. Вместе с тем в экспериментах по влиянию деформации на электрические свойства ЩГК были обнаружены и сравнительно новые, требующие своего объяснения, явления, такие, как, например,
. возникновение в ЩГК деформационной поляризации [3] , как электризация ионных кристаллов при их деформации [4] или возрастание в них диэлектрических потерь [5]
Наиболее общепринятой на сегодняшний день моделью, удовлетворительно объясняющей большинство из наблюдаемых явлений такого рода, является модель, основанная на движении в ЩГК заряженных дислокаций, их взаимодействии друг с другом или точечными дефектами, присутствующими или создаваемыми вновь в решетке деформируемого кристалла.
Основной целью настоящей работы является изучение влияния движения заряженных дислокаций на структурное состояние системы точечных дефектов в кристаллах хлористого калия, легированных • стронцием ( КС1? * Бг2*).

маге, смоченной водным раствором этилового спирта, приготовлялись образцы Б- и С- типов. (Торцы сошлифованных образцов скалывались скальпелем) . При таком методе подготовки в образца]?: формировалась структура краевых дислокаций с одним преобладающим механическим знаком, так что при последующей затем деформации сжатием вдоль наибольшей оси [ООН (рис. 13), эти дислокации могли двигаться в образце только в одном направлении36.
В кристаллах же А - типа, заметим, при их деформации сжатием вдоль оси [001] функционируют (рис. II) все четыре системы легкого скольжения дислокаций типа {ПО} (ПО)-, и дислокации в них могут двигаться в противоположных направлениях.
После вышеописанных приготовлений все образцы химически полировались (с целью сглаживания острых ребер и ступенек на образцах, образующихся при выкалывании их из слитков и являгаци-- хся потенциальными источниками дислокаций) в течение 1,5-2 минут при 300К в 30% спиртовом растворе нашатыря, а затем на их широкие грани (рис. II) напылялись в вакууме серебряное электроды.
Как видно из рис. II, специальные образцы Б- и С- типов отличались друг от друга не столько размерами, сколько взаимным расположением плоскостей скольжения, в которых могли двигаться
х В отечественной литературе известен еще один способ формирования в ЩГК дислокационной структуры с направленным движением дислокаций при деформации образцов сжатием или растяжением. Способ был разработан Б.И. Смирновым и подробно изложен в его монографии [751