Динамическая теория рассеяния излучений кристаллами с макроскопически однородно распределенными дефектами произвольного типа

• Автор: Молодкин, Вадим Борисович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Киев
• Количество страниц: 335 c. : ил

ГЛАВА I. ДИНАМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ РАССЕЯНИЯ ИЗЛУЧЕНИЙ
РЕАЛЬНЫМИ МОНОКРИСТАЛЛАМИ (ОБЗОР)
1.1. Общие эамечения
1.2. Когерентное рассеяние в идеальных кристаллах
1.2.1. Маятниковые полосы
1.2.2. Эффект аномального прохождения излу -чений
1.3. Динамическая теория рассеяния искаженными кристаллами
1.3.1. Влияние тепловых колебаний атомов и слабых статических искажений на основные когерентные эффекты динамической теории
1.3.2. Теория контраста отдельных дефектов
1.3.3. Динамическая теория диффузного рассеяния
1.3.4. Трехкристальная рентгеновская дифрак-тометрия
1.3.5. Интегральная отражательная способность кристалла
1.4. Квантовая теория каналирования быстрых заряженных частиц в монокристаллах как многоволновой случай динамической теории рассеяния
1.5. Выводы
ГЛАВА 2. ДИНАМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ КОГЕРЕНТНОГО РАССЕЯНИЯ
ИЗЛУЧЕНИЙ КРИСТАЛЛАМИ, СОДЕРЖАЩИМИ МАКРО
СКОПИЧЕСКИ ОДНОРОДНО РАСПРЕДЕЛЕННЫЕ ДЕФЕКТЫ
ПРОИЗВОЛЬНОГО ТИПА
2.1. Метод выделения сильных волн
2.1.1. Одноволновой случай
2.1.2. Двухволновой случай
2.2. Классификация дефектов кристалла по их влиянию на картину рассеяния в динамической теории (особенности влияния на форму линии)
2.2.1. Дефекты первого класса
2.2.2. Дефекты второго класса
2.3. Влияние дефектов разного типа на когерентные эффекты аномального прохождения и маятниковых полос
2.3.1. Рассеяние электронов и рентгеновских лучей в идеальных твердых растворах
и упорядочивающихся сплавах
2.3.2. Особенности динамической дифракции медленных нейтронов в упорядочивающихся системах
2.4. Выводы
ГЛАВА 3. ДИНАМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ ДИФФУЗНОГО РАССЕЯНИЯ В
КРИСТАЛЛАХ С ОДНОРОДНО РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ДЕФЕКТАМИ ПРОИЗВОЛЬНОГО ТИПА
3.1. Общие выражения для интенсивности диффузного рассеяния при динамической дифракции
3.1.1. Случай дифракции по Лауэ
3.1.2. Случай дифракции по Брэггу
3.2. Качественные особенности влияния дефектов различного класса на картину диффузного рассеяния в динамической теории
3.3. Эффект аномального прохождения диффузно рассеянных лучей
3.4. Изодиффузные линии и профили интенсивности
3.4.1. Случай дифракции по Лауэ
3.4.2. Случай дифракции по Брэггу
3.5. Картины Кикучи для упругого диффузного рассеяния
3.6. Т^ехкристальная рентгеновская дифрактомет-рия монокристаллов с однородно распреде -ленными дефектами
3.7. Выводы
ГЛАВА 4. ПОЛНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ ИНТЕНСИВНОСТЬ РАССЕЯНИЯ
В МОНОКРИСТАЛЛАХ С ДЕФЕКТАМИ
4.1. Вывод основных выражений в общем случае дефектов произвольного типа
4.1 Л. Полная интегральная интенсивность
рассеяния в монокристаллах произвольных толщин
4.1.2. Предельные случаи тонкого и толстого кристаллов
4.2. Эффект определяющего вклада диффузной составляющей полной интегральной интенсивности рассеяния в монокристаллах
4.2.1. Макроскопически однородно распределенные дефекты кулоновского типа
4.2.2. Однородно распределенные дислокации
4.3. Выводы
ГЛАВА 5. КВАНТОВАЯ ТЕОРИЯ КАНАЛИРОВАНИЯ ЗАРЯЖЕННЫХ
ЧАСТИЦ В МОНОКРИСТАЛЛАХ С МАКРОСКОПИЧЕСКИ
ОДНОРОДНО РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ ДЕФЕКТАМИ

янных волн, распространяющихся как в одноволновых направлениях в кристалле, где многократность рассеяния несущественна, так и в двухволновых направлениях, где имеет место многократное рассеяние диффузной волны.
1.3.4. Трехкристальная рентгеновская дифрактометрия
В отношении динамического рассмотрения картины распределения интенсивности диффузного рассеяния представляет интерес сравнительно небольшое число экспериментальных работ /147, 151-157/, опубликованных в последнее время. Указанные работы посвящены изучению дефектных монокристаллов методом трехкристальной рентгеновской ди-фрактометрии. Изложение принципов теории и описание различных применений трехкристального дифрактометра можно найти, например, в обзорах /158, 159/. Суть схемы трехкристального дифрактометра,примененной в упомянутых работах /147, 151-157/, заключается в использовании третьего кристалла в качестве анализатора углового распределения интенсивности лучей, отраженных от второго кристалла - образца.
При фиксированном угловом положении Д оС исследуемого кристалла измеряется интенсивность отраженных кристаллом анализатором лучей как функция его углового положения А 6 . Набор таких функций (профилей интенсивности), полученных при различных значениях Аоб , позволяет построить изолинии интенсивности в плоскости рассеяния в пространстве обратной решетки. Действительно, геометрическое рассмотрение дает простую связь между угловыми параметрами А об ,Д ©
—♦ f
и отклонением волнового вектора К рассеянной кристаллом-образцом волны от узла обратной решетки Н (см. /151, 152, 1607).
Цs ( где - волновой вектор падающей на образец плоской волны, ©Б -брэгговский угол. При выводе соотношения (1.64) учтены неравенства