Ядерный магнитный резонанс 169Тm в кристаллах Ван-флековских парамагнетиков

• Автор: Кудряшов, Анатолий Аркадьевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 171 c. : ил

ГЛАВА I ЯМР В РЩЮ ЗЕМЕЛЬНЫХ ВАН-^ЛЕКОВСКЖ ПАРАМАГНЕТИКАХ (СБЗОР)
1.1 Ван-флековский парамагнетизм
1.2 Ядерный спиновый гамильтониан
1.3 Методы исследования ядерного магнетизма
ван-флековских парамагнетиков
1.4 Результаты исследований ЯуЗР редкоземельных
ионов в ван-флековских парамагнетиках
А Спектры ЯМР
Б Дипольная ширина линии ШР и релаксация поперечной намагниченности
В Релаксация продольной намагниченности
ГЛАВА 2 АППАРАТУРА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1 Широкодиапазонный автодинный спектршетр ЯМР
А Структурная схема спектрометра
Б Устройство регистрации сигналов ЯМР
2.2 Импульсный ЯМР-релаксометр
2.3 Техника низкотемпературного эксперимента
2.4 Методы измерений времен ядерной релаксации
Т1 и Тг
ГЛАВА 3 НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ЯМ5 ТУЛИЯ В Tm.ES И
ИТтР^ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
3.1 Спиновое эхо ядер тулия в кристалле ТтЕв
3.2 Неоднородная ширина лиши ъИТтР^

3.3 Эффект магнитострикции в ШР тулия в кристалле
ИТтР^
А Анизотропия намагниченности кристалла И ТпгРу
в плоскости (001)
Б Анизотропия парамагнитного сдвига ЯМР 169 Тлъ
в кристалле ЦТпьрц в Плоскости (001)
Выводы
ГЛАВА 4 ЯДЕРНЫЙ МАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС169Тпг В КРИСТАЛЛЕ
Tm.ES БРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ
4.1 Ширина линии и парамагнитный сдвиг ЯМР в магнитном поле, параллельном оси С кристалла
4.2 Релаксация поперечной намагниченности ( эксперимент)
4.3 Релаксация продольной намагниченности ( эксперимент)
4.4 Обобщение экспериментальных результатов
А Теория
Б Оценка времени корреляции^из эксперимента.... 124 В Роль дшолъ-дшюльного взаимодействия парамагнитных ионов в ядерной релаксации
Выводы
ГЛАВА 5 ЯДЕРНЫЙ МАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС Тт В КРИСТАЛЛЕ
ЦТ/пР^ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ
5.1 Скорость поперечной релаксации. Время корреляции флуктуаций гСс
5.2 Парамагнитный сдвиг линии ШР
ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ I Принципиальные электрические схемы узлов широкодиапазонного автодинного спектрометра ШР
ПРИЛОЖЕНИЕ 2 Нижние уровни энергии иона Тпг3* в
в магнитных полях НII [100] и ЇЇ [ 1110]

ется сигнал ЯМР (на частоте 383 Гц), а на вход X - напряжение постоянной амплитуды той же частоты с генератора ВМ-269 В. Прохождение резонанса отмечается как изменение полученной на экране осциллографа фигуры Лиссажу.
Б. Устройство регистрации сигналов ЯМР
Для проведения исследований стационарнш ЯМР - методом было разработано и собрано устройство регистрации. За основу была взята структурная схема устройства регистрации на электронных лампах, описанная в работе [б?] . Разработанная схема построена с использованием аналоговых интегральных микросхем (ВМС) и транзисторов. В устройстве применены стандартные схемы узлов, большая часть которых описана в [65] . Полная структурная схема устройства регистрации сигналов ЯМР изображена на рис.2.2, а принципиальные электрические схемы отдельных блоков приведены в приложении.
Блок селективного усилителя. Напряжение, поступающее с выхода автодинного детектора в отсутствие сигнала ЯМР, представляет собой переменное напряжение частоты 383 Гц, амплитуда которого определяется нерезонансным поглощением в образце. При прохождении резонанса выходное напряжение автодинного детектора возрастает и достигает максимума при Н = Нрез< Таким образом, сигнал, поступающий на вход устройства регистрации при прохождении резонанса, содержит составляющие, соответствующие как резонансному, так и нерезонансному поглощению. Часто вторая составляющая имеет достаточно большую амплитуду и затрудняет регистрацию сигнала ЯМР. В устройстве предусмотрена возможность компенсации этой паразитной составляющей противофазный напряжением соответствующей амплитуды. В отсутствие сигна-