Эволюция реальной структуры кристаллов карбида кремния в процессах роста, пластической деформации и фазовых превращений

• Автор: Бритун, Виктор Федорович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Киев
• Количество страниц: 229 c. : ил

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Структура карбида кремния
1.2. Структурные исследования карбида
кремния
1.2.1. Методы исследований
1.2.2. Ростовые дефекты
1.2.3. Структурные особенности фазовых превращений в карбиде кремния
1.2.4. Пластическая деформация в З/С
1.3. Постановка задачи
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИХ
ИССЛЕДОВАНИЙ
2.1. Препарирование образцов керамических
материалов для исследования методами просвечивающей электронной микроскопии
2.2. Методики исследования структурных
дефектов
ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ РОСТОВЫХ ДЕФЕКТОВ В Si С
3.1. Дефекты в эпитаксиальных монокристаллических слоях SiC $ выращенных из паровой фазы
3.1.1. Дефекты на границе подложка - эпитаксиальный слой

3.1.2. Дефекты в объеме эпитаксиальных
слоев
3.1.3. Особенности распределения дефектов в
эпитаксиальных слоях 3/С
3.2, Особенности реальной структуры монокристаллов, выращенных методами Лели
и разложением метилтрихлорсилана
3.3. Выводы к главе
ГЛАВА 4. ИЗМЕНЕНИЯ РЕАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ
КРИСТАЛЛОВ ПРИ ФАЗОВЫХ ПРЕВРАЩЕНИЯХ
4.1. Твердотельный фазовый переход
ЗС - 6Н 5/5
4.2. Фазовое превращение 6Н - ЗС 5/5
4.3. Фазовое превращение в 2/75
4.3.1. Исследование структуры кристаллов ДяЛ , выращенных из расплава и
паровой фазы
4.3.2. Перестройка реальной структуры
кристаллов природного .2/75 при твердотельном фазовом превращении
4.4. Механизмы фазовых превращений
4.5. Выводы к главе
ГЛАВА 5. ДИСЛОКАЦИОННАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ
5/5 И Ш ПОСЛЕ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ
5.1. Высокотемпературная пластическая
деформация 5/5
5.2. Проявление микропластичности в сС 5/5

вблизи концентраторов напряжений
5.3. Движение дислокаций в , активируемое электронным облучением
5.3.1. Атермический характер процесса
5.3.2. Особенности движения дислокаций
5.4. Структурные изменения в А(?// при
трении
5.5. Выводы к главе
ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

ным диском» затем шлифовались на карбиде бора или на алмазном круге зернистостью 30 мкм и далее алмазной пастой зернистостью 10 и 3 мкм. Более тонкая обработка поверхности заготовок не приводит к улучшению качества фольг. Ионное распыление поверхностного слоя толщиной 10 мкм полностью удаляло поверхностные повреждения, вносимые в керамические материалы шлифованием, за исключением возникающих в ряде случаев трещин, проходивших через всю толщину образца. Однако в кристаллах ZoS , ZnSe , Co/S шлифование приводило к появлению дислокаций на глубине - 30 мкм, поэтому здесь подготовка должна проводиться с использованием более тонких шлифовальных порошков и желательно предварительное химическое стравливание поврежденного слоя.
Наряду с утонением плоскопараллельной пластинки до возникновения отверстия нами применялось утонение края клиновидного кристалла. При этом клиновидная в сечении форма придавалась заготовке на этапе шлифования. Такая подготовка образца уменьшает вероятность возникновения трещин и разрушения заготовки.
В плоскопараллельной пластине при толщинах менее 40 мкм обычно всегда появлялись трещины, а в клиновидных образцах при толщине толстого края 70-100 мкм тонкий мог быть толщиной менее 40 мкм. Утонение края позволяло более прицельно получать тонкие места.
Так при подготовке к исследованию эпитаксиальных слоев на наклонном шлифе выделялась граница, например химическим травлением, след границы выводился на середину тонкого края заготовки и при утонении всего края места, прозрачные для ПЭМ, образовывались в области границы. При исследовании срезов, сделанных перпендикулярно границе между подложкой и пленкой, а также срезов, сделанных перпендикулярно к поверхности трения или наклонно к поверхности, для предотвращения распыления торцевой поверхности фоль-