Исследование трехслойных полупроводниковых структур и сверхрешеток методом рентгеновской интерференционной топографии

• Автор: Федоров, Алексей Алексеевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 172 с.

Список основных использованных обозначений и сокращений
а - параметр решетки кристалла.
Да - разность параметров решеток объемных материалов
5а - разность параметров решеток кристаллов в направлении роста.
С,„|п- относительный сдвиг двух кристаллов, приводящий к образованию дополнительной полосы трансляционного муара йьм - межплоскостное расстояние.
Ьрип - толщина кристаллического разделительного слоя, соответствующая одному периоду полос трансляционного муара Ь - вектор обратной решетки.
и(г)- поле смещения атомов относительно их положения в идеальном кристалле.
АН - разность вектор обратной решетки.
Хь - Ь -тая Фурье компонента поляризуемости кристалла, ср - угол между плоскостью Ьк1 и поверхностью образца.
X - длина волны рентгеновского излучения.
Л - период муаровых полос.
0 - угол Брэгга.
V - коэффициент Пуассона
(353)- обозначение кристаллической плоскости с индексами Миллера 3, 5, 3.
[101] - обозначение библиографической ссылки № 101 единого списка литературы КНПК - структура эпитаксиальный кремний/пористый кремний /подложка кремния. ПК- пористый кремний.
РИ - рентгеновский интерферометр.
СР- сверхрешетка.
- 3 -ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ В РАЗЛИЧНЫХ СРЕДАХ
1.1. Интерференционные явления в однородной некристаллической среде
1.1.2 Длина когерентности рентгеновских лучей
1.1.3 Показатель преломления и оптическая длина пути
1.1.4 Зоны Френеля и наблюдение интерференции рентгеновских лучей
1.2. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах
1.2.1 Кинематическая дифракция
1.2.2 Динамическая дифракция
§1. Коэффициенты отражения и прохождения и маятниковые решения
при дифракции в геометрии Лауэ
§2. Дифракция в тонкой пластине в геометрии Брэгга
§3. Использование интерференционных эффектов маятникового решения
1.3 Рентгеновские интерферометры
1.3.1 Дифракционный муар
1.3.2 Наблюдение рентгеновского дифракционного муара
1.3.3 Пленочные двухкристальные интерферометры
§1 Отражение по Лауэ
§2 Отражение по Брэггу

1.3.4 Применение рентгеновской интерферометрии для исследования объектов современной микроэлектроники
§1 Рентгеновский интерферометр Майкельсона
§2 Структуры ЗУБЮэ/подложка 5г
§3 Структуры с квантовыми ямами
ЗАКЛЮЧЕНИЕ по главе
Задачи диссертационной работы
ГЛАВА 2. ВЛИЯНИЕ ГЕОМЕТРИИ И СТРУКТУРНОГО СОСТОЯНИЯ ГЕТЕРОСИСТЕМЫ, СОДЕРЖАЩЕЙ ДВА КРИСТАЛЛА И РАЗДЕЛИТЕЛЬНЫЙ СЛОЙ, НА ИНТЕРФЕРЕНЦИЮ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ
2.1 Интерференция в гетеросистеме с совершенными кристаллами
§1. Случай разделительного слоя постоянной толщины
§2. Разделительный слой переменной толщины
2.2 Требования к объектам исследования
2.3 Гетеросистемы со ступенчато изменяющейся толщиной разделительного слоя Се
2.3.1 Влияние тетрагональных искажений кристаллической решетки пленки на возникновение муарового контраста
2.3.2 Модель трансляционного муара
2.4 Гетеросистемы с линейно изменяющейся толщиной разделительного слоя Се
2.4.1 Анализ природы муара, обусловленного клиновидной формой разделительного слоя
ВЫВОДЫ по главе

Рис. 1.3 Схема классического трехкристального интерферометра с использованием отражения по Лауэ