Формирование, захват и поведение макроскопических включений в процессе кристаллизации расплава с примесью

• Автор: Ю Ионг Зу, 0
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Харьков
• Количество страниц: 146 c. : ил

ГЛАВА I. КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ РАСПЛАВА С ПРИМЕСЬЮ
1.1. Перераспределение примеси, растворенной в расплаве, в процессе роста кристалла
1.2. Формирование и захват газовых пузырьков
при кристаллизации газонасыщенного расплава
1.3. Захват инородных частиц фронтом кристаллизации расплава
1.4. Особенности захвата газовых пузырьков кристаллом, растущим из расплава
1.5. Захват включений маточного расплава в процессе роста кристалла из расплава
с примесью
Глава II. ЗАХВАТ МАКРОСКОПИЧЕСКИХ ВКЛЮЧЕНИЙ КРИСТАЛЛОМ,
РАСТУЩИМ ИЗ РАСПЛАВА С ПРИМЕСЬЮ
2.1. Экспериментальная техника
2.2. Эффект тени в распределении примеси, формирующемся при кристаллизации
расплава с примесью
2.3. Захват посторонних частиц кристаллом,
растущим послойно из газонасыщенного расплава
2.4. Захват частицы кристаллом, растущим послойно из расплава с растворенной примесью вещества частицы (система
толан - антрацен)
2.5. Об одной особенности взаимодействия газовых пузырьков с фронтом кристаллизации расплава

Глава III. ФОРМИРОВАНИЕ И ПОВЕДЕНИЕ ВКЛЮЧЕНИЙ МАТОЧНОГО РАСПЛАВА ВБЛИЗИ ДВИЖУЩЕГОСЯ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ
3.1. Жидкие включения в тылу фронта кристаллизации расплава толана с
примесью антрацена
3.2. Механизм разбухания и движения включений . , . Элементарные оценки
3.3. Плавление кристалла с неоднородно распределенной примесью в поле температурного градиента
ВЫВОДЫ
Приложение
ЛИТЕРАТУРА

В идеальной ситуации рост кристалла из расплава в поле температурного градиента должен был бы происходить в режиме незаторможенного движения плоской границы кристалл-расплав. В действительности, однако, этот процесс существенно осложняется различными сопутствующими эффектами, которые, в конечном счете, оказываются причиной дефектности формирующегося кристалла. Именно это обстоятельство является причиной постоянного внимания к проблеме роста реального кристалла в связи с процессами на границе кристалл-расплав. Один из существенных эффектов, сопутствующих становлению реального кристалла состоит в захвате различных включений, которые могут быть инородными по отношению к веществу кристалла и расплава, а могут явиться включениями вещества собственно расплава, если по той или иной причине расплав во включении оказывается обогащенным или обедненным примесью, которая может понизить температуру кристаллизации захваченного расплава.
Наша диссертационная работа посвящена, главным образом, исследованию процесса захвата либо макроскопических инородных включений, либо включений маточного расплава. Б обоих случаях расплав является примесным. Такая постановка задачи нам представляется оправданной по двум причинам. Во-первых, наличие примеси в расплаве очень обогащает возможные физические ситуации, которые осуществляются вблизи границы кристалл-расплав. Во-вторых, в технологической практике очень часто кристаллизуются примесные вещества и, следовательно, эффекты, обусловленные наличием примеси, представляют реальный практический интерес.
Всю совокупность выполненных нами экспериментальных исследований мы представили в двух оригинальных главах, из которых од-

Рис.25. Зависимость скорости изменения размера газового пузырька от его радиуса вблизи фронта растущего кристалла.
Рис.26. Зависимость радиуса газозаполненного канала от размера поглощаемого фронтом газового пузырька. [69]