Ионная и электронная проводимость AgBCS3 и CuBCS3 (B=Pb, Sn; C=As, Sb)

• Автор: Кобелева, Ольга Леонидовна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 238 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ ВБ (В=РЬ, БЪ, Ь; В=8,8е), АСБ, (А=Аё, Си; С=8Ь, Аз; В=8,8е); АОеСБз (А=А&Си; С=8Ь,Аэ; 0=8,8е), ЫСВ3 (С=Аь,8Ь; Б=8, ве) И ТВЕРДЫХ ЭЛЕКТРОЛИТОВ НА ОСНОВЕ Ьі2804, 1й4804 И Ьі40е04

1.0. Введение

1.1. Кристаллическая структура и физические свойства соединений ВБ (В=РЬ,8п,; Б=8,8е)

1.2. Кристаллическая структура соединений АСВ2 и их физические свойства

1.2.1. Кристаллическая структура и физические свойства AgCБ2 (С=Аз,8Ь; Б=8,8е)

1.2.2. Кристаллическая структура и физические свойства СиСБ2 (С=Аз,8Ь; В=8,8е)

1.3. Кристаллическая структура и некоторые электрофизические свойства четырехкомпонентных халькогенидов серебра и меди типа АВСВз (А=А&Си; В=Ое,РЬ,8п; С=8Ь,Ав,Ві; Б=8,8е)

1.3.1. Кристаллическая структура АОеСВ3 (A=Cu,Ag; С=Аз,8Ь; 26 Б=8,8е)

1.3.2. Годографы импеданса и адмиттанса А0ОеСВ3
1.3.3. Элемент постоянной фазы тройных и четверных халькогенидов серебра и меди
1.3.4. Электропроводность и диэлектрическая проницаемость АОеСБз (А=А&Си; С=Аэ,8Ь; Б=8,8е)
1.3.5. Кристаллическая структура и электрические свойства АВСВз (А=АЕ,Си; В=РЬ,8п, Сб; С=Іп,ВіДвЬ; Б=8,8е,Те)
1.4. Кристаллическая структура и физические свойства твердых электролитов на основе лития
1.4.1. ЬіСБ2 (С=Ав, БЬ; Б=8,8е)
1.4.2. Сульфат лития
1.4.3. Структура у- Ц3Р04
1.4.4. Свойства ортосиликата лития

1.4.5. Свойства ортогерманата лития
1.5. Заключение
2. МЕТОДЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
2.0. Введение
2.1. Импедансная спектроскопия
2.2. Методика исследования электропроводности при фиксированной частоте переменного тока
2.3. Методики исследования электрических свойств в постоянном электрическом поле
2.3.1. Измерение проводимости по методу Вагнера
2.3.2. Измерение электропроводности на постоянном токе четырехзондовым методом
2.4. Экспериментальные установки и аппаратура
2.4.1. Установка для исследования электрических свойств
2.4.2. Конструкция криотермостата и измерительной ячейки для проведения исследований в диапазоне температур 78К-600К
2.5. Методика исследования акустических свойств
2.6. Метод ЯМР
3. МЕТОДИКА СИНТЕЗА И АТТЕСТАЦИЯ СОЕДИНЕНИЙ
3.1. Введение
3.2. Методика синтеза, образцы для исследований
3.2.1. Методика синтеза
3.2.2. Образцы для исследований
3.3. Рентгенографическая аттестация образцов
3.4. Выводы
4. ИОННАЯ И ЭЛЕКТРОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ СОЕДИНЕНИЙ
АВСОз (А=Аё,Си; В=РЬ,8п,1п; С=Аз,8Ъ; Н=8,8е)
4.1. Частотные зависимости полных комплексных сопротивления и
проводимости А£РЬ8Ь8з, Си8п8Ь8з, AgSnAsSз, AgPbSbSeз, АёРЬАз8е3, Аё8п8Ь8е3, AgInAsS3, Си1пАв83
4.1.0. Введение
4.1.1. Г одографы импеданса и адмитганса AgPbSbSз
4.1.2. Годографы импеданса и адмитганса Си8п8Ь83
4.1.3.Годограф импеданса AgSnAsSз
4.1.4. Г одографы импеданса и адмитганса AgPbSbSeз

4.1.5. Частотная зависимость импеданса AgPbAsSeз
4.1.6. Г одограф импеданса и адмиттанса А§8п8Ь8ез
4.1.7. Г одограф импеданса А£1пАз8з
4.1.8. Г одографы импеданса Си1п Аб8з
4.1.9. Эквивалентные схемы, описывающие свойства образцов
4.1.10.Вывод ы
4.2. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgSnAsSз, AgPbSbSз, Си8п8Ь8ез,
Си8п8Ъ83, AgSnSbSeз, AgPbAsSeз, АвРЬ8Ь8е3, Си8пАБ8е3,
AgInAsSз и ОйпАбБз
4.2.0. Введение
4.2.1. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgPbSbSз
4.2.2. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgSn АбБз
4.2.3. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости Си8п8Ь83
4.2.4. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости Си8п8Ь8ез
4.2.5. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости Си1пАБ8з
4.2.6. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgInAsSз
4.2.7. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgPbSbSeз
4.2.8. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgPbAsSeз
4.2.9. Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости Си8пАБ8е3
4.2.10 Температурные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости AgSnSbSeз
4.2.11 Определение области температур начала ионного переноса по температурной зависимости проводимости и диэлектрической проницаемости
4.2.12. Сегнетоэлектрические свойства соединений Си8п8Ь8з,

Рис.1.5. Температурная зависимость электропроводности (а), коэффициента Холла (б) и Холловской подвижности носителей тока (в). Номера кривых приведены ниже:
1. п - СиСсІІпвез; 2. р - СиСсИпТе3; 3. п - AgCdInTeз; 4. п - СиРЬВівз;
5. п - СиРЬВі8е3; 6. п - AgPbBiSз; 7. п - AgPbBiSeз; 8. п - AgPbBiTeз;
9. п - ТІРЬВівз; Ю. п - Т1РЬВі8е3; 11. п - Т1РЬВіТе2