Коэффициент Нернста-Эттингсгаузена в легированных высокотемпературных сверхпроводниках системы YBa2 Cu3 O y в нормальной фазе

• Автор: Агеев, Николай Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 275 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. КРИСТАЛЛОХИМИЧЕСКИЕ, СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ И ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ВТСП СИСТЕМЫ УВа2Си3Ог ЭФФЕКТ НЕРНСТА-ЭТТИНГСГАУЗЕНА В ВТСП-СИСТЕМАХ. (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
1Л. Кристаллическое строение УВагСизОу
1.2. Транспортные свойства ВТСП системы УВагСизО,, в нормальной

1.2.1. Удельное сопротивление
1.2.2. Коэффициент термоэдс
1.2.3. Коэффициент Холла
1.3. Анализ моделей энергетического спектра электронов, предложенных для описания электронных явлений переноса в ВТСП-материалах в нормальной фазе
1.4. Модель узкой зоны
1.4.1. Общие положения модели узкой зоны 5
1.4.2. Выражения для расчета температурных зависимостей кинетических коэффициентов
1.4.3. Изменение параметров проводящей зоны в УВагСизО^ с ростом дефицита кислорода
1.4.4. Коэффициент Нернста-Эттингсгаузена в модели узкой зоны
1.5. Коэффициент Нернста-Эттингсгаузена в ВТСП-материалах;
1.5.1. Особенности измерения зависимости (7(7)
1.5.2. Экспериментальные данные о зависимости <2(7) в ВТСП-материалах в смешанном и нормальном состоянии
1.5.3. Анализ коэффициента Нернста-Эттингсгаузена в ВТСП-
материалах
1.5.3.1. Область смешанного состояния
1.5.3.2. Область нормального состояния
Выводы
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ КИНЕТИЧЕСКИХ КОЭФФИЦИЕНТОВ
2.1. Требования к измерительным установкам
2.2. Измерение удельного сопротивления
2.3. Измерение коэффициента термоэдс
2.4. Измерение коэффициента Холла
ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА НЕРНСТА-ЭТТИНГСГАУ ЗЕНА
3.1. Метод измерения коэффициента Нернста-Эттингсгаузена и его особенности
3.2. Установка для измерения зависимостей ()(Г)
3.3. Определение значений коэффициента Нернста-Эттингсгаузена и погрешности измерений
3.4. Проверка достоверности измерений
Выводы
ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ПОВЕДЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА НЕРНСТА-ЭТТИНГСГАУЗЕНА В СЛУЧАЕ УЗКОЙ ПРОВОДЯЩЕЙ ЗОНЫ
4.1. Вывод общего выражения для коэффициента Нернста-Эттингсгаузена
4.2. Коэффициент Нернста-Эттингсгаузена в случае узкой проводящей зоны
4.3. Применение модели узкой зоны к анализу коэффициента

Нернста-Эттингсгаузена
4.4. Информация о свойствах системы носителей заряда, получаемая
из анализа зависимостей ()(Т) в рамках модели узкой зоны
4.5. Анализ применимости кинетического уравнения
Выводы
ГЛАВА 5. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ КИНЕТИЧЕСКИХ КОЭФФИЦИЕНТОВ И ИХ АНАЛИЗ В РАМКАХ МОДЕЛИ УЗКОЙ ЗОНЫ
5.1. Особенности исследованных систем и характеристика образцов
5.2. Результаты электрофизических измерений
5.3. Анализ полученных экспериментальных данных
Выводы
ГЛАВА 6. КОЭФФИЦИЕНТ НЕРНСТА-ЭТТИНГСГАУЗЕНА В ВТСП: ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ АНАЛИЗ
6.1. Экспериментальные данные о температурных зависимостях коэффициента Нернста-Эттингсгаузена
6.2. Анализ экспериментальных зависимостей <2(7)
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список работ автора по теме диссертации
Список литературы

Абсолютные значения Sab и Sc отличаются незначительно. При _у«7 обычно йзоок>^зоок, с уменьшением температуры это соотношение может измениться; при увеличении дефицита кислорода Sc Как установили авторы [69], существует также анизотропия коэффициента термоэдс в плоскости ab. На рис. 1.7 изображены зависимости Sa(T) и Sh(T), полученные на бездвойниковых монокристаллах УВа2СизОг до и после отжига в кислороде. Для S„ характерны отрицательные значения при 7>130К, точка перегиба зависимости вблизи Г=160К и относительно малое изменение как абсолютных значений, так и температурной зависимости при росте кислородного дефицита. Зависимость 5Д7) по своему виду подобна получаемым при таких абсолютных значениях на поликристаллах. Примечательно, что с ростом содержания кислорода зависимость практически параллельно сдвигается в сторону меньших значений коэффициента термоэдс на величину порядка 1 мкВ/К.
1.2.3. Коэффициент Холла.
Во многих работах значение коэффициента Холла RH связывается с эффективным числом носителей заряда nff=V0/eRH (где е - заряд электрона, Vo - объем элементарной ячейки) или же с числом носителей на один слой Си02. На основании анализа изменения холловской концентрации пн с температурой и влияния на величину пн различных воздействий на образцы (прежде всего, легирования) рядом авторов высказываются предположения о характере формирования проводящей зоны, ее структуре и трансформациях. В то же время, при обсуждении данных по эффекту Холла необходимо