Квантовые гальваномагнитные явления в полупроводниках с вырожденным энергетическим спектром носителей тока

• Автор: Якунин, Михаил Викторович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 233 с. : ил

Оглавление

Введение
Глава 1. Основные физические представления о вырожденном зонном
энергетическом спектре и природе осцилляций гальваномагнитных
эффектов.
1.1. Зона с симметрией Гв в алмазоподобных полупроводниках.
1.2. Эффекты одноосной деформации.
1.3. Структура зоны Гв в магнитном поле.
1.3.1. Гамильтони ан.
1.3.2. Численные расчеты.
1.3.3. Анализ приближений в численных расчетах.
1.3.3.1. Параболический участок валентной зоны.
1.3.3.2. Эффекты непараболичности под влиянием спин-отщепленной зоны.
1.4. Квантование зоны Га в двумерном слое. 41 '1.5. Осцилляции кинетических коэффициентов в объемных материалах.
1.6. Квантовые гальваномагнитные эффекты в двумерных слоях.
Глава 2. Техника и методика эксперимента.
2.1. Измерение гальваномагнитных эффектов в сильных магнитных полях.
2.2. Техника одноосного деформирования образцов.
Часть I. Объемные материалы.
Глава 3. Магнитофононный резонанс в материале с известными
параметрами валентной зоны - ве.
3.1. Ориентация поля В||<111>: самая простая структура магнитных
подзон.

3.1.1. Эффекты одноосной деформации.
3.1.2. Расчет структуры МФО.
3.2. Проявления в МФР особенностей сложной изоэнергетической
поверхности тяжелых дырок.
3.2.1. Анизотропия МФР на дырках в Ое.
3.2.2. Эффекты одноосной деформации при 5||<100>.
Глава 4. Магнитофононный резонанс в/>-1п8Ь.
4.1. Ситуация с параметрами валентной зоны 1п8Ь.
4.2. Эффективные массы тяжелых дырок и ^-параметры Латтинджера.
4.3. Поведение осцилляций с деформацией - ключ к расшифровке
спектра.
4.3.1. В§$Р\<\ 1>, выбор параметров лги ц.
4.3.2. Л?||^||<100>, проявление линейных по к членов. |
Глава 5. Магнитофононный резонанс рекомбинации горячих носителей в бесщелевом полупроводнике ЩТе.
5.1. Природа эффекта.
5.2. Расшифровка сложных спектров с помощью одноосной деформации.
5.3. 'Участие примесных состояний и наклонные резонансные переходы -факторы, объясняющие анизотропию эффекта.
5.4. Закрытие и открытие энергетической щели при комбинированном воздействии деформации и магнитного поля.
5.5. Определение параметров Латтинджера.
Глава 6. Резонансы гальваномагнитных эффектов в Н§1.хС11хТе в сильных электрических полях.
6.1. Многофононные резонансы в бесщелевом состоянии при близком
расположении термов Г8 и Гб.
6.2. Резонансная Оже-рекомбинация в щелевом состоянии.
6.3. Экстремальный случай: -»0.

Часть II. Двумерные и квазидвумерные структуры.

Глава 7. Квантовый эффект Холла в потенциальной яме p-Gei.jtSyGe/p-Gei.vSi*, содержащей неразделенный дырочный газ.
7.1. Проявления участия второй подзоны размерного квантования в экспериментальных данных продольного /?«(£) и поперечного рху(В) магнитосопротивления.
7.2. Активационная проводимость для щелей подвижности, сопутствующих режиму квантового эффекта Холла.
Глава 8. Квантовые гальваномагнитные явления при разделении дырочного газа на два двумерных слоя.
8.1. Определение характеристик прямой и обратной гетерограниц потенциальной ямы p-Gei^Sb/Ge/p-Gei^Si* в условиях полного разъединения дырочного газа на два подслоя.
8.2. Фаза квантованного холловского диэлектрика в системе взаимосвязанных 2D подслоев, формирующихся в потенциальной яме р-Ge 1 _xSix/Ge/p-Ge i .xSix
Глава 9. Магнитосопротивление в магнитном ноле, параллельном слою.
9.1. Двумерный дырочный газ квантовой ямы p-Gei.xSix/Ge/p-Gei.xSix в параллельном магнитном поле.
9.2. Квазидвумерный электронный газ в параллельном магнитном поле.
9.3. Магнитосопротивление в параллельном магнитном поле потенциальной ямы p-Gei.xSix/Ge/p-Gei..xSix в случае двух заселенных подзон.
Заключение
Литература

m I cm I
m I см + sc

— I CM + 071 ^

- І СЧ V

/—N +
H 1 (M 1 Мч
sc — 1
cC тґ
мГ &-

m 1
CO 1 CM

sc ~T<-
r-*4 +

+
^їм +

— I «СІ ^ +

te*-r>

m I
- I CM

ro I CM +

2 + иОсА - 2c2 +1), fim-(у2-Гі)г 5 = [100] л 5 є (110)