Неустойчивость тока в многослойных структурах с активными энергетическими уровнями

• Автор: Григорьян, Леонтий Рустемович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Краснодар
• Количество страниц: 161 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава 1. Неустойчивость тока в многослойных твердотельных структурах
1.1 Динамические неоднородности электрического тока в неоднородных твердотельных структурах
1.2 Условия возникновения неустойчивости тока в твердотельных
* структурах
1.3 Поверхностно — барьерная и рекомбинационная неустойчивость тока
1.4 Неустойчивость тока в твердотельных структурах с распределенным
эмиттерным переходом
Глава 2. Методика исследования неустойчивости тока в многослойных твердотельных структурах
^ 2.1 Элементы на основе многослойных структур с инжекционной
неустойчивостью
2.2 Изготовление элементов многослойных структур
2.3 Методика исследования электрофизических и фотоэлектрических
свойств
Глава 3. Экспериментальное исследование электрофизических и фотоэлектрических характеристик структур с распределенным эмиттерным переходом
* 3.1 Статические и импульсные вольтамперные характеристики
структур
3.2 Фотоэлектрические свойства структур с распределенным эмиттерным переходом
3.3 Температурные характеристики Туннелистора и Биспина

3.4 Исследование полного дифференциального сопротивления структур с распределенным эмиттерным переходом от напряжения на активном
контакте
Глава 4. Феноменологическая модель процессов неустойчивости электрического тока в многослойных структурах
4.1 Уравнения, описывающие неравновесные процессы в структуре с распределенным эмиттерным переходом
4.2 Уравнение полной динамической системы для многослойных структур
4.3 Анализ СРП структуры как полной динамической системы
4.4 Численное решение динамических уравнений колебательной
системы
Глава 5. Использование неустойчивости тока для создания
приборов функциональной электроники
5.1 Функциональные приборы на основе структур с распределенным
эмиттерным переходом
Заключение
Литература

ВВЕДЕНИЕ
Широкое проникновение новейших достижений радиоэлектроники в технику обработки информации, системы автоматизации и робототехники является характерной чертой происходящего в обществе научно-технического прогресса. Поэтому понятен большой интерес к вопросам развития радиоэлектроники и ее влияния на развитие общества и государства [1-5].
Современная электроника, являясь основным средством обработки информации, развивается по двум главным направлениям: интегральной электроники или микроэлектроники, и функциональной электроники [6]. Основные тенденции развития микроэлектроники обусловлены идеологией больших и сверхбольших интегральных схем и осуществляются в направлении освоения субнаносекундных интервалов времени и субмикронных размеров компонентов сверхвысоких уровней интеграции. Эти достижения, реализующиеся на основе транзисторной схемо - и системотехники, используют классические методы схемной радиотехники, теории электрических цепей и основаны на принципе технологической интеграции статических неоднородностей - потенциальных барьеров, к которым относятся легированные разными примесями полупроводниковые области активных компонентов интегральных схем (диодов, транзисторов), металлические и диэлектрические участки кристалла [7-9].
Разработчики интегральных схем первого направления [6, 8] активно ищут способы преодоления "тирании количества", способы обхода
технологических и физических барьеров. С этой целью разрабатываются
вертикальные структуры, в которых стараются разместить максимум элементов в минимальном пространстве. Активные и пассивные элементы схемы
размещаются в объеме, и интегральная схема становится трехмерной.
Второе направление основано на полном отказе от понятия классических схемных элементов и непосредственном использовании физических явлений в твердом теле, связанных с кинетическими, квантовыми, механическими,
где 2 - п-область (база); 4 - р+-область; 3,5- омические контакты;
а) 1 - п+-область, 6 - р+-область;
б) 1 - контакт МТОП; 6- туннельно-прозрачный окисел; с) обозначение структуры в электрических схемах.
Рисунок 2. Схематическое изображение многослойных структур с инжекционной неустойчивостью

Рисунок 3. Схема подключения структуры к источнику питания (Ц,— напряжение на активном контакте)