Оптические свойства дислокаций в полупроводниках

• Автор: Штейнман, Эдуард Александрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 223 с. : ил

Содержание
Введение Глава 1.Обзор

1.1 Системы скольжения,структура и морфология дислокаций в ковалентных полупроводниках.
1.2 Дислокационные состояния в запрещенной зоне.
1. 3 ЭПР центры на дислокациях в кремнии.
1.4 Дислокационная люминесценция в кремнии и германии.
1.5 Влияние примесей
1.6 Ориентационное вырождение центров ДФЛ
1.7 Модели
1.8 Рекомбинационные свойства дислокаций
1.9 Заключение
Глава 2. Постановка экспериментов,
структурные особенности дислокаций
Глава 3. Пьезоспектроскопические и
поляризационные исследования дислокаций

Глава 4. Влияние примесей и образование кислородных комплексов вблизи дислокаций
Глава 5. Одномерные свойства дислокаций
5.1 Линии люминесценции, связанные с прямолинейными сегментами дислокаций и модель рекомбинации.
5.2 Особенности электрон-фононного взаимодействия при рекомбинации из одномерных зон.
5.3 ЭДСР на прямолинейных сегментах
Глава б. Дефекты дислокационной структуры,
связанные с нарушением регулярности
дислокационных линий.
6.1 Природа центров Д2 и Д1 и эффективность дислокационной люминесценции.
6.2 О возможности использования дислокационных состояний для изготовления излучающих диодов
на основе кремния.
Глава 7. Структурные дефекты в
монокристаллах фуллеритов С60 и их связь с дислокациями.
7.1 Структурные особенности фуллерита С60 и роль фазовых переходов
в генерации дефектов.
7.2 Оптические исследования структурных фазовых переходов.
7.3 Пластическая деформация. Проявление деформационных дефектов в оптических спектрах.
7.4 Заключение
Выводы
Список литературы

Рисунок 1-6. Спектры дислокационной фотолюминесценции (ДФЛ) Се (вверху) и (внизу). Несмотря на низкую температуру измерения (4.2 К) практически нет экситонных линий, т.е. рекомбинация идет, главным образом, через дислокационные состояния
результат серии переходов между квантовыми состояниями общей физической природы.
На Рис.1-6 показаны типичные спектры ДФЛ для Ge и Si деформированных при высокой температуре, параметры деформации указаны в надписях на рисунке. Спектр ДФЛ Ge состоит из двух широких линий, одна из которых имеет энергетическое положение около 0.5эВ и ее интенсивность коррелирует с плотностью дислокаций,
интенсивность другой линии с энергией 0.56эВ меньше связана с плотностью дислокаций и определяется, главным образом, условиями
деформации. В Si ДФЛ состоит из четырех линий с энергиями 0.807, 0.870, 0.935 и 0.99 эВ, это
при ширине зоны 1.17эВ. Таким образом как в Si
Энергия (эВ)