+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Оптические свойства дислокаций в полупроводниках

Оптические свойства дислокаций в полупроводниках
  • Автор:

    Штейнман, Эдуард Александрович

  • Шифр специальности:

    01.04.07

  • Научная степень:

    Докторская

  • Год защиты:

    2002

  • Место защиты:

    Черноголовка

  • Количество страниц:

    223 с. : ил

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
"
1.2 Дислокационные состояния в запрещенной зоне. 
1. 3 ЭПР центры на дислокациях в кремнии.


Содержание

Введение Глава 1.Обзор



1.1 Системы скольжения,структура и морфология дислокаций в ковалентных полупроводниках.

1.2 Дислокационные состояния в запрещенной зоне.

1. 3 ЭПР центры на дислокациях в кремнии.

1.4 Дислокационная люминесценция в кремнии и германии.

1.5 Влияние примесей

1.6 Ориентационное вырождение центров ДФЛ


1.7 Модели

1.8 Рекомбинационные свойства дислокаций


1.9 Заключение
Глава 2. Постановка экспериментов,
структурные особенности дислокаций
Глава 3. Пьезоспектроскопические и
поляризационные исследования дислокаций

Глава 4. Влияние примесей и образование кислородных комплексов вблизи дислокаций
Глава 5. Одномерные свойства дислокаций
5.1 Линии люминесценции, связанные с прямолинейными сегментами дислокаций и модель рекомбинации.
5.2 Особенности электрон-фононного взаимодействия при рекомбинации из одномерных зон.
5.3 ЭДСР на прямолинейных сегментах
Глава б. Дефекты дислокационной структуры,
связанные с нарушением регулярности
дислокационных линий.
6.1 Природа центров Д2 и Д1 и эффективность дислокационной люминесценции.
6.2 О возможности использования дислокационных состояний для изготовления излучающих диодов
на основе кремния.
Глава 7. Структурные дефекты в
монокристаллах фуллеритов С60 и их связь с дислокациями.
7.1 Структурные особенности фуллерита С60 и роль фазовых переходов
в генерации дефектов.
7.2 Оптические исследования структурных фазовых переходов.
7.3 Пластическая деформация. Проявление деформационных дефектов в оптических спектрах.
7.4 Заключение
Выводы
Список литературы

Рисунок 1-6. Спектры дислокационной фотолюминесценции (ДФЛ) Се (вверху) и (внизу). Несмотря на низкую температуру измерения (4.2 К) практически нет экситонных линий, т.е. рекомбинация идет, главным образом, через дислокационные состояния
результат серии переходов между квантовыми состояниями общей физической природы.
На Рис.1-6 показаны типичные спектры ДФЛ для Ge и Si деформированных при высокой температуре, параметры деформации указаны в надписях на рисунке. Спектр ДФЛ Ge состоит из двух широких линий, одна из которых имеет энергетическое положение около 0.5эВ и ее интенсивность коррелирует с плотностью дислокаций,
интенсивность другой линии с энергией 0.56эВ меньше связана с плотностью дислокаций и определяется, главным образом, условиями
деформации. В Si ДФЛ состоит из четырех линий с энергиями 0.807, 0.870, 0.935 и 0.99 эВ, это
при ширине зоны 1.17эВ. Таким образом как в Si
Энергия (эВ)

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.215, запросов: 967