Структура ядра сверхдислокаций и особенности деформационного поведения TI3 AL

• Автор: Рабовская, Мария Яковлевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 168 с.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Современные представления о структуре дислокаций и
деформационном поведении упорядоченных сплавов со сверхструктурой И
1.1. Особенности деформационного поведения упорядоченных сплавов
1.2. Дислокационная структура (экспериментальные наблюдения).
1.3. Модели расщепления сверхдислокаций в сверхструктуре 0019. ^
1.3.1. Скользящие конфигурации
1.3.2. Дислокационные барьеры
1.4. Механизмы, предложенные для объяснения аномального поведения предела текучести в Т1зА
1.5. Пластическая деформация с учетом нескольких типов дислокационных превращений
1.6. Компьютерное моделирование дефектов структуры в ГПУ кристаллах и упорядоченных сплавах
1.7. Постановка задачи
ГЛАВА 2. Метод компьютерного моделирования структуры дефектов
2.1. Построение начальной конфигурации
2.2. Метод молекулярной динамики
2.3. Типы потенциалов межатомного взаимодействия, 40 используемые при расчетах дефектов в кристаллических структурах
2.3.1. Парные потенциалы
2.3.2. Многочастичные потенциалы

ГЛАВА 3. Построение потенциалов межатомного взаимодействие методом «погруженного атома» для 'ПзА1; результаты расчета структуры и энергии планарных дефектов
3.1. Введение
3.2. И-частичные потенциалы межатомного взаимодействия в

3.3. Компьютерное моделирование планарных дефектов в Т1зА1
3.3.1. Планарные дефекты в плоскости базиса (0001)
3.3.2. Планарные дефекты в плоскости призмы {0110}
3.3.3. Планарные дефекты в плоскости пирамиды{202 1}.
3.3.4. Планарные дефекты в плоскости пирамиды{11 2 1}.
3.4. Заключение
ГЛАВА 4. Атомная структура ядра 1/3<2Т 10> сверх дислокации и
в базисной и призматической плоскостях в Т1зА1
4.1. Введение
4.2. Компьютерное моделирование структуры ядра
сверхдислокации в плоскости базиса
4.2.1. Скользящие конфигурации
4.2.2. Дислокации 30°, 60°, винтовой и краевой ориентации в плоскости базиса
4.3. Компьютерное моделирование структуры ядра
сверхдислокации в сечениях I, Г, II плоскости призмы
4.3.1. Выбор начальной конфигурации
4.3.2. Винтовая и краевая дислокации в плоскости призмы I

4.3.3. Винтовая и краевая дислокации в плоскости призмы I' типа
4.3.4. Винтовая и краевая дислокации в плоскости призмы II

типа.
4.4. Сравнение с результатами компьютерного моделирования
дислокаций в плоскости базиса и призмы
4.5. Заключение
ГЛАВА 5. Структура ядра 1/3<21 16> сверхдислокаций в
пирамидальных плоскостях I и II типа в ТЦА1
5.1. Введение
5.2. Выбор начальной конфигурации
5.3. Скользящие дислокации и дислокационные барьеры в ИЗ
плоскости пирамиды I типа
5.4. Скользящие дислокации и дислокационные барьеры в
плоскости пирамиды II типа
5.5. Сравнение с результатами компьютерного моделирования
дислокаций в плоскости пирамиды I и II типа.
5.6. Заключение
ГЛАВА 6. Структура ядра дислокаций и особенности 140 деформационного поведения в ПзА1
6.1. Призматическое и базисное скольжение
6.2. Пирамидальное скольжение
6.3. Заключение
ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

ГЛАВА 2. Метод компьютерного моделирования структуры дефектов
Основным методом изучения структурных и энергетических характеристик планарных и линейных дефектов в Т1зА1 в настоящей работе является метод молекулярной динамики, предложенный Билером в 1960 году [51]. В это методе рассматривается модельный кристаллит, содержащий от 1000 до 10000 атомов. Координаты атомов кристаллита задаются в соответствии с типом рассматриваемой кристаллической структуры и смещений, создаваемых дефектом. В разделе 2.1 рассматривается тип граничных условий, используемых в методе молекулярной динамики, в разделе 2.2 описывается процедура релаксации, т. е. метод нахождения минимума энергии кристаллита с дефектом, в 2.3 кратко представлены типы потенциалов, используемые при расчетах.
2.1. Построение начальной конфигурации; выбор граничных условий
Обычно микроскопическую модель кристалла разбивают на три области: 1 - внутреннюю область подвижных атомов или расчетную ячейку; 2 - область пограничных атомов, взаимодействующих хотя бы с одним атомом из области 1; 3 - область кристалла, смещения атомов в которой подчиняются теории упругости. При компьютерном моделировании используют три типа граничных условий; периодические, "жесткие" и гибкие. В модели с "жесткими" граничными условиями координаты граничных атомов фиксируются либо в узлах идеальной решетки, либо в узлах упруго-искаженной решетки. Толщина области 2, для не слишком больших искажений решетки, равна радиусу действия потенциала межатомного взаимодействия. Атомы на границах закрепляются в позициях, полученных в изотропной (или анизотропной) теории упругости.