Взаимодействие дефектов и фотостимулированная люминесценция во фторидах бария

• Автор: Шалаев, Алексей Александрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Иркутск
• Количество страниц: 127 с. : ил

Содержание
Содержание

Основные сокращения и обозначения

Введение

ГЛАВА1. Объекты исследования, экспериментальные установки и методы измерений

1.1. Практическое использование материала ВаРВг:Еи2+, как запоминающего люминофора

1.2. Твердые растворы системы ВаР2-ЬаРз

1.3. Технологические приёмы получения кристаллов ВаРВг

1.4. Техника измерений

1.5. Выводы

ГЛАВА2. Радиационные дефекты и процесс ФСЛ в ВаЕВггЕи
2.1 .Структура кристаллофосфоров ВаБХ (X = Вг, СІ, I)
2.2.Температурная зависимость интенсивности ФСЛ
2.3. Мономолекулярная и бимолекулярная рекомбинационные модели
2.4.Фотостимулируемые и нефотостимулируемые центры
2.5. Роль кислородных примесей
2.6. Выводы 59 ГЛАВ АЗ. Влияние примесей щелочных металлов на фотости-
мулированную люминесценцию ВаЕВг:Еи2+
3.1. Оптические характеристики кристаллов ВаРВг:Еи2+
3.2. Внедрение примесей щелочных металлов в ВаРВпЕи
3.3. Измерения ФСЛ в кристаллах ВаРВг:Еи2+ с примесями щелочных металлов при комнатной температуре
3.4. Измерения ФСЛ в кристаллах ВаРВг:Еи2+ с примесями щелочных металлов при температуре жидкого азота

3.5. Причины красного сдвига в ВаРВг:Еи2+ при активировании щелочными металлами
3.6. Выводы 91 ГЛАВА 4. Радиационные дефекты в ВаГ2 и ВаГ2-ГаГз
4.1. Влияние примеси ИаБз на рентгенолюминесценцию кристаллов ВаР2
4.2. Измерения спектров ЭПР твердых растворов ВаЕ2-ЕаЕз
4.3. Спектры оптического поглощения в кристаллах
ВаР2 и ВаР2-ЬаРз
4.4. Выводы
Заключение
Список литературы

Основные сокращения и обозначения
ЕР - рентгеносохраняющие экраны (imagining plate);
ФЭУ - фотоэлектронный умножитель;
ФСЛ - фотостимулированная люминесценция;
СЕ - конверсионная эффективность;
SE - энергия стимуляции;
TCJ1 - термостимулированная люминесценция;
ЩГК - щелочногалоидный кристалл;
ЩЗФ - щелочноземельные фториды;
ЭПР - электронный парамагнитный резонанс;
ОДМР - оптически детектируемый магнитный резонанс ДЭЯР - двойной электронный ядерный резонанс (ENDOR);
МЦДП - магнитный циркулярный дихроизм оптического поглощения (MCDA);
АЭА - атомно-эмиссионный анализ;
МНК - метод наименьших квадратов;
ИК - инфракрасное (излучение);
УФ - ультрафиолетовое (излучение).

Описанный процесс схематически можно описать так [6]:
Ьух.гау -» ехсйоп, ехсйоп —» Р-Н ран,
Б-Н рай -» Б+(Н/Еи2+)-сотр1ех.
Далее, в следующей части, будут подробнее рассмотрены радиационные дефекты в ВаБВг.Еи2+ и их роль в процессе фотостимулированной люминесценции.
2.2. Температурная зависимость интенсивности фотостимулированной люминесценции
Прежде чем начать обзор различных моделей фотостимулированной

люминесценции в ВаРВг.Еи , рассмотрим интересное явление, которое было описано в работе [63]. В спектре оптического поглощения ВаРВг:Еи2+ (монокристалл выращенный методом Бриджмена-Стокбаргера и активированный

100 ррм Ей ), облученного при комнатной температуре, наблюдается три вида дефектов: Б(Вг*)-полоса с пиком 2,15 эВ, Е(Е')-полоса с пиком 2,65 эВ, и точно не установленная полоса 3,4 эВ (рис. 9-а). В ультрафиолетовой области спектра наблюдаются полосы поглощения Еи2+ при 4,36, 4,49 и 4,67 эВ. Люминесценция Еи2+ при 3,19 эВ может быть вызвана не только возбуждением в полосах поглощения Еи2+ (максимальная интенсивность фотолюминесценции Еи2+), но и возбуждением в полосах поглощения Б- центров. Спектр возбуждения такой фотостимулированной люминесценции, измеренный при 10 К (рис. 9-Ь) выглядит аналогично спектру поглощения Б-центров (рис. 9-а). Очевидно, что Б-центры задействованы в процессе фотостимулированной люминесценции и их фотостимуляция является необходимым предварительным условием для её наблюдения. Кроме этого была обнаружена зависимость люминесцентных процессов от температуры (рис. 10-а). Эти результаты были получены [63] следующим образом: образец облучался в темноте рентгеновским излучением при комнатной температуре и затем охлаждался до температуры 10 К и в течении 3 секунд светом низкой интенсивности воз-