Электромагнитные процессы при прохождении частиц высоких энергий через кристаллы и интенсивные внешние поля

• Автор: Хоконов, Азамат Хазрет-Алиевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Нальчик
• Количество страниц: 294 с. : ил.

1 Прохождение релятивистских частиц через ориентированные кристаллы

1.1 Статистическое равновесие в поперечном

фазовом пространстве

1.2 Проблема деканалирования. Кинетические

уравнения

'* 1.3 Угловые распределения в ориентированных кристаллах

1.4 Асимметричное распределение аксиально каналированных электронов по угловым моментам

1.5 Выводы к главе

2 Излучение ультрарелятивистских электронов в ориентированных кристаллах

2.1 Излучение ультрарелятивистских электронов

2.2 Излучение при квазипериодическом движении

2.3 Квантовый сипхротронный предел
2.4 Излучение в толстых кристаллах при средних энергиях
2.5 О возможности циркулярной поляризации излучения релятивистских позитронов при каналировании в кристаллах типа цинковой обманки

2.6 Выводы к главе

3 Модификация некоторых процессов квантовой электродинамики в ориентированном кристалле
3.1 Процессы во внешнем поле, нарушающем стабильность вакуума
3.2 Тунелирование в потенциале инстантонного типа
3.3 Процессы, связанные с модификацией тока заряженных частиц в кристаллах
3.4 Глубоко-неупругое рассеяние лептонов на адронах во внешнем поле кристалла
3.5 Двухфотонные процессы в ориентированном
кристалле
3.6 Возможность управления спектром реальных и виртуальных фотонов
3.7 Исследование жесткой части спектра электромагнитного излучения позитронов при прохождении через монокристаллы
3.8 Квазиклассическая теория вычисления матричных элементов для вероятностей глубоких переходов в произвольном плоскостном потенциале
3.9 Выводы к главе
4 Моделирование процессов прохождения электронов через ориентированные кристаллы
4.1 Моделирование прохождения и излучения при энергиях свыше 100 ГэВ. Диффузионное приближение
4.2 Моделирование с точным учётом многократного рассеяния

4.3 Спектры излучения одиночных фотонов при энергиях свыше 100 ГэВ
4.4 Некогерентное излучение в кристаллах при средних энергиях
4.5 Выводы к главе
5 Взаимодействие релятивистских электронов с полем тераваттных лазеров
5.1 Общая характеристика излучения релятивистских электронов, движущихся в поле лазера. Сравнение с излучением
при каналировании
5.2 Дипольное приближение для лазерных источников излучения и излучения при каналировании
5.3 Анализ экспериментальных результатов
5.4 Квантовый дипольный спектр
5.5 Уравнения движения электрона в поле плоской волны
5.6 Классическая теория нелинейных эффектов в излучении релятивистских электронов в поле интенсивной лазерной волны
5.7 Классический синхротронный предел
5.8 Квантовая теория нелинейных эффектов в излучении релятивистских электронов в поле интенсивной лазерной волны
5.9 Классификация процессов взаимодействия релятивистских электронов с лазерным излучением
5.10 Выводы к главе
Выводы
Литература

0.6 0.8 Мг относит, ед.
Рис. 1.5 Распределение электронов по угловым моментам /7(М2) (сплошные кривые) и Р(~М2) (пунктирные кривые) при расходимости пучка А = 0.6(//с, (//,„= 0, Ьх = 0.13б/, толщине первого кристалла 1 мкм и различных углах наклона 9у.