Залечивание трещин в ЩГК воздействием малых доз ионизирующего излучения

• Автор: Чиванов, Андрей Викторович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Тамбов
• Количество страниц: 159 с. : ил.

ГЛАВА 1. ПОВЕДЕНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ПРИ

ВНЕШНИХ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ

1.1. Явления, сопутствующие разрушению кристаллических материалов при механическом воздействии

1.1.1. Зарождение трещин

1.2. Распространение трещин

1.2.1. Немонотонный рост трещин

1.2.2. Влияние дефектной структуры нарост трещин

1.3. Восстановление сплошности материалов

1.3.1. Самопроизвольное залечивание трещин скола

1.3.2. Залечивание микротрещин при внешнем сжимающем воздействии

1.3.3. Залечивание трещин при воздействии теплового и электрического полей

1.4. Качество залечивания микротрещин
1.5. Влияние внешнего электромагнитного излучения на состояние дефектов
1.5.1. Влияние инфракрасной части спектра на вещество
1.5.2. Влияние излучения видимого диапазона на вещество
1.5.3. Влияние ультрафиолетового излучения на кристаллы с различным типом связей
1.5.4. Влияние рентгеновского излучения на вещество
1.5.5. Влияние у-излучения на вещество
1.5.6. Влияние электронного излучения на вещество
1.6. Фазовые превращения вызванные действием ионизирующего излучения
1.7. Люминесценция
1.8. Цель и задачи исследования

ГЛАВА 2. ЗАЛЕЧИВАНИЕ ТРЕЩИН В ЩГК ВОЗДЕЙСТВИЕМ
МАЛЫХ ДОЗ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
2.1. Влияние электромагнитного излучения на процессы залечивания трещин
2.2. Методика проведения эксперимента
2.3. Залечивание микротрещин в ионных кристаллах при воздействии ультрафиолетового излучения
2.4. Особенности реанимации кристалла с трещиной
2.5. Воздействие малых доз рентгеновского излучения на процессы
залечивания микротрещин
2.5.1. Движение дислокаций при рентгеновском облучении
2.6. Динамика полей напряжений у вершины самозалечившейся трещины при внешнем воздействии электромагнитного излучении различных длин волн
2.7. Механизм залечивания трещин в ЩГК воздействием малых доз ионизирующего излучения
2.8. Выводы
ГЛАВА 3. ОЦЕНКА КАЧЕСТВА ЗАЛЕЧИВАНИЯ ТРЕЩИН В ЩГК
3.1. Метод химического травления
3.2. Микроиндентирование кристаллов
3.3. Сопоставление скоростей развития первичной и вторичной
трещин асимметричного скола в ЩГК
3.4. Оценка прочностных характеристик кристаллов на разрыв
3.5. Выводы
ГЛАВА 4. КИНЕТИКА РОСТА И САМОЗАЛЕЧИВАНИЯ ТРЕЩИН
СИММЕТРИЧНОГО И АСИММЕТРИЧНОГО СКОЛА В ЩГК
4.1. Особенности роста трещин скола в кристаллах
4.2. Методика проведения эксперимента
4.3. Кинетика асимметричного скола и залечивания вершин трещин

4.4. Кинетика симметричного скола
4.5. Оценка глубины затекания воздуха в полость трещины
4.6. Исследование конфигурации полей напряжений в вершине трещины симметричного и несимметричного скола
4.7. Выводы
ГЛАВА 5. ОЦЕНКА СИЛ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ МОЗАИЧНО
ЗАРЯЖЕННЫХ ПЛОСКОСТЕЙ В ЗАВИСИМОСТИ
ОТ ИХ ОТНОСИТЕЛЬНОГО РАСПОЛОЖЕНИЯ
5.1. Влияние геометрии поверхностей скола в ЩГК на восстановление сплошности
5.2. Аналитическая оценка взаимодействия поверхностей скола в ЩГК
5.3. Выводы
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

в) г)
Рис. 2.3. Дислокационная структура у вершин трещин кристаллов ГлЬ после асимметричного скола и воздействия УФ излучения £=4,55 эВ; 7=293 К. а), в) контрольные кристаллы; б), г) кристаллы после воздействия УФ, выдержка /=140 минут. Стрелками отмечено положение вершины трещины до и после облучения.
Причем уменьшается не только скалярная плотность дислокаций в окрестности вершины, но могут исчезать и целые линии скольжения, образующие в исходном состоянии характерный “дислокационный крест” (рис. 2.2г, 2.3г). Эффект усиливается с ростом длительности временной выдержки [195-208].
Обнаружено также, что воздействие УФ излучения приводит к возрастанию длины залеченного участка, и изменению общей длины лучей дислокационных розеток.