Закономерности эволюции первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах с исходной дефектностью

• Автор: Корепанов, Владимир Иванович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 312 с. : ил.

 СПИСОК СОКРАЩЕНИИ
АЛЭ - автолокализованный экситон
жл- импульсная катодолюминесценция
ВУФ- вакуумный ультрафиолетовый
УФ- ультрафиолетовый
ик- инфракрасный
щгк- щелочно-галоидные кристаллы
ФЩЗМ - фториды щелочноземельных металлоЕ
ЭВ- электронные возбуждения
ФС- фотостимулированный
РС- радиационностимулированный
ТС- термостимулированный
нэп- наносекундный электронный пучок
лэ- локализованный экситон
оэ- околопримесный экситон
гэ- гетероядерный экситон
ЭПР- электронный парамагнитный резонанс

Глава 1. Постановка задачи и методы решения
1.1. Основные представления о структуре, процессах создания и накопления первичных радиационных дефектов в ионных кристаллах
1.2. Общая постановка задачи
1.3. Техника и методика исследований
1.3.1. Импульсный спектрометр
1.3.2. Методические особенности и погрешности измерений
Глава 2. Первичные радиационные дефекты в кристаллах MgF2
2.1. Электронное строение и ядерная конфигурация АЛЭ в MgF2
2.1.1. Люминесценция АЛЭ в MgF2
2.1.2. Поглощение АЛЭ в MgF2
2.1.3. Особенности электронного строения и конфигурации АЛЭ в MgF2
2.2. Генерация первичных дефектов во фториде магния
2.2.1. Основные закономерности создания АЛЭ и пар Френкеля в MgF2
2.2.2. Механизм генерации первичных дефектов в MgF2
2.3. Кинетика аннигиляции F,H-nap в кристалле MgF2
Выводы
Глава 3. Накопление центров окраски в MgF2
3.1. Сравнительная характеристика накопления центров окраски в кристаллах LiF и MgF2
3.1.1. Строение и конфигурация АЛЭ в LiF при низких температурах
3.1.2. Особенности процессов создания и накопления первичных дефектов в кристаллах LiF и MgF2
3.2. Эффективность выживания центров окраски в MgF2
3.3. Закономерности пространственного разделения компонентов F,H-пар
в ионных кристаллах
3.3.1 Исходные состояния

3.3.2. Результаты моделирования пространственного разделения Г,Н-пар в ионных кристаллах
3.3.3. Энергия активации процесса разделения
Выводы
Глава 4. Накопление вторичных радиационных дефектов в кристаллах фторида магния
4.1. Центры окраски
4.1.1. Дырочные центры окраски
4.1.2. Электронные центры окраски
4.2. Фотостимулированные процессы
4.3. О механизмах фотостимулированных преобразований
4.4. Термостимулированные процессы
Выводы
Глава 5. Закономерности взаимодействия первичных и вторичных радиационных дефектов в N^2 при электронном, облучении
5.1. Основные результаты стационарных исследований процессов преобразования центров окраски
5.2. Динамика преобразования дефектов при возбуждении НЭП
5.3. Импульсная катодолюминесценция облученных кристаллов МрТД
Выводы
Глава 6. Взаимодействие первичных радиационных дефектов с локальными деформациями решетки в ионных кристаллах
6.1. Взаимодействие электронных возбуждений с димерами тяжелой анионной гомологической примеси в ГЦГК
6.2. Взаимодействие электронных возбуждений с мономерами тяжелой анионной гомологической примеси в ЩГК
6.3. О причинах локализации электронных возбуждений в дефектной области кристалла
6.4. Каналы диссипации энергии локализованных экситонов

^ регулировкой): 50, 54 и 57 кВ при максимальной мощности нагрузки до
50 Вт и нестабильности менее 0,5%. При достижении заданного напряжения на емкостных накопителях энергии производится выдача импульса синхронизации амплитудой 5 В для запуска внешних устройств или внутреннего запуска схемы поджига первичного коммутирующего разрядника. Схема поджига выдает импульс поджигающего напряжения амплитудой 30-40 кВ с ^ фронтом 10 не. Схемой предусмотрена также выдача, задержанного в
пределах 0.2-1 мкс относительно высоковольтного импульса поджигающего напряжения, импульса амплитудой 10 5. Принципиальная электрическая схема ускорителя показана на рис 1.11.
Функционально блок питания состоит из вспомогательного источника питания, блока управления, схемы сравнения и высокочастотного инвертора. Вспомогательный источник (ТрЗ,УТ8,9,10,11) вырабатывает напряжение питания 12 В±10% для схемы сравнения и блока управления с гальванической щ развязкой от сети и начинает работать при подаче напряжения питания на ускоритель (220 В, 50 Гц.). При этом зажигается индикатор питания на панели управления.
Блок управления (ПП1,3,УТ2,3,5,б,7,12,15,Тр1,2) обеспечивает переключение режимов работы источника высокого напряжения с панели дистанционного управления: однократный/серия, включение источника и пуск ускорителя. При нажатии кнопки «вкл.» источника высокого напряжения начинается заряд накопительных ёмкостей, при этом загорается красный индика-тор на панели управления.
Схема сравнения (ПА1,БП2,УТ1,4Д1...) при достижении установленного напряжения на выходе источника высокого напряжения (50, 54 и 57 кВ) переводит его в режим подзарядки с гистерезисом около 600 В (при этом красный светодиодный индикатор (УЛЗ) на панели управления начинает мигать) и через 2.5 с начинает вырабатывать серию синхроимпульсов положительной полярности напряжением 5^7 В (разъём СИ). Подстройка уровня стабилизации напряжения осуществляется резистором Ш в пределах 10% от номи-