Электрофизические свойства элементов сложной формы из поликристаллических высокотемпературных сверхпроводников составов Y-Ba-Cu-O, Bi-Sr-Ca-Cu-O

• Автор: Буев, Андрей Романович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Йошкар-Ола
• Количество страниц: 257 с. : ил.

1. АНАЛИЗ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ДАННЫХ, СВЯЗАННЫЕХ С ИССЛЕДОВАНИЯМИ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ СВОЙСТВ ВТСП И ПРОГРЕССИВНЫМИ

МЕТОДАМИ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ОБЗОР)

1Л Методы измерений критической плотности тока в ВТСП,

её зависимость от других параметров

1.2 Критическая плотность тока поликристаллических и расплавных ВТСП, принципы их изготовления

1.3 Вольтамперные характеристики поликристаллических

ВТСП
2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИЗУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ВЕЩЕСТВА ВТСП - ЭКРАНОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ

2.1 Общие сведения о сверхпроводящих экранах магнитного поля

2.2 Взаимодействие ВТСП - экрана с внешним магнитным полем,

измерения с помощью феррозондового датчика

2.3 Свойства вещества ВТСП - экрана и его взаимодействие с внешним магнитным полем, измерения с помощью
ВТСП - СКВИДа
2.4. Динамика проникновения магнитного поля в вещество
ВТСП - экрана, джозефсоновская глубина проникновения
и первое критическое джозефсоновское поле
2.5 Взаимодействие магнитного поля с веществом ВТСП - экрана, исследование с помощью измерений магнитного шума
2.6 Механизмы взаимодействия магнитного поля (абрикосовских
у;://;7

вихрей) с веществом ВТСП - экрана, объясняющие происхождение
и свойства магнитных шумов
2.7 Аномальное поведение замороженного магнитного поля и его шума в ВТСП - экране
3. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ И КОНСТРУКЦИЙ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ ВТСП - ЭКРАНОВ И ИХ ПРИЛОЖЕНИЯ
3.1 Оптимизация технологии изготовления ВТСП - экранов составов УВа2Сиз07_з, В12Зг2Са2Си20^у
3.2 Анизотропия плотности критического тока в экране, синтезированном при вращении в градиентном температурном
поле
3.3 Влияние составного ВТСП - экрана на внешнее магнитное
поле
3.4 Индуктивный токоограничитель с составным
ВТСП - экраном
3.5 Составной ВТСП - экран на основе колец с толстопленочным покрытием
3.6 Способ получения магнитного вакуума с помощью
ВТСП-экрана
4. БЕСКОНТАКТНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
СВЕРХПРОВОДЯЩИХСВОЙСТВ ВТСП СЛОЖНЫХ ФОРМ
4.1 Бесконтактное исследование сверхпроводящих свойств
ВТСП-колец
4.2. Эмпирическое соотношение между СП - параметрами поликристаллического ВТСП и джозефсоновской глубиной
проникновения
4.3 «Невосприимчивость» двухсвязного сверхпроводника (кольца)
в критическом состоянии к закону сохранения магнитного
потока

4.4 Описание эксперимента, технические данные, результаты измерений
4.5 Бесконтактный метод измерения ВАХ ВТСП - кольца, эмпирическая формула для ВАХ
4.6 Реакция односвязного ВТСП (пластины) на постоянное, потенциальное электрическое поле, когерентные
колебания ь-электронов
4.7 Влияние термоциклирования на критический ток ВТСП
5. НЕКОТОРЫЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОЛСТОПЛЁНОЧНЫХ ВТСП - ПОКРЫТИЙ И ИХ ПОДЛОЖЕК
5.1 Изготовление исследуемых образцов - подложек и
толстых плёнок
5.2 Распределение критического тока по толщине покрытия
5.3 Аномальное распределение серебра в композитной
+ Ag20- подложке, влияние серебра в подложке
на плотность критического тока
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЦИТИРУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

намотка сверхпроводящей ленты В1(РЪ)-8г-Са-Си-0 толщиной 30 мкм на катушку диаметром 40 мм не вызывало ни механических повреждений, ни деградации ус.
В работе [147] с помощью прокатки и зонной плавки получили ленты в серебряной оболочке из Т12(Ва8г)2Са2Си3Ох, которые при температуре жидкого азота в отсутствие магнитного поля имелиу'с = 1,53 • 104 А/см2, а в поле

1 Тл значение^ превышало 10 А/см
Технология изготовления других оксидных сверхпроводящих соединений в настоящее время еще несовершенна, и они характеризуются невысокими значениями критической плотности тока, например, Ш{_хСехСи04 [148], Всг0>6К0АВЮ3 [149].
1.3 Вольтамперные характеристики поликристаллических
ВТСП
Эта часть обзора относится к разделу 4.5 данной работы.
Вольтамперные характеристики (ВАХ) для поликристаллических ВТСП исследовались во многих работах. Однако до настоящего времени отсутствует единая картина зависимостей напряжения (напряжённости электрического поля) от плотности тока, протекающему по образцу. Отсутствует также единый теоретический подход, объясняющий ход ВАХ, особенно, для плотностей токов лишь не на много превышающих критическую. Для описания полученных экспериментальных данных было предложено несколько зависимостей.
Степенные:
Е~Г [150],
Е~и-]СУ [151],
и экспоненциальные:
Е ~ ехр(у') [152]