Формирование структуры и магнитных свойств поликристаллических литий-титановых ферритов при радиационно-термических воздействиях

• Автор: Усманов, Рафаэль Усманович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 159 с. : ил.

ГЛАВА 1. СТРУКТУРА, СВОЙСТВА И ТЕХНОЛОГИЯ

ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОМЯГКИХ ФЕРРИТОВ

1Л. Общая характеристика ферритов

1.1.1. Кристаллография шпинельных соединений

1.1.2. Физические свойства феррошпинелей

1.1.3. Химические свойства ферритов

1.2. Температура Кюри и намагниченность насыщения ферримагнетиков

1.3. Керамическая технология изготовления ферритов

1.3.1 Основные этапы синтеза ферритовых порошков

1.3.2. Спекание ферритов

1.3.3. Методы активации процессов спекания

1.3.4. Влияние газовой среды при спекании ферритов на их свойства
1.4. Технологические возможности мощных потоков ионизирующей радиации
1.4.1. Электронные ускорители, используемые в РТ - процессах
1.4.2. Импульсный ускоритель электронов ИЛУ
1.4.3. Измерение температуры в мощных пучках ускоренных электронов
1.5. Состояние вопроса и постановка задачи исследования
ГЛАВА 2 МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
2.1 Приготовление образцов
2.2 Методика спекания
2.2.1 Термическое спекание
2.2.2 Радиационно-термическое спекание
2.3 Методика рентгенофазового анализа
2.3.1 Качественный фазовый анализ
2.3.2 Количественный фазовый анализ
2.4 Методика рентгеноструктурного анализа
2.4.1 Точное определение размеров элементарной ячейки
2.4.2 Источники ошибок в определении параметров решётки
2.5 Анализ уширения дифракционных пиков. Определение микронапряжений и размеров кристаллитов
2.6 Описание, экспериментальной дифрактометрической установки
2.7 Модернизация системы регистрации ДРОН
2.7.1 Автоматизированный способ регистрации физических процессов
2.7.2 Постановка задачи модернизации. Имеющиеся аппаратные средства для проведения физического эксперимента
2.7.3 Описание платы Ь
2.7.3.1 Структурная схема платы
2.7.3.2 Программное обеспечение платы
2.8 Программное обеспечение обработки результатов экспериментов
2.9 Методика измерения электропроводности
2.10 Измерение намагниченности вблизи температуры Кюри
2.11 Измерение намагниченности насыщения
2.11.1. Методика определения поля магнитной анизотропии
2.11.2. Исследование температурных зависимостей магнитных характеристик
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ СКОРОСТИ ОХЛАЖДЕНИЯ НА СВОЙСТВА
ТЕРМИЧЕСКИ СПЕЧЕННОЙ ФЕРРИТОВОЙ КЕРАМИКИ ЗСЧ18

3.1. Магнитный фазовый переход в окрестностях температуры Кюри в образцах с фазовыми включениями оксида алюминия
3.2. Влияние скорости охлаждения на производную намагниченности ферритовой керамики ЗСЧ18
3.3. Влияние скорости охлаждения на электропроводность ферритовой керамики
3.4. Исследование поля магнитной анизотропии и намагниченности насыщения ферритовой керамики, изготовленной при различных режимах охлаждения
3.5. Влияние скорости охлаждения на структурные характеристики ферритовой керамики ЗСЧ18

3.6. Анализ механизма влияния скоростных режимов охлаждения на
свойства термически спеченных ферритов
ВЫВОДЫ
ГЛАВА 4. ФОРМИРОВАНИЕ МАГНИТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПРИ ОХЛАЖДЕНИИ РАДИАЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКИ СПЕЧЕННЫХ ФЕРРИТОВ ЛИТИЕВОЙ СИСТЕМЫ
4.1. Влияние скорости охлаждения на производную температурной зависимости намагниченности РТ спеченных ферритов
4.2. Исследование поля магнитной анизотропии и намагниченности насыщения РТ спеченных
4.3. Влияние скорости охлаждения на электропроводность РТ спеченной ферритовой керамики
4.4. Влияние скорости охлаждения на структурные характеристики РТ спеченной ферритовой керамики
4.5. Обсуждение данных по влиянию скоростных режимов охлаждения
на свойства РТС ферритов
ВЫВОДЫ...,
ГЛАВА 5. КИНЕТИЧЕСКИЕ И ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ СВОЙСТВ ФЕРРИТОВ127
5.1. Фазовый состав исходной шихты феррита
5.2. Структурные преобразования при обжиге исходной шихты
Фактор повторяемости р зависит от класса симметрии кристалла и равен числу семейств плоскостей кристалла, принимающих участие в создании данной линии и имеющих одинаковую интенсивность.
От расположения атомов в решетке, т.е. от структуры кристалла, зависит
ной элементарной ячейкой в направлении, определяемом индексами Ьк1. Структурная амплитуда Рикі связана с координатами атомов х, уі индексами и атомным фактором ґ; следующим соотношением:
суммирование ведется по всем атомам ( в пределах одной элементарной ячейки ). Эту же зависимость можно записать несколько иначе:
Интенсивность линий на рентгенограммах зависит также от температуры съёмки. Тепловые колебания атомов около идеальных позиций вызывают
стоятельство. Величина температурного множителя определяется температурой, при которой проводятся измерения и характеристической температурой исследуемого вещества.
Для смеси веществ интенсивность линии пропорциональна также весовой доле данного компонента. Интенсивность дифракционного отражения /,• прямо пропорциональна массовому содержанию соответствующего компонента
только структурный фактор |^|2 - квадрат амплитуды волны, рассеянной од27П{Нх .+ку .+ІІ .)
ккі .7 J

уменьшение интенсивности. Фактор Дебая - Валлера е'2М(Г) и учитывает это об-