+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Образование газовых включений при синтезе кристаллов парателлурита из расплава

  • Автор:

    Седова, Людмила Владимировна

  • Шифр специальности:

    01.04.07

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2005

  • Место защиты:

    Тверь

  • Количество страниц:

    153 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

Глава I. Литературный обзор
1.1 Газовые включения в монокристаллах, выращиваемых из расплава
1.2 Пузырьки в парателлурите
1.3 Физические и химические свойства парателлурита и расплава диоксида теллура
Глава II. Исследования монокристаллов парателлурита с газовыми включениями
2.1 Определение давления газа в пузырьках
2.2 Оптические исследования пузырьков
2.3 Рассеяние света кристаллами парателлурита
с пузырьками
2.4 Дислокации и механические напряжения вблизи
пузырьков
Глава III. Влияние условий роста на захват газовых включений. Действие отжига на включения в твердой фазе
3.1 Особенности выращивания монокристаллов парателлурита способом Чохральского
3.2 Влияние чистоты исходного сырья
3.3 Анализ механизмов диффузионного роста пузырьков,
их коалесценции и захвата кристаллами парателлурита
3.4 Причины секториального распределения газовых включений по пирамидам роста сингулярных граней
3.5 Измерения электропроводности расплава диоксида теллура
в связи с проблемой подавления конвекции магнитным полем
3.6 Огранение, распад и движение пузырьков при отжиге
в поле температурного градиента
Глава IV. Условия синтеза парателлурита без пузырьков
4.1 Устойчивость и форма фронта кристаллизации

4.2 Режимы конвекции. Вихри Тейлора
4.3 Оптимальные кинематические и температурные
параметры роста
Выводы
Список литературы

В конце 60-х - начале 70-х годов появляются сообщения о выращивании монокристаллов парателлурита - тетрагональной модификации диоксида теллура (сх-ТеСЬ) способом Чохральского [1-5]. Исследователями сразу же были отмечены редкие, в ряде случаев -уникальные физические свойства этого материала: большие показатели преломления По и большое двулучепреломление, очень высокое удельное вращение плоскости поляризации, резкая анизотропия механических, тепловых, акустических и оптических констант, но в особенности - практически рекордно высокие для видимого диапазона # значения коэффициента акустооптического качества М2 = п'р2/pV3e, где п
показатель преломления, р - действующая фотоупругая константа, р -плотность, V3s - скорость звука. Действительно, благодаря большим значениям показателей преломления и очень малым значениям скоростей звука (всего лишь 600 м-с'1 для сдвиговой моды вдоль направления [110]), величина Мг достигает значений (600-800)-10'18с3т'’ [6], что примерно в 500 раз больше, чем у такого классического акустооптического материала, каким является плавленный кварц. Совокупность столь ценных свойств предопределила повышенный интерес к производству монокристаллов <* парателлурита, основная сфера применения которых - материал для
светозвукопроводов акустооптических устройств [7-12]. В связи с увеличением размеров оптически однородных кристаллов, в самое последнее время появилась возможность изготовления из парателлурита и традиционных оптических элементов - двулучепреломляющих призм [9].
За почти сорокалетнюю историю развития технологии выращивания парателлурита размеры получаемых кристаллов выросли с 10-15 мм в диаметре и 20-30 мм по высоте до 60-80 мм в диаметре и 70-80 мм по высоте. Заметно выросли также структурное совершенство и оптическое

На рис. 14 представлены картины, полученные при освещении удаленного экрана лучами поляризованного (А,=0,53 мкм) и неполяризованного (71=0,63 мкм) лазерного света, прошедшими в направлении [001] сквозь пластинку толщиной 10 мм, изготовленную из монокристалла парателлурита градации качества А по рассеянию. Для отсечения центральных, наиболее ярких областей пучков, соответствующих прямо прошедшему или рассеянному свету,
Рис. 14. Гауссово распределение интенсивности в сечении лазерного луча, не прошедшего сквозь кристалл ТеОг
на экране вырезано отверстие радиусом 1 см. При отсутствии отверстия сильная засветка от центра пятна препятствует измерениям рассеянного света.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.172, запросов: 967