Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений
- Автор:
Артёмов, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
107 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гистерезис и отрицательное дифференциальное сопротивление в пространственно-ограниченных ионных проводниках | Федоров, Александр Николаевич | 2015 |
| Анализ протяженной тонкой структуры спектров потерь энергии электронов (EELFS) для определения атомной структуры поверхности твердых тел | Вайнштейн, Дмитрий Львович | 2000 |
| Термодинамика и кинетика конденсации на макроскопических ядрах из растворимых поверхностно-активных веществ | Яковенко, Татьяна Михайловна | 2001 |