Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений
- Автор:
Артёмов, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
107 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений», автор — Артёмов, Владимир Викторович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Москва в 2005 году. Объем работы: 107 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002800874. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Движение дислокации под действием ультразвука и постоянной нагрузки с учетом поперечного скольжения в неоднородном по пространству поле напряжений | Богуненко, Владимир Юрьевич | 2006 |
| Структурно-фазовая нестабильность и активация ряда сплавов с гранецентрированной и объемноцентрированной кубической решеткой при радиационном воздействии | Симаков, Сергей Васильевич | 2005 |
| Спектроскопия новых лазерных кристаллов с ионами Nd3+ | Агмалян, Нателла Рафаеловна | 1983 |