Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений
- Автор:
Артёмов, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
107 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование магнитокалорического эффекта и движения двойниковых границ в антиферромагнетиках и сплавах Гейслера | Костромитин, Константин Игоревич | 2013 |
| Влияние флуктуаций электромагнитного поля на перенос тепла излучением в полупрозрачных твердотельных средах | Лам Тан Фат | 2017 |
| Многоэлектронные явления в нанокластерах металлов вблизи их перехода в неметаллическое состояние | Лебидько, Валентин Валерьевич | 2006 |