Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений
- Автор:
Артёмов, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
107 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Иерархические модели атомного строения икосаэдрических и кубических апериодических фаз : квазикристаллов | Ха Тхань Лам | 2008 |
| Динамическая теория рентгеновской и электронной кристаллооптики | Чуховский, Феликс Николаевич | 1984 |
| Электронная структура дисилицидов молибдена, вольфрама и рения | Бабушкина, Елена Владимировна | 2005 |