Комплексная характеризация кристаллов CdTe и GaAs для создания технологии полупроводниковых детекторов рентгеновского и гамма излучений
- Автор:
Артёмов, Владимир Викторович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
107 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Прямые и обратные задачи в рентгеновской рефлектометрии многослойных и пористых структур | Сутырин, Арсений Георгиевич | 2003 |
| Закономерности эволюции структуры и фазового состава закаленной углеродистой стали при электростимулированной усталости | Сучкова, Елена Юрьевна | 2004 |
| Структурно-чувствительная спектроскопия органических и биоорганических наносистем на основе метода стоячих рентгеновских волн | Новикова, Наталья Николаевна | 2011 |