Влияние заряда дислокаций и внешнего электромагнитного воздействия УФ диапазона на пластичность и зарождение трещин в ионных кристаллах

• Автор: Чемеркина, Маргарита Викторовна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Тамбов
• Количество страниц: 135 с. : ил.

ГЛАВА 1. СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА
1.1. Виды деформаций кристаллических структур
1.1.1. Двойникование
1.1.2. Упругое двойникование
1.1.3. Скольжение
1.1.4. Сбросообразование
1.1.5. Диффузионные и бездиффузионные механизмы деформации
1.2. Разрушение
1.2.1. Разрушение кристаллических материалов
1.2.2. Зарождение трещин
1.2.3. Тепловые флуктуации
1.2.4. Скорости распространения трещин
1.2.5. Управление ростом трещины
1.3. Влияние ионизирующего излучения на структуру и свойства кристаллов
1.3.1. Ультрафиолетовое (УФ) излучение
1.3.1.1. Исследование воздействия ультрафиолетового излучения на материалы с различным видом кристаллической связи
1.3.2. Рентгеновское излучение
1.3.2.1. Воздействие рентгеновского излучения на кристаллы с различным типом связей
1.3.3. Воздействие у-излучения на кристаллы с различным типом связи
1.4. Радиационные дефекты
1.4.1. Влияние радиационных дефектов на деформацию и
разрушение кристаллов
1.5. Заряд на дислокациях
1.6. Цель и задачи исследования
ГЛАВА 2. ЗАРОЖДЕНИЕ ТРЕЩИН ПРИ УПРУГОМ
ДВОЙНИКОВАНИИ
2.1. Состояние вопроса
2.2. Методика проведения эксперимента
2.3. Экспериментальное исследование процессов зарождения микротрещин при упругом двойниковании
2.4. Определение распределения плотности дислокаций в границе двойника
2.5. Распределение напряжений вдоль двойника
2.6. Дислокационные модели двойниковых границ
2.7. Распределение напряжений вдоль границы упругого двойника
2.8. Обсуждение результатов
2.9. Выводы
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЗАРЯДА ДИСЛОКАЦИЙ
НА ЗАРОЖДЕНИЕ ТРЕЩИН В НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ
3.1. Скопления заряженных дислокаций в кристаллах
3.2. Модель Зинера-Стро (плоское скопление дислокаций)
3.3. Пересекающиеся скопления заряженных дислокаций
3.3.1. Термоактивированное зарождение трещин в пересекающихся
скоплениях заряженных дислокаций
3.4. Соотношение механической и электрической прочностей кристаллов
3.5. Выводы
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ УФ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ПЛАСТИЧНОСТЬ
ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ
4.1. Воздействие УФ излучения на вещество
4.2. Методика эксперимента
4.3. Влияние УФ излучения на релаксационный рост упругого двойника в
исландском шпате
® 4.4. Влияние УФ излучения на деформацию сжатием кристаллов ЫБ,
№01
4.5. Влияние УФ излучения на величину пробегов индивидуальных краевых и винтовых дислокаций, генерируемых воздействием
» индентора Виккерса
4.6. Стимулирование процессов восстановления сплошности в ЩГК воздействием УФ излучения
4.7. Обсуждение экспериментальных результатов
4.8. Выводы
• ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Рис. 2.4. Зависимость 1п т от 1/Т.
2.4. Определение распределения плотности дислокаций в границе двойника
Определить распределение плотности дислокаций в двойнике можно; измеряя расстояния между интерференционными полосами равной толщины, наблюдаемыми в отраженном свете (рис. 2.5.). Измерения производились по светлым интерференционным полосам, поэтому для расчета формы границ двойника будет справедлива формула для интерференционных максимумов, наблюдаемых в отраженном свете [73]:
2хсоз(у) = (2/л +1) 2хсоз(у)=(2ш+1)Я/2 (2.1)
где х - толщина двойникового клина, п - показатель преломления (1,66), у - угол преломления, Я - длина волны света в вакууме, ш= 0,1, 2 ... - порядок интерференционного максимума.