Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4

• Автор: Абдуллаев, Абдулла Алиевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Махачкала
• Количество страниц: 149 с. : ил.

ГЛАВА
СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О МЕХАНИЗМАХ ФОТОПРОВОДИМОСТИ И ФОТОФЕРРОМАГНИТНОГО ЭФФЕКТА В ХРОМОВОМ ХАЛЬКОГЕНИДНОМ ШПИНЕЛЕ СёСг28е4

1.1. Кристаллическая структура, электрические и магнитные свойства

1.2. Оптические и фотоэлектрические свойства

1.3. Фотоферромагнитный эффект в СсЮуБе^

1.4. Основные представления об электронной структуре СсЮг28е4

1.5. Выводы к первой главе

ГЛАВА II

МЕТОДИКИ ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ И

ПРИГОТОВЛЕНИЕ ОБРАЗЦОВ

2.1. Введение

2.2. Методы измерения фотопроводимости
2.3. Методы исследования кинетики ФП
2.3.1. Методика стробоскопической регистрации кинетики фототока с пользованием параллельной стробоскопической системы
2.3.2. Методика исследования кинетики токов амбиполярной диффузии
и дрейфа неравновесных носителей
2.4. Методика измерения фотопроводимости в переменных электрических полях
2.5. Методики измерения фотоферроомагнитного эффекта
2.6. Подготовка образцов для проведения измерений
2.7. Малогабаритный азотно-гелиевый прокачной оптический криостат
ГЛАВА III

МЕХАНИЗМЫ ТОКОПЕРЕНОСА В МАГНИТНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ CdCr2Se4
3.1. Введение
3.2. Фотопроводимость и перенос носителей заряда в нелегированном CcICr2Se4
3.3. Влияние поверхностных явлений на фотоэлектрические свойства CdCr2 Se4
3.4. Фотоэлектрические свойства HgCr2Se4
3.5. Некоторые особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей в CdCr2Se4
3.6. Кинетика амбиполярных токов диффузии и дрейфа неравновесных носителей в полупроводниках
3.7. Выводы к третьей главе
ГЛАВА IV
РОЛЬ УРОВНЕЙ ПРИЛИПАНИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В ПРОЦЕССЕ ОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ ЗАКРЕПЛЕНИЯ ДОМЕННЫХ СТЕНОК В МАГНИТНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ CdCr2Se4
4.1. Введение
4.2. Статистика захвата фотоэлектронов мелкими донорами,
участвующими в образовании центров закрепления
доменных стенок в CdCr2Se4
4.3. Фотоиндуцированная прыжковая проводимость и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4:Ga
4.4. Структура фотоиндуцированных центров в CdCr2Se4
4.5. Выводы к четвертой главе
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ
ФП - фотопроводимость
тп - темновая проводимость
дмп - динамическая магнитная проницаемость
ДС доменная стенка
тсп - термостимулированная проводимость
оп - остаточная проводимость
МС - магнитосопротивление
ФМС - фотомагнитосопротивление
ФФЭ - фотоферромагнитный эффект
ОФФЭ - остаточный фотоферромагнитный эффект
ВАХ - вольт-амперная характеристика
ЛАХ - люкс-амперная характеристика
ик - инфракрасный
ФЦ - фотоиндуцированные центры
- вакансии селена
жиг - железо-иттриевый-гранат

ГЛАВА II
МЕТОДИКИ ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ И ПРИГОТОВЛЕНИЕ ОБРАЗЦОВ
2.1. Введение
Неоднозначные, а порой и противоречивые экспериментальные результаты в исследованиях электрических и фотоэлектрических свойств являются серьезным препятствием в формировании единого взгляда на ряд уникальных физических свойств магнитных полупроводников СйСг28е4 и перспективы их практического применения.
Поэтому приобретают ценность комплексные, разносторонние и новаторские исследования по выявлению природы их транспортных и кинетических характеристик. Данная Глава IIосвящена описанию некоторых методик проведенных экспериментов и устройств, изготовленных для их проведения.
На рис. 2.1 приведена общая блок-схема установки, которую можно легко переориентировать для проведения исследований свойств в конденсированных средах в широком комплексе. На этой установке в автоматизированном режиме проводятся электрические, фотоэлектрические, оптические, магнитные, магнитооптические, гальваномагнитные, термомагнитные и др. исследования в твердотельных материалах. Оригинальным качеством этой установки является то, что перечисленные исследования удается проводить при одновременном воздействии на исследуемый материал высокочастотных полей, внешних магнитных полей и оптического излучения в широкой области температур (8-400 К).