Фазовые равновесия и особенности электронных спектров системы T1InS2-CuInS2

• Автор: Хамхоев, Багаудин Магомадович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Магас
• Количество страниц: 191 с. : ил.

ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ /ГТИпБг и Си1п82 и твердых растворов на их

основе

§ 1.1. Физико-химические особенности полупроводниковых

фаз/?-ТИп82иСи1п82

§ 1.2. Кристаллическая структура и характер химической связи в соединениях Т1В3С и А'В3^

1.2.1. Структура соединения типа/?-Т11п82

1.2.2. Структура соединения Си1п82

§ 1.3. Обзор физических свойств соединений классов

Т1В3С^ и А]В3С‘

1.3.1. Соединение Д-Т11п82

1.3.2. Соединение типа А1 В3 С62

1.3.3. Заключение и постановка задач
ГЛАВА II. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ
И ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФАЗ СИСТЕМЫ
/?-ТПп82-Си1п82
§ 2.1. Синтез соединений Д-Т11п82 и Си1п82
§ 2.2. Методика исследования фазовых равновесий
в системе /ТТ11п82- Си1п82
§ 2.3. Фазовые равновесия в системе /?-Т11п82-Си1п82
§ 2.4. Выращивание монокристаллов /?-Т11п82 и Си1п82,
и твердых растворов на их основе

§ 2.5. Микрозондовый анализ системы Д-ТЦхСиДпЗ
2.5.1. Обработка результатов измерений нарушений стехиометрии в монокристаллах системы/?-Т11.хСих1п82
§ 2.6. Выводы к главе II
ГЛАВА III. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ
/?-Т1 ,.хСих1п52(0<Х<0,015)
§ 3.1. Краткие теоретические представления модуляционных методик исследования оптических спектров поупроводников
§ 3.2. Экспериментальная установка для исследования поглощения, отражения и фотопроводимости полупроводников стационарным и модуляционным
методами
§ 3.3. Структура края собственной полосы поглощения
монокристаллов ^-Т1|.хСих1п82(0<Х<0,015)
3.3.1 Формирования края собственного поглощения
монокристаллов /?-Т11п82
3.3.2. Особенности дифференциальных спектров поглощения и отражения монокристаллов/?-Т11п82
3.3.3.Формирование края собственного поглощения монокристаллов твердых растворов
/?-Т1,.хСих1п82 (0<Х<0,015)
§ 3.4. Электропоглощение монокристалла/?-Т11п82 в области
экситонного поглощения
§ 3.5. Выводы к главе III
ГЛАВА IV. НЕРАВНОВЕСНЫЕ ПРОЦЕССЫ В СОЕДИНЕНИЯХ Д-Т11п82 И ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ НА ЕГО ОСНОВЕ

§ 4.1. Спектральные характеристики фотопроводимости
монокристаллов/?-Т11п82
§ 4.2. Спектральные характеристики фотопроводимости монокристаллов твердых растворов
/?-Т1,.хСих1п82(0<Х<0,015)
§ 4.3 Термостимулированная проводимость и деполяризация
в монокристаллах /?-Т11п82
§ 4.4. Выводы к главе IV
ПРИЛОЖЕНИЕ
ПЕРСПЕКТИВЫ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ /?-Т11п82, Си1п82 И ТВЕРДЫХ
РАСТВОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ
§ П.1. Фоторезисторы из монокристаллов /?-Т11п82 и
твердых растворов на его основе
§ П.2. Гетероконтакты Т11.хСихОа8е2//?-Т11п82 (0<Х<0,02)
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

§ 23. Фазовые равновесия в системе /?-Т11
Т-Х сечение диаграммы состояния системы /?-Т11.хСих1п82 (Т- температура, X - мольное содержание Си1п82 в соответствующих сплавах), построенные по данным ДТА, РФА, РСА а также по измерениям удельной электропроводности и плотности, представлена на рис. 2.3.
Как видно из рисунка компоненты системы обладают неограниченной взаимной растворимостью в жидком состоянии, ограниченно растворимы в твёрдом, и взаимодействие в системе происходит с образованием одной эвтектики и двух перитектик в системе /?-ТПп82 - Си1п82. Твёрдый раствор а богатый /?-Т11п82 в системе /?-Т11п82 - Си1п82 не претерпевает никаких превращений, кроме незначительного уменьшения предельной концентрации при понижении температуры. Эвтектическая остановка в этой области диаграммы образует конноду, соответствующую температуре 945 К в системе /?-Т11п82 - Си1п82 с максимальной остановкой в эвтектической точке ~ 17 мол. % Си1п82 в системе /?-Т11п82 - Си1п82. Предельные концентрации а - растворов при эвтектических температуре составляет 3 мол.% Си1п82. Твёрдые растворы на основе Си1п82, также как и само исходное соединение претерпевают фазовые превращения типа порядок-беспорядок (катион-катионное разупорядочение), а также катион-анионное разупоря-дочение при 1263, 1313 и 1363 К. 72 мол. % Си1п82 в системе /?-Т11п82 -Си1п82 соответствует началу превращения, происходящего по перитекти-ческой схеме. Изотермические остановки указанного перехода образуют при температуре 1293 К в систем /?-Т11п82 - Си1п82 вторую конноду. Предельная концентрация /? - фазы при перитектической температуре 1293 К в системе /?-Т11п82 - Си1п82 95,2 мол. % Си1п82. Точка Ез на рис. 2.3, характеризующаяся составом 90 мол. % Си1п82, соответствует началу