Структурно-фазовые превращения на поверхностях ионных кристаллов, обусловленные совместным действием электрического и нестационарного теплового полей

• Автор: Стерелюхин, Андрей Александрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Тамбов
• Количество страниц: 151 с. : ил.

ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ДИЭЛЕКТРИКАХ
1.1. Ионные проводники
1.1.2. Зонная теория
1.1.3. Дефекты кристаллических структур
1.1.4. Ионная проводимость
1.2. Электрические разряды в газах и твердых телах
1.3. Электрические эффекты в диэлектриках
1.3.1. Поляризация диэлектриков
1.3.2. Электрострикция
1.3.3. Пьезоэффект
1.3.4. Пироэффект
1.3.5. Сегнетоэлектрики
1.3.6. Электретный эффект
1.3.7. Дислокационный аналог поперечного эффекта Нернста-Эттингсхаузена
1.3.8. Электропластический эффект
1.4. Фотоэффект в диэлектриках
1.4.1. Фотоэлектронная эмиссия
1.4.2. Внутренний фотоэффект в диэлектриках
1.4.3. Фотостимулированная кристаллизация
1.5. Цель и задачи исследования
ГЛАВА 2. ВЛИЯНИЕ ВЕЛИЧИНЫ НАГРЕВА НА ПРОЦЕССЫ, ПРОТЕКАЮЩИЕ НА ПОВЕРХНОСТЯХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ В ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
2.1. Материалы и методика эксперимента
2.2. Влияние величины нагрева на плотность ионного тока
2.3.Определение активационных характеристик проводимости кристаллов
2.4. Влияние величины нагрева на величину электрической индукции в межэлектродном промежутке
2.5.Влияние нагрева и полярности исследуемой поверхности на величину поверхностной плотности электрического заряда
2.6. Измерение величины поверхностного заряда в ионных кристаллах при термоэлектрическом воздействии
2.6.1. Результаты эксперимента
2.7. Обсуждение результатов
2.8. Выводы к главе
ГЛАВА 3. СТРУКТУРНО-ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТЯХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ РАЗЛИЧНОЙ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИИ ПРИ НАГРЕВЕ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
3.1. Поверхностные изменения в ионных кристаллах при термоэлектрическом воздействии
3.2. Химическое травление
3.3.Масс-спектрографическое и рентгеноструктурное исследования вещества новообразований
3.4. Микроиндентирование вещества новообразований
3.5. Кристаллизация новообразований на поверхностях щелочногалоидных кристаллов различной кристаллографической ориентации
3.6. Структурные изменения поверхностей ионных кристаллов под действием потенциала внешнего электрического поля приложенного к поверхности при нагреве
3.7. Обсуждение результатов
3.8. Выводы к главе
ГЛАВА 4. СТРУКТУРНО-ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ НА КОНТАКТИРУЮЩИХ ПОВЕРХНОСТЯХ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ ПРИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ВОЗДЕЙСТВИИ И ИХ РОЛЬ В ВОССТАНОВЛЕНИИ СПЛОШНОСТИ
4.1. Фазовые превращения на контактирующих поверхностях разнородных ионных кристаллов при термоэлектрическом воздействии

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:
1. Установить влияние температуры и ретикулярной плотности исследуемой поверхности кристалла на величину ионного тока и определить значения энергии активации процессов проводимости и ее зависимость от ретикулярной плотности и массы катиона.
2. Оценить величину электрической индукции в межэлектродном промежутке в зависимости от кристаллографической ориентации образца и величины нагрева.
3. Установить влияние величины нагрева и ретикулярной плотности поверхности кристалла на процесс накопления поверхностного заряда.
4. Оценить суммарную величину заряда на поверхности ионного кристалла путем регистрации «обратных» токов при закорачивании заряженных поверхностей ионных кристаллов.
2.1. Материалы и методика эксперимента
Среди кристаллов с ионной связью наиболее распространены галогениды щелочных металлов - LiF, NaCl, KCl. Вместе с тем в таких кристаллах как СаС03, роль одного из ионов играет комплекс С032 Такие структуры называются анизодесмическими. Во всех опытах нагреву и одновременному воздействию поля подвергались кристаллы, ограненные нетравлеными поверхностями {100} - NaCl, KCl, СаС03 и {111}, {100}, {350} и {110} - LiF (соотношение ретикулярных плотностей (рр) в исследованных случаях 1,15 : 1 :0,86 : 0,71, соответственно). Для получения поверхностей различной кристаллографической ориентации (рис 2.1) образцы вначале выкалывали по спайности из крупных монокристаллических блоков с последующим выведением шлифовкой и полировкой плоскости с заданными кристаллографическими индексами. Размеры образцов 20-8-3 мм (3 мм - расстояние между параллельными исследуемыми плоскостями). Содержание примесей для LiF по Са2+, Mg2+, Ва2+ в сумме не превышало