Особенности электрофизических свойств ряда сегнетомягких материалов на основе ЦТС

• Автор: Акбаева, Галина Михайловна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Ростов-на-Дону
• Количество страниц: 129 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ

1 СЕГНЕТОМЯГКИЕ МАТЕРИАЛЫ СРЕДИ СИСТЕМ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ ЦТС

1.1 Требования к диэлектрической запоминающей среде

1.2 Способы понижения коэрцитивного поля

1.3 Выбор систем - основ сегнетомягких материалов

1.4 Особенности электрофизических свойств твердых растворов

в ромбоэдрической области фазовой диаграммы

1.5 Сегнетоэлектрики-релаксоры

1.5.1 Модель флуктуаций состава

1.5.2 Модель композиционного упорядочения

1.5.3 Модель случайного поля
1.5.4 Суперпараэлектрическая модель
1.6 Особенности ромбоэдрической области фазовой диаграммы ЦТС
вблизи морфотропной области
1.7 Динамическая усталость сегнетоэлектрика при многократной переполяризации
2 ПОЛУЧЕНИЕ КЕРАМИЧЕСКИХ БЛОКОВ, ОБРАЗЦОВ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1 Получение керамики
2.1.1 Синтез
2.1.2 Спекание керамики методом горячего прессования
2.1.3 Измерительные образцы
2.2 Атомная структура и микроструктура
2.2.1 Рентгенофазовые исследования
2.2.2 Микроскопические исследования керамики
2.3 Поляризация образцов
2.4 Методика исследования электрофизических свойств
2.5 Методика исследования характеристик переключения
3 МИКРОСТРУКТУРА И ДОМЕННАЯ СТРУКТУРА СЕГНЕТОМЯГКИХ МАТЕРИАЛОВ
3.1 Микроструктура нетравленой и неполяризованной керамики
3.2 Рельеф травления и домены
3.3 Доменная структура кристаллитов поляризованной керамики
4 ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СЕГНЕТОМЯГКИХ МАТЕРИАЛОВ 69.
4.1 Диэлектрические свойства неполяризованных образцов
4.2 Диэлектрические свойства поляризованных образцов
5 ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПОЛЯРИЗОВАННОСТИ В СЕГНЕТОМЯГКИХ МАТЕРИАЛАХ
5.1 Диэлектрический гистерезис в синусоидально изменяющемся электрическом поле
5.1.1 Петли диэлектрического гистерезиса составов IV, IX и X
5.1.2 Петли диэлектрического гис терезиса состава ИГ.
5.1.3 Влияние температуры, амплитуды и частоты переключающего поля на диэлектрический гистерезис составов III.2 и IV
5.1.4 Диэлектрический гистерезис образцов состава 111.2 при непрерывном включении поля
5.1.5 Основные результаты и выводы исследования диэлектрического гистерезиса
5.2 Температурная зависимость реверсивной диэлектрической проницаемости..
5.3 Электромеханические свойства сегнетомягких материалов при переключении поляризованное
5.4 Исследование макетов запоминающих матриц из сегнетомягких материалов
в импульсных полях
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЦИТИРУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
СПИСОК ОСНОВНЫХ ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА
ПРИЛОЖЕНИЕ - Протокол испытаний образцов пьезокерамики, представленных НИИ физики Ростовского государственного университета

Дефекты кристаллической структуры, различные микровключения, поры, микротрещины являются стопорами для 180-градусных доменных стенок. В процессе роста доменные стенки имеют незначительный наклон к полярной оси и, следовательно, несут некоторый поляризационный заряд. Их остановка неминуемо приведет к экранированию поляризационных зарядов на стенках, что исключает их дальнейшее движение, и процесс переключения в локальной области завершается. Для сегнетокерамики ТР на основе ЦТС отмечалась большая роль в процессе циклирования кислородных вакансий как заряженных дефектов [3].
В сегнеторелаксорах возможен и специфический механизм усталости, обусловленный индуцированием ФП в процессе циклирования внешнего поля. Индуцирование ФП увеличивает концентрацию дефектов кристаллической структуры (фазовый наклеп), которые приведут к более быстрой утомляемости образца.
Таким образом, для дальнейших исследований выбрано 10 систем ТР на основе ЦТС [А4]. Методике получения и экспериментальных исследований СММ, а также выявлению закономерностей изменения их электрофизических свойств под влиянием электрических и тепловых воздействий посвящены следующие главы диссертации.