Детерминированные и стохастические процессы термостимулированной электронной эмиссии с окисленных металлов

• Автор: Павленков, Владимир Иванович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Нижний Новгород
• Количество страниц: 160 с. : ил.

Глава 1. 1.1 1

Глава 2.

2.5 2.6.1 2.6

2.6
2.6

2.
Глава 3.

Использованные сокращения Введение
Явление термостимулированной электронной эмиссии
Особенности термостимулированной эмиссии электронов Способы регистрации термостимулированной эмиссии электронов Модели термостимулированной эмиссии электронов Поведение нелинейных детерминированных систем в среде с внешним шумом
Установка для эмиссионного исследования окисленной металлической поверхности
Основные элементы установки для исследования электронной эмиссии
Блок-схема установки для исследования термостимулированной эмиссии
Устройство визуализации электронной эмиссии Сканирующее устройство Условия проведения эксперимента
Подготовка образцов для исследования их эмиссионных свойств Механическая обработка поверхности образца ФНС-5 Режимы деформации растяжения, применявшиеся при исследовании образцов методом ТСЭЭ
Режимы предварительной пластической деформации образца Методика наблюдения поверхности образцов в нлоскополяризованном свете
Электронно-оптические эффекты в системе визуализации
электронной эмиссии
Результаты исследования окисленной металлической поверхности методом термостимулированной электронной эмиссии
Вид температурной зависимости эмиссионного тока при испытании образцов меди, алюминия и ФНС-5 в исходном состоянии Неоднородности поверхностного окисла образца ФНС-5,
обнаруженные при наблюдении его в поляризованном свете Смещение максимумов эмиссионного тока на температурной оси в зависимости от скорости стимулирующего нагрева образцов
3.4 Влияние обработки поверхности образца ФНС-5 стальной щёткой на вид температурной зависимости эмиссионного тока
3.5 Влияние деформации растяжения образца ФНС-5 на эмиссионную активность его поверхности
3.6 Сдвиг максимума температурной зависимости эмиссионного тока вследствие пластической деформации образца ФНС-5 при вдавливании стального шара
3.7 Сдвиг максимума температурной зависимости эмиссионного тока вследствие пластической деформации образца ФНС-5 при холодном прокате
3.8 Уменьшение высоты максимумов ТСЭЭ при повторном испытании образцов и предварительном их отжиге в вакууме
3.9 Изменение распределения плотности эмиссионного тока по
поверхности образца ФНС-5 в процессе темостимуляции
3.10 Темновая электронная эмиссия при циклическом кручении магниевых образцов
Глава 4. Определение электронных свойств окисленных поверхностей методом ТСЭЭ
4.1 Нестационарное приближение кинетических уравнений для ТСЭЭ
4.2 Квазистациоиарное для плотности свободных электронов
приближение кинетических уравнений для ТСЭЭ
4.3.1 Квазистациоиарное для плотности свободных электронов
приближения в случае пренебрежимо малой по сравнению с Аг величины А^
4.3.2 Оценка значения энергетического уровня электронных ловушек но температуре максимума ТСЭЭ для квазистационарного приближения плотности свободных электронов в случае пренебрежимо малой по сравнению с Аг величины А;V]
4.3.3 Вывод формул для определения энергетического уровня электронных ловушек и сродства электрона в зоне проводимости в рамках нелинейного квазистационарного приближения для плотности свободных электронов в случае пренебрежимо малого, по сравнению с Аг, значения А^;
4.3.4 Расчёт энергии электронных ловушек и сродства электрона в зоне проводимости диэлектрического окисного слоя в случае
пренебрежимо малого, по сравнению с Аг, значения
4.4 Вывод формул для расчёта энергии электронных ловушек и сродства электрона в зоне проводимости диэлектрического окисного слоя в квазистационарном приближении для плотности свободных электронов в случае А | VI «А2
4.5 Вывод формул для расчёта энергии электронных ловушек и сродства электрона в зоне проводимости диэлектрического окисного слоя в квазистационарном приближении для плотности свободных электронов в случае А1У|»Аг
4.6 Определение степени компенсации полупроводникового окисного слоя и концентрации в нём электронных ловушек VI
4.7 Расчёт изменения энергетического состояния диэлектрического окисного слоя вследствие пластической деформации образца
4.8 Переход системы «заполненные электронные ловушки - свободные электроны» к равновесному состоянию - послеэмиссия
4.9 Равновесная концентрация плотности заряженных ловушек в диэлектрическом окисном слое при отсутствии эмиссии электронов в вакуум
4.10 Квазистационарное для плотности заполненных ловушек приближение ТСЭЭ
Глава 5. Индуцированные шумом переходы в электронной системе поверхностного окисла
5.1. Соотношение системы уравнений Блохинцева и модели Ферхюльста
5.2. Влияние шума среды на распределение плотности эмиссионного тока по поверхности
5.3 Бистабильные состояния плотности заполненных электронных
ловушек в окисных полупроводниках и влияние на условие их возникновения диффузии точечных дефектов из металла в окисел Заключение Литература Приложение

температуры, соответствующей положению максимума эмиссионного тока. Затем температура стабилизировалась, и проводилось нагружение образца до его разрушения. Во время нагревания и нагружения образца регистрировалась электронная эмиссия.
ТАБЛИЦА 2
Начальное напряжение Напряжение при 3450 С Напряжение после охлаждения Деформация при нагружении Пластическая деформация е„л %
кг/мм2 ^тш кг/мм2 Спет кг/мм2 е0 % %
3,1 1,9 2,0 1,59 1,02 0,57
3,8 0,05 2,8 1,78 1,31 0,46
при его нагружении, последующем нагреве и охлаждении.
2.6.4. Режимы предварительной пластической деформации образца.
Часть образцов ФНС-5 подвергалась пластической деформации либо путем вдавливания стального шара диаметром 20 мм с помощью нагружающего устройства твердомера или ударной нагрузкой, либо холодным прокатом валиком диаметра 3-10 мм с фиксированной величиной нагрузки. Возникавшая при этом пластическая деформация приводила к частичному или полному закрытию пор и образованию на поверхности образца свежего окисного слоя.