Влияние поверхностно-чувствительных воздействий на оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdS и CdSe

• Автор: Сумьянова, Елена Владимировна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 182 с. : ил.

Глава 1 ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ П.1 Оптические и фотоэлектрические свойства прямозонных полупроводников в области края

фундаментального поглощения

П.2 Приповерхностные радиационные дефекты

и оптические спектры экситонов в полупроводниках

П.З Влияние поверхностно-чувствительных воздействий на фотоэлектрические спектры полупроводниковых кристаллов

П.4 Примесные максимумы фотопроводимости

ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

Глава 2 МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА П. 1 Экспериментальные установки

П. 1.1 Экспериментальная установка измерения оптических спектров Стр.48 П.1.2 Экспериментальная установка для измерения спектров ФП

П.2 Особенности использованных методик

П.2.1 Электронная бомбардировка

П.2.2 Эффект поля
П.2.3 Лазерное облучение
Глава 3 ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ И ОТЖИГА
НА ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ КРИСТАЛЛОВ СбБ И СбБ
п. 3.1 Л Влияние ЭБ на оптические экситонные спектры
кристаллов СбБе и СбБ(экспериментальные результаты)
п. 3.1.2. Радиационная стойкость и спектры связанных экситонов
кристаллов СбБ и СбБе (Обсуждение результатов)
п. 3.2.1 Люминесценция связанных экситонов
в кристаллах СбБ и СсЗБе, подвергнутых
высокодозовому облучению электронами.
(экспериментальные результаты)
п. 3.2.2. Природа коротковолнового хвоста линии связанных экситонов, индуцированных
электронной бомбардировкой (обсуждение результатов)
Основные результаты и выводы
ГЛАВА 4 ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА СПЕКТРЫ ФОТОПРОВОДИМОСТИ КРИСТАЛЛОВ СбБ
п. 4.1 Влияние поперечного электрического поля на спектры ФП кристаллов СбБ
п. 4.2 Влияние ЭБ на спектры ФП кристаллов СбБ (экспериментальные результаты)
п. 4.3 Механизмы влияния ЭБ на ТС спектров краевой ФП
кристаллов СбБ (обсуждение результатов)
Основные результаты и выводы
Глава 5 ВЛИЯНИЕ ЛАЗЕРНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ В ВОДЕ НА ОПТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ КРИСТАЛЛОВ СбБ
П. 5.1.1 Влияние лазерного облучения в воде на спектры фотолюминесценции кристаллов СбБ (экспериментальные результаты) п. 5.1.2. Влияние лазерного облучения в воде на спектры фотопроводимости кристаллов СбБ (экспериментальные результаты) п. 5.2. Обсуждение экспериментальных результатов п. 5.2.1. Флуктуационная люминесценция кристаллов СбБ п. 5.2.2 Роль мелких собственно-дефектных центров в формировании спектров фотопроводимости СёБ Основные результаты и выводы Заключение Литература

Стр. 151 Стр. 153 ‘
Стр. 156 ;

Глава 2 МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА В этой главе дано описание экспериментальных установок для регистрации оптических спектров и спектров ФП кристаллов СбБ и СёБе, а также рассмотрены особенности использованных методик.
П. 1. Экспериментальные установки П. 1.1. Экспериментальная установка для измерения оптических спектров Блок-схема экспериментальной установки для измерения спектров ФЛ, отражения и пропускания полупроводниковых кристаллов приведена на рис.9.
Установка состоит из источников света, в том числе источника возбуждения ФЛ, оптической системы (система конденсоров и зеркал), приемно-усилительного устройства и прибора для автоматической записи спектров. В качестве источников возбуждения ФЛ использовались ртутная лампа сверхвысокого давления ДРШ-250(5) со светофильтром УФС-1 (для СбБ) и СЗС-8 (для СбБе) (б). Поляризация падающего на поверхность образца света осуществлялась с помощью поляризатора (7), устанавливаемого на пути светового пучка.
Для измерения спектров отражения и пропускания света использовались лампы накаливания(2), объективы(З), поворотное зеркало(12). Исключение эффектов засветки образца ИК - и УФ-светом осуществлялось с помощью светофильтров, выделяющих из сплошного спектра требуемый интервал длин волн.
При исследовании спектров катодолюминесценции (КЛ) образцы облучались потоком электронов с энергией в несколько кеУ. Для этого кристаллы помеща-