Электронная энергетическая структура тетрагональных купридов титана и сплавов Cu-Ti-Ni

• Автор: Колпачева, Ольга Валериевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Таганрог
• Количество страниц: 200 с. : ил.

1. Интерметаллические соединения системы титан - 12 медь.

1.1. Получение и кристаллическая структура ,

интерметаллических соединений системы медь - титан.

1.2. Тройные металлические сплавы системы Си - Т1 - М

1.3. Модели, применяемые для описания ЭЭС сплавов и

соединений переходных металлов

1.4. Исследования электронной энергетической структуры

соединений и сплавов меди с титаном и системы Си

И-Ж

2. Методика расчета электронной энергетической

структуры интерметаллических соединений в кластерном приближении

2.1. Общая схема расчета
2.2. Определение распределения атомов по
координационным сферам и маделунговских потенциалов подрешеток
2.3. Вычисление “кристаллических” МТ - потенциалов
2.4. Определение фаз и одноузельных Ь - матриц рассеяния
электронов
2.5. Применение теории многократного рассеяния для
вычисления
плотностей электронных состояний
2.6. Расчеты ПЭС в рамках приближения
самосогласованного поля

2.7. Расчет теоретической формы рентгеновских и
рентгенофотоэлектронных спектров
3. Расчеты электронной энергетической структуры
металлов и соединений Т1№
3.1. Электронная энергетическая структура чистых
металлов Си и №
3.2. Электронная энергетическая структура кубического и
моноклинного ТМ
3.3. Распределение плотности заряда и построение карт
электронной плотности
4. Электронная энергетическая структура купридов
титана
4.1. Плотности электронных состояний ПСи
4.2. Плотности электронных состояний Т^Си
4.3. Теоретическая и экспериментальная форма РФЭ
спектров валентных полос ИСи и Т^Си
4.4. Распределение электронной плотности в Т1Си и П2Си
4.5. Плотности электронных состояний Т12Си3 ,
4.6. Плотности электронных состояний Т13Си4
4.7. Плотности электронных состояний ТЮи3
4.8. Рентгеновские эмиссионные спектры купридов титана
4.9. Краткие выводы к главе 4
5. Электронная энергетическая структура
тетрагональных сплавов Сих№1.хТ1
5.1. Методика расчета электронной энергетической
структуры

5.2. Плотности электронных состояний и
рентгенофотоэлектронные спектры валентных полос тетрагональных сплавов Cu-Ni-Ti
5.3. Плотности электронных состояний кубических сплавов 171 Cu-Ti-Ni
5.4. Модель электронной энергетической структуры
сплавов Си - Ti
5.5 Краткие выводы к главе 5
Основные результаты и выводы
Библиографический список

При вычислении «кристаллического» потенциала используется МТ -приближение [108], причем вначале определяется «кристаллическая» плотность электронного заряда, а затем путем решения уравнения Пуассона определяется «кристаллический» МТ - потенциал [109]. Использование такого способа определения кристаллического потенциала приводит к тому, что вокруг узлов кристаллической решетки располагаются МТ- сферы, заряд которых не равен нулю (часть электронного заряда оказывается в пространстве между МТ - сферами). Такая бесконечная решетка ионов вместе с равномерно распределенным отрицательным зарядом межсферной области создает в каждой точке кристалла электрическое поле, потенциал которого известен, как потенциал Маделунга [110-111]. В случае кристаллов с базисом можно рассматривать отдельно вклады подрешеток атомов различных типов в этот потенциал. Потенциалы электрического поля, создаваемые решеткой (подрешетками) заряженных МТ - сфер определялись по методу Эвальда [110]:
к2
Ап ехр(-Т^)со8(*мг) 1 -егГ(ЕГ) п
ТП (2.2.3)
кт*а |лт| 1 о “»я,-*
где <р(г)- потенциал в точке, определяемой радиус - вектором г, объем ячейки Вигнера - Зейтца, кт - векторы обратной решетки, г;. - векторы прямой решетки, е - постоянная, определяемая из условия сходимости первой и второй сумм.
2.3 Вычисление “кристаллических” МТ - потенциалов
«Кристаллические» потенциалы атомов вычислялись по схеме, близкой к предложенной в работе [109]. Сначала, основываясь на атомных волновых функциях, взятых из таблиц Германна и Скилмэна [112], определялась атомная плотность заряда атомов - компонент соединения р* (г)